• 제목/요약/키워드: 성장주

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수종 한국산 식용식물의 세포독성 연구 (A Study of Cytotoxicity from Some Korean Edible Plants)

  • 정하숙
    • 한국식품조리과학회지
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    • 제15권2호
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    • pp.108-113
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    • 1999
  • 참마(Dioscorea japonica Thunb.), 달개비(Commelina communis L.) 전초, 하늘타리(Trichosanthes kiri1owii Max.) 및 둥굴레(Polygonatum odoratum var. Plurifloum Ohwi) 뿌리의 MeOH 추출물과 petroleum ether/diethyl ether 및 EtOAc 가용성 용매분획물을 인체 폐암 및 난소선암세포주에 적용하여 암세포주 성장율을 측정하였다. 실험 결과 하늘타리 뿌리의 MeOH 추출물이 인체 폐암 및 난소선암세포주에 대해 모두 강한 성장억제를 보여주었으며 40$\mu\textrm{g}$/ml의 농도에서 30% 이하의 성장율을 나타내었다. 다음으로 용매분획물에 대한 세포독성은 하늘타리의 EtOAc 가용성 분획물에서 폐암과 난소선암세포주에 대한 성장억제율이 30% 이하로 매우 높게 나타나고 있으며, 참마의 EtOAc 가용성 용매분획물이 인체 폐암세포주에 대하여 30% 이하의 높은 성장억제를 나타내고 있다. 그밖에 달개비 전초의 EtOAc 가용성 분획물이 인체 폐암세포주에 대해 30%에서 60%의 성장율을 나타내고, 둥굴레 뿌리의 petroleum ether/diethyl ether 및 EtOAc 분획물이 인체 난소선암세포주에 대해 동일한 정도의 성장율을 보여주고 있다. 이상의 결과를 통해 한국산 야생식용식물로 부터 세포 독성작용을 갖는 새로운 식품 개발의 가능성을 확인할 수 있었을 뿐 아니라, 이를 위한 지속적인 연구로서 폐암 및 난소선암세포주에 대한 세포독성 작용이 가장 강하게 나타난 하늘타리 및 참마의 EtOAc 용매 세분획물을 이용하여 활성이 높은 순수 물질을 분리하므로 추후 새로운 항암활성 물질 연구를 위한 후보식물로서의 개발가능성을 보여주었다.

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서울산전(주)

  • 한국전기제품안전협회
    • 제품안전
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    • 9호통권153호
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    • pp.46-47
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    • 2006
  • 1993년에 설립된 서울산전(주)는 차단기, 배선기구 전문제조업체로 배선용 차단기, 누전차단기, 주택용 분전반 등을 제조하는 소규모 공장에서 출발하여 이제는 관련분야 선두기업으로 성장하였다. 일관된 정책과 철저한 경영방침으로 목표달성에 노력하며 그 동안의 축적된 노하우와 철두철미한 관리로 안정된 바탕위에 꾸준한 성장을 거듭하여 미래지향적 기업으로의 도약을 꿈꾸고 있다.

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업체탐방 - (주)삼양애니팜

  • 최인환
    • 월간양계
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    • 제45권3호
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    • pp.96-99
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    • 2013
  • 최근 축산업의 가장 큰 관심사는 산지거래가격하락과 함께 질병예방이다. 반복되는 AI와 구제역으로 축산인들뿐 아니라 축산관련업체들 또한 그 어려움을 함께하고 있다. 한국동물약품협회에 따르면 수출은 40%가 증가해 1억달러를 돌파했으나 내수시장은 0.4%의 성장률을 기록하는데 그쳤다. 내수시장 성장 정체속에 친환경 무항생제 제품과 공격적인 R&D 투자로 매년 시장점유율을 높이고 있는 (주)삼양애니팜(대표이사 민필홍)을 소개코자 한다.

집중안전포커스 - 안전이 뒷받침 될 때 회사가 성장한다 -(주)싸이니티-

  • 연슬기
    • 안전기술
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    • 제166호
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    • pp.15-17
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    • 2011
  • (주)싸이니티는 시스템 창호와 커튼을 설계 생산 그리고 시공하는 업체다. 즉 제조업의 성격을 갖고 있는 전문건설업체인 것. 지난 1999년 설립된 이곳은 10년이 조금 넘는 짧은 역사에도 불구하고 관련 업계에서 우수한 기술력과 시공능력으로 명성이 자자하다. 포스코건설, SK건설, 대우건설, 삼성건설 등 국내 대표 1군 건설사들이 이곳의 주 협력사일 정도. 이런 역량에 힘입어 이곳은 최근 건설불경기로 숱한 전문건설업체들이 쓰러져 갈 때도 홀로 성장을 거듭해왔다. 이곳의 이같은 거침없는 성장의 비결은 무엇일까? 그 해답은 '빈틈없는 안전관리'에서 찾을 수 있다. 우선적으로 근로자들이 안심하고 직업에 전념할 수 있는 환경을 조성함으로써 이를 바탕으로 기술력과 생산성을 극대화한 것이다 안전으로 주거문화의 수준을 한차원 높이는 전문건설사가 되겠다는 (주)TK이니티의 경기 안산 본사와 인천 송도 현장을 찾아가 봤다.

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105호 자랑스런안전인 - 안전이란 생활속에 스며드는 것 _(주)고산 장혁 팀장

  • 김성대
    • 안전기술
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    • 제155호
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    • pp.18-19
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    • 2010
  • (주)고산(1996년 제일공조부품(주)에서 상호변경)은 국내외에서 알아주는 자동차 및 가전기기 부품 생산업체다. 국내외 대형 공조기 업체들의 협력시인 이곳은 국내 5대 자동차 회사는 물론 해외 주요 자동차 회사에 자동차용 Radiator, Condenser, Cooling module을 생산 납품하고 있다. 또한 국내 2대 가전회사에는 에어컨 Condenser를 생산해 공급하고 있다. 1988년 설립이후 꾸준한 기술개발과 판로 개척을 해 온 이곳은 그간 성장에 성장을 거듭 현재는 미국 중국 등지에 8개의 법인을 가진 중견기업으로 우뚝 섰다. 실제 지난해 매출만도 1,455억원(해외법인 포함)에 달할 정도이다. 이처럼 업력 20년을 갓 넘긴 기업이 알짜기업으로 거듭날 수 있었던 이유는 무엇일까? 이에 대해 이곳의 임직원들은 철저한 안전관리를 일순위로 꼽는다. '사고 없는 안전한 작업환경'과 '건강한 근로자라는 인프라가 회사의 성장을 이끌고 있다는 것 이런 우수한 환경이 조성된 데에는 안전 환경 등의 업무를 맡고 있는 경영지원팀의 힘이 크다. 특히 그중에서도 일등공신은 팀을 이끌고 있는 장혁 팀장이라 할 수 있다. 일반시설안전관리자 방화관리 1급 등 다양한 환경안전분야 자격증을 가지고 있는 그는 전문가로서의 폭넓은 지식과 풍부한 경험을 바탕으로 회사의 안전을 선두에서 진두지휘하고 있다 안전을 통해 회사의 청사진을 그려내고 있는 그를 만나봤다.

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전기도금법에 의해 제작된 CIS 광흡수층의 Na첨가량에 따른 특성 (Properties of CIS Absorber Layer by Electrodeposition with Na Addition)

  • 장명제;이규환;김명한
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2015년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.258-259
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    • 2015
  • $CuInSe_2$(CIS)층에 Na의 첨가는 태양전지 셀의 효율을 향상시키는데 도움을 주는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 Na이 없는 코닝 유리 기판에 Mo/Mo-Na 이중 박막을 후면 전극으로 이용하여 CIS층의 Na소스로 작용하도록 하였다. CIS/Mo/Mo-Na 다층 박막을 제조한 후, AES분석을 통해 Na은 Mo/Na층과 CIS층의 계면과 CIS층의 표면에 주로 분포하는 것을 알 수 있었다. XRD분석을 통해서 Na함량이 증가할수록 Mo박막의 우선성장면 (110)면의 피크는 감소하였고, CIS의 우선 성장면인 (112)면은 점차 증가하여 Mo-Na층이 200 nm일 때, 최댓값을 가지고 이후로는 감소하는 경향을 보인다. CIS의 결정은 기판에 수직인 방향으로 덴드라이트 성장을 한다. Mo-Na층이 200 nm까지는 밀도가 높은 결정이 성장되지만, 그 이상으로 Na농도가 증가하면 결정 입자의 크기는 다소 성장하지만 밀도가 현저하게 감소한다. 이 결과들로 보아 CIS층의 Na농도조절은 Mo/Mo-Na 이중층의 두께조절을 통해 가능하며, Na이 CIS층에 초과되어 첨가되면 특성이 저하된다.

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새해기상도: 경제성장률 4% 대로 둔화, IT제조업이 전체 성장 주도 -2011년 경제 및 산업 전망

  • 한국광학기기협회
    • 광학세계
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    • 통권131호
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    • pp.14-17
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    • 2011
  • 산업연구원에서 발표한 '2011년 경제 산업 전망'에 따르면 우리나라의 2011년 경제성장은 전년도 6%대 성장보다 다소 둔화되어 연간 4.3% 정도의 성장이 전망된다. 수출은 세계경제 성장세 둔화, 환율 하락 및 주요업종의 경쟁격화 등으로 10% 내외로 성장률이 둔화될 전망이고, 수입 역시 전년도 비해 크게 둔화될 것이나 내수 경기 회복, 국제 원자재 가격 상승 등으로 14% 내외의 증가가 예상된다. 2011년 산업분야에서 내수와 수출 둔화로 대부분의 업종에서 생산이 둔화될 전망이 가운데 상대적으로 수출 호조인 IT 산업군이 제조업 생산을 견인할 전망이다. 10대 주력산업의 수출은 8.7%로 증가세가 둔화될 전망이다.

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포장과 법률 - 저탄소 녹색성장 기본법 시행령

  • 대통령직속 녹색성장위원회
    • 월간포장계
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    • 통권205호
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    • pp.91-109
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    • 2010
  • 정부는 지난 달 6일 국무회와해서 "저탄소 녹색성장 기본법 시행령" 제정(안)을 의결하였다. 이번 시행령은 작년 12월 29일 국회를 통과한 "저탄소 녹색성장 기본법"에서 위임한 사항과 그 시행에 관하여 필요한 사항을 규정한 것으로 총 7개장, 44개 조문으로 구성되어 있다. 금번 시행형 제정은 저탄소 녹색성장을 위한 법령상의 체계를 정비하였다는 것뿐만 아니라, 법에서 규정한 각종 지원제도와 지난해 발표한 중기 감축목표의 이행을 뒷받침할 수 있는 제도적 틀을 마련하였다는 점에서 큰 의의가 있는 것으로 평가되고 있으며 이를 통해, 실행모드에 진입한 녹색성장이 더 큰 탄력을 받을수 있을 것으로 기대되고 있다. 본 고에서는 주요 내용과 함께 시행령에 대해 살펴보도록 한다.

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SPECIAL 3 SURVEY - '성장'과 '복지'의 선순환 관련 설문 조사

  • 한국시멘트협회
    • 시멘트
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    • 통권194호
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    • pp.14-15
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    • 2012
  • 현대경제연구원은 지난 5월 16일부터 23일까지 8일 동안 전국 20세 이상의 성인남녀 1,011명을 대상으로 전화설문을 통해 "성장과 복지의 선순환 관련 설문 조사"를 실시하고 그 결과를 최근 발표했다. 설문조사 결과 성장과 복지 중 '성장이 우선'이라는 답변(58.0%)이 많았지만 세대간 차이가 뚜렷하게 나타났다. 2030세대는 '복지가 우선'이라는 응답이 많았으나 40세 이상은 '성장이 우선'이라는 답변이 많았다. 성장과 복지 둘 다 중요하며 함께 갈 수 있다는 의견에 대해서는 '가능하다'는 긍정적인 의견이 77.0%로 부정적인 견해(23.0%)보다 훨씬 많았다. 여기서는 이번 조사결과의 주요 내용을 요약해 소개한다.

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Effect of nitridation of sapphire in $NH_3$ ambient on GaN grown by MOCVD

  • 송근만;김동준;문용태;박성주
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.115-115
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    • 2000
  • Wide band gap을 갖는 III-V족 반도체인 GaN는 파란색에서 자외선영역에 이르는 발광소자용으로, 그리고 최근에는 전자소자로도 가장 유망한 반도체 중의 하나이다. 하지만 격자상수가 일치하는 적당한 기판이 존재하지 않아 성장된 GaN 박막 내에는 많은 결함들이 존재하게 된다. 일반적으로 가장 널리 쓰이는 기판은 사파이어 기판이 주로 이용되고 있는데 사파이어는 GaN와 격자상수 불일치가 16%에 이르므로 고품질의 GaN 박막을 성장시키기 위해서는 격자상수 불일치를 어느 정도 완화시키면서 초기성장과정의 컨트롤이 매우 중요하다. 이러한 방법들로는 GaN박막 성장 전에 사파이어 기판 질화처리를 하거나 buffer 층을 도입하는 것인데, 이에 관한 많은 연구들이 보고되고 있다. 하지만 각각 두 공정에 관한 연구는 많이 되어 있지만 두 공정사이를 연결해 주는 공정처리법에 관한 연구는 보고되고 있지 않다. 따라서 본 연구에서는 사파이어기판 질화처리를 한 후 buffer 층을 성장시키기 전까지 chamer 내부의 분위기 가스가 GaN 박막성장 거동에 어떤 영향을 주는지에 관해 연구하였다. 질화처리 후 chamber 내부의 분위기 가스가 GaN 박막 성장 거동에 미치는 영향을 연구하기 위하여 두 개의 시편 A,B를 준비하였다. 시편 A는 먼저 사파이어 기판을 유기용매를 이용하여 cleaning 한 후 장비에 장입되었다. 수소분위기하에서 10nsrks 104$0^{\circ}C$에서 가열한 후 30초간 암모니아 유속을 900sccm으로 유지하며 사파이어 기판 질화처리를 수행하였다. GaN buffer 층을 성장하기 위하여 104$0^{\circ}C$에서 56$0^{\circ}C$로 온도를 내리는 과정중 질화처리를 위하여 흘려주었던 암모니아 유속을 차단한 채 수소분위기에서만 온도를 내렸다. 56$0^{\circ}C$에서 GaN buffer 층을 300 성장시킨 후 102$0^{\circ}C$의 고온에서 2$\mu\textrm{m}$ 두께로 GaN 박막을 성장하였다. 시편 B는 질화처리 후 단계부터 GaN 박막성장 단계에 이르기까지 AFM을 이용하여 두 시편의 성장거동을 비교 분석하였다. 두 시편의 표면을 관찰한 결과 시편 A는 2차원적 성장을 하며 매우 매끄러운 표면을 갖는데 반해, 시편 B는 3차원적 성장을 하며 매우 거친 표면을 보였다. 또한 두 시편 A, B를 XRD, PL, Hal 측정으로 분석한 결과 시편 A가 시편 B보다 우수한 구조적, 광학적, 전기적 특성을 보였다.

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