• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.26 no.2
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• pp.53-57
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• 2016

6H-SiC single crystals were grown by using a resistance heating system. It was recognized that the growth behavior was different according to the different growth temperatures. It was revealed that the temperatures at the source feeding and at the crystal growth position had to be controlled independently. In this report, the effect of growth temperature on the SiC crystal growth was discussed.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.10 no.1
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• pp.71-75
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• 1999

융액인상법에 의하여 Nd3+ 이온이 15 at% 주입된 LaSc3(BO3)4 단결정을 성장하였다. 최적의 결정성장 조건하에서 성장된 결정은 결정형이 잘 발달되고 보라색 투명하였다. 편광 현미경에 의한 결정결함 분석결과 성장된 결정 중심부에서 0.1 mm 크기의 기포가 검출되었고, B2O3가 증발하여 결정에 증착된 shoulder 부위에서는 균열이 발생되었으나 body에서는 결함이 검출되지 않았다. X선 회절에 의하여 cell parameter를 측정한 결과 a=7.73 , b=9.85 , c=12.05 , β=105.48o 및 공간군 C2/c의 monoclinic 구조로 분석되었다. 양질의 단결정을 성장하기 위한 결정성장 요소는 회전속도 10 rmp, 인상속도 1.5 mm/h이었다. 성장된 결정은 808 nm에서 강하고 넓은 흡수대와 1050∼1080 nm에 걸친 형광 방출대가 관찰되었다. 성장된 결정을 이용하여 직경 3 mm, 두께 1mm 크기의 micro-chip laser 소자의 제조기술을 확립하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.67-67
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• 1999

기판위에 증착되는 박막에서 박막의 초기성장을 분석하는 것은 최종적으로 성장된 박막을 더욱 효과적으로 성장시킬 수 있다는 장점이 있다. 따라서 본 연구는 두께가 수십 $\AA$ 이하인 비정질 실리콘 박막의 초기성장과정을 분석하였는데 특히, 기판과 증착조건에 따른 박막성장의 차이를 알아 보았다. 여러 종류의 기판에서 Sputtering으로 비정질 실리콘을 증착시켰고, 박막의 초기성장과정을 실시간 분광 Ellipsometer와 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 분석하였다. C-Si, gold, Chrome 기판에 대하여 같은 조건에서 증착시간을 1초부터 8초까지 달리하면서 각각의 시간대별로 박막성장의 차이를 비교분석하였다. 증착조건 및 증차시간과 기판을 서로 다르게 할 때, 비정질 실리콘 박막의 초기성장과정에서의 차이를 볼 수 있었다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.3
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• pp.275-282
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• 1995

III족 원료 가스로 triethylgallium(TEGa)과 trimethylindium(TMIn)을 사용하고 V족 원료 가스로 사전 열 분해하지 않은 arsine(AsH3)과 monoethylarsine(MEAs)을 사용하여 ultrahigh vacuum chemical vapor deposition(UHVCVD)법으로 Si3N4로 패턴된 GaAs(100)기판 위에 GaAs와 InGaAsqkr막을 선택적으로 에피택시 성장을 하였다. V족 원료 가스를 사전 열 분해하지 않으므로 넓은 성장 온도 구간과 V/lll 비율에서도 선택적으로 박막이 성장되었다. 또한 선택 에피택시의 성장 메카니즘을 규명하기 위하여 다양한 filling factor(전체면적중 opening된 면적의 비율)를 가지는 기판을 제작하여 성장에 사용하였다. UHVCVD법에서는 마스크에 면적중 opening된 면적의 비율)를 가지는 기판을 제작하여 성장에 사용하였다. UHVCVD법에서는 마스크에 입사된 분자 상태의 원료 기체가 탈착된 후 표면 이동이나 가스 상태의 확산과정 없이 마스크로부터 제거되므로 패턴의 크기와 모양에 따른 성장 속도의 변화나 조성의 변화가 없을 뿐만 아니라 chemical beam epitaxy(CBE)/metalorganic molecular beam epitaxy(MOMBE)법에서 알려진 한계 성장온도 이하에서 선택 에피택시 성장이 이루어졌다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.485-485
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• 2013

Plasma-assisted molecular beam epitaxy법으로 자가 형성되는 InN 박막을 활용하여 GaN 박막의 결함밀도를 감소시키는 성장 구조 조건에 대하여 연구하였다. Sapphire 기판 위에 저온에서 GaN 핵층을 3 nm 두께로 성장하고, 그 위에 InN 박막을 성장 한 후, 고온에서 GaN을 성장하였다. InN박막의 성장 온도는 $450^{\circ}C$이고, 성장 시간을 30초에서 1분 30초까지 각각 달리 하였다. 실험결과 InN 층이 삽입된 GaN 박막이 상대적으로 고른 표면이 형성되는 과정을 reflection high energy electron diffraction로 관측하였고, atomic force microscope를 측정하여 표면 거칠기의 개선을 확인하였다. InN 성장시간 변화에 따른 결정학적, 광학적 특성 변화를 x-ray diffraction, photoluminescence 이용하여 조사하였고, 본 연구를 통해 InN박막을 활용한 양질의 GaN 박막 성장 가능성을 확인하였다.

• KDI Journal of Economic Policy
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• v.15 no.2
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• pp.161-179
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• 1993

본고는 생산성(生産性)과 성장률(成長率)간의 누적적(累積的) 성장과정(成長過程)이라 불리는 Kaldor의 축약(縮約)모델을 구조(構造)모델로 확대하여 우리나라의 성장과정을 분석한다. 우리나라는 저임금(低賃金)을 통한 수출주도형(輸出主導型) 경제성장을 추구해 왔으나 87년 이후로 고임금화(高賃金化) 및 수출역할(輸出役割)의 감소(減少)라는 구조적(構造的) 위기(危機)를 겪고 있다. 과거 선진제국에서 고도성장을 가능케 하였던 "포디즘"적 성장체제는 이러한 위기(危機)를 극복하는 데 도움이 안된다. 왜냐하면 오늘날과 같이 국가간 상호의존성(相互依存性)이 크게 증대되고 국가간(國家間) 경쟁(競爭)이 심화되는 상황(globalization)하에서는 국내시장(國內市場)과 해외시장(海外市場)간의 구분 자체가 의미를 잃어가고 있으며, 이에 따라 수출(輸出)과 내수(內需)가 독립적일 수 없게 되었기 때문이다. 우리나라가 어떠한 성장양식으로 이행하든 그 방향은 세계시장에서의 경쟁력강화(競爭力强化)와 일치해야 하며, 이러한 관점에서 고성장(高成長)을 유지하기 위해서는 생산성향상(生産性向上)이 소비증대(小費增大)가 아니라 수출증대(輸出增大)로 이어지도록 해야 할 것이다.

• KDI Journal of Economic Policy
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• v.16 no.3
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• pp.147-178
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• 1994

우리나라 경제(經濟)는 1960년대초 이후 거의 지속적(持續的)인 고도성장(高度成長)을 이룩하여 왔다. 이와 같은 고도성장(高度成長)이 가능하였던 원인(原因)으로서는 1960년대초 이후 수출주도형(輸出主導型) 공업화정책(工業化政策)의 계속적이고 성공적인 추진을 들 수 있으며, 또한 정치적(政治的), 사회(社會) 경제적(經濟的) 여건과 요인들도 고도성장(高度成長)에 기여(寄與)했을 것이다. 본고(本稿)는 인적(人的) 및 물적(物的) 부존자원조건(賦存資源條件)과 그에 따른 자원(資源)의 배분(配分) 및 생산성변화(生産性變化)등과 관련된 우리나라 경제성장요인별(經濟成長要因別) 기여도(寄與度)를 Edward F. Denison의 접근방법에 의해서 추정했으며 1963~92년간을 분석대상으로 하였다. 이 접근방법으로 추정한 1963~82년간에 대한 Kim and Park(1985) 의 측정결과를 수정발표된 국민계정자료(國民計定資料)에 의해서 1972년부터 수정하고 1992년까지 연장추정하였다. 추정결과는, 과거 우리나라의 고도성장요인(高度成長要因)이 구체적으로 무엇이었던가 하는 문제에 대한 해답과, 선진국가(先進國家)의 성장요인(成長要因)과의 비교분석을 통하여 일반적(一般的)인 경제성장과정(經濟成長過程)의 보다 확실한 이해를 위한 자료로서, 또는 우리나라의 장내(將來) 성장잠재력(成長潛在力)을 전망(展望)하는 데 유용한 자료로서 이용될 수 있을 것으로 기대한다.

• KDI Journal of Economic Policy
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• v.28 no.2
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• pp.199-237
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• 2006

The relationship between growth and distribution, which has been revealed through many empirical evidences, is that growth is distribution neutral on average and high asset inequality could be a hindrance of economic growth. The growth versus distribution dichotomy is false, as poverty reduction requires blending policy of growth and distribution both theoretically and empirically. At this present, the pro-poor growth policy, which has been recommended by the World Bank, should be urgently needed in Korea to achieve the reduction of absolute poverty through the harmony between growth and distribution. However, it is not easy to expect the reduction of absolute poverty if the Korean government, in means of reducing absolute inequality, pursues anti-polarization policy. Specifically, we cannot deny the existence of negative correlation between absolute poverty and absolute inequality on average.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.12 no.2
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• pp.63-67
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• 2002

Langasite single crystal was grown by Xenon-arc floating zone method in mixutre of Af and $O_2$ gas atmosphere. Growing and rotation speed were 1.5 much and 15 rPm respectively. The grown crystal had a c-axis and color of orange. Composition of the grown crystal was $La_{3.10}Ga_{4.73}Si_{1.17}O_{14}$. Activation energy of the crystal was 0.23 eV and was PTC characteristics.

• The KIPS Transactions:PartD
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• v.11D no.7 s.96
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• pp.1451-1458
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• 2004

Current software reliability growth models based on Gompertz growth curve are all logarithmic type. Software reliability growth models based on logarithmic type Gompertz growth curve has difficulties in parameter estimation. Therefore this paper proposes a software reliability growth model based on the logistic type Gompertz growth curie. Its usefulness is empirically verified by analyzing the failure data sets obtained from 13 different software projects. The parameters of model are estimated by linear regression through variable transformation or Virene's method. The proposed model is compared with respect to the average relative prediction error criterion. Experimental results show that the pro-posed model performs better the models based on the logarithmic type Gompertz growth curve.