• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.8 no.3
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• pp.518-523
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• 1998

The fracture toughness and hardness of 62 %$SiO_2-19%ZrO_2-9%Na_2O-10%B_2O_3$(wt%) glass ceramics system were investigated. As a result of DTA study to find crystallization temperature, an exothermic peak near $820^{\circ}C$ was observed. The optimum nucleation temperature and the optimum crystal growth temperature were determined by XRD and SEM analysis, and were approximately $650^{\circ}C$, $840^{\circ}C$ respectively. The fracture toughness of this zirconia glass ceramics was determined by Vickers Indentation Method. The hardness value was not changed with increasing of the heat treatment temperature, but fracture toughness value was increased up to $1.8 MPa{\cdot}m^{1/2}$ at $840^{\circ}C$, with increasing of heat treatment temperature.

• Korean Journal of Environment and Ecology
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• v.37 no.3
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• pp.192-197
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• 2023

This study was conducted to determine whether the difference in egg hatching temperature of Korea Reeves' turtle (Mauremys reevesii) at the artificial nursery of Seoul National Grand Park affects the incubation period and growth. A total of 201 eggs were incubated at 26 ℃ (n=89), 28 ℃ (n=75) and 32 ℃ (n=37). The incubation period of eggs showed significant differences according to the hatching temperature. In this study, the higher the hatching temperature, the higher the hatching rate. The incubation period of the eggs hatched at 26 ℃, 28 ℃ and 32 ℃ was 66.1 (±4.0, n = 52) days, 65.3 (±3.3, n = 44) days and 58.8 (±7.7, n = 31) days, respectively. Eggs incubated at 32 ℃ (83.8%) had a higher hatching success than those at 26 ℃ (58.4%) and 28 ℃ (58.7%). The body mass of 14-day-old hatchlings incubated at 32 ℃ was greater than those incubated at 26 ℃ and 28 ℃. However, there was no significant difference in the mean body mass of 180 and 270-day-old turtles hatched at these different temperatures. This study showed that the hatching temperature significantly affected the incubation period and body mass in the early life of the Korea Reeves' turtle (M. reevesii).

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.289.2-289.2
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• 2014

본 연구에서는 전기증착법 정전류 방법으로 ITO 유리기판 위에 ZnO 나노막대를 성장하였다. 성장 매개 변수로 용액 농도, 전착 전류, 용액 온도 및 성장 시간으로 하였고, 성장된 ZnO 나노막대는 field-emission scanning electron microscopy, X-ray diffractometer, photoluminescence를 이용하여 구조적, 광학적 특성을 분석하였다. 모든 시료에서 ZnO 나노막대는 wurtzite 형태의 결정 구조를 가지고, c-축 배향성을 나타내는 강한 ZnO(002) 회절피크가 나타났다. 용액 농도와 전착 전류가 감소함에 따라 ZnO 나노막대의 밀도 및 직경이 감소하였다. 또한, ZnO 나노막대는 성장 온도가 증가함에 따라 직경이 줄어들었고, 성장 시간이 증가함에 따라 ZnO 나노막대의 길이는 늘어났다. 모든 ZnO 나노막대 시료는 자유 엑시톤 재결합에 의해서 3.18 eV, 산소공공에 의한 결함에 의해서 2.32~1.86 eV의 피크가 관찰되었다. ZnO 나노막대의 직경이 작아질수록 NBEE 피크의 세기가 감소하고, 용액의 농도가 증가함에 따라 NBEE 피크는 청색편이 하였다.

• The Korean Journal of Malacology
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• v.14 no.1
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• pp.9-17
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• 1998

동해 연안에서 채취된 뷔나스백합(Mercenaria stimpsoni)의 연령과 성장률을 이매패의 표면에서 확인된 연륜과 이매패 각질에서 분석된 산소동위원소비의 성장에 따른 변화를 이용하여 비교하였다. 뷔나스백합의 산소동위원소상은 일련의 주기적인 변화를 뚜렷하게 보여주며 이러한 변화진폭은 이매패가 성장한 해수의 온도변화에 일차적으로 제어된다. 산소동위원소상의 주기화 연륜의 관계로부터 뷔나스백합의 연륜이 해마다 여름철에 형성됨을 보여준다. 해수 온도의 계절적 변화와 산소동위원소비에서 얻어진 예측 온도와의 비교로부터, 뷔나스백합은 겨울철에 성장이 멈추는 것으로 사료된다. 또한 산소도위원소비는 뷔나스백합의 성장에 따른 전형적인 노화현상을 보여준다. 따라서 이매패가 성장하는 해수의 물리화학적 조건에 의해 제어되는 산소동위원소비는 뷔나스백합의 경우 연령과 성장률을 측정하는 독립적인 시간 척도가 될 수 있다.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.1 no.1
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• pp.19-28
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• 1990

6H-SiC is a promising material (Eg=3.0eV) for blue light-emitting doide and high-temperature semiconducting device. In the experiment, single crystals of a-SiC have been grown by the sublimation method to fabricate blue light~emitting diode. During the growth of a-SiC single crystals, a temperature Vadient, yonh temperature and pressure ranges were kept 44℃/cm , 1800-1990℃ and 50-1000 mTorr, respectively. Single crystals obtained in Acheson furnace were used as seed crystals. Polarizing microscopy and back-reflection X-ray Laue diffraction showed that the a-SiC crystal was epitaxially and on the seed crytal. It was found by XRD analysis that when other growth conditions were the same, a-SiC was grown at the temperature above 1840℃ and 3C-SiC was gown at lower temperature or under low supersaturation of vapor. The carrier type. concentration and mobility were measured be hole(p-type), 7.6x1014cm-3 and 19cm2V-1sec-1, respectively, by van der Pauw method.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• v.9 no.1
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• pp.990-994
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• 2005

MBE growth conditions such as growth temperature, flux ration and growth rate for II-VI compound semiconductor growth has been studied. The growth temperature, flux ration and growth rate were tentatively controlled to 290$^{\circ}C$, 2, and 0.6 ${\mu}m$/h, respectively. From AFM result, relatively rough surface (RMS ${\sim}$ 2.9 nm) was observed. It was regarded as an indication of low growth temperature and high growth rate. XRD measurement shows that the film is relaxed, also the series of XRD measurements of different diffraction planes such as (002), (004), (115), (006) diffractions were performed to calculate the dislocation density in the film. The calculated dislocation density was found to be 8.30${\times}10^8$ dis/cm$^2$ which is compatible to the previous results.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.6 no.1
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• pp.61-68
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• 1997

We examined the dependence of the growth of undoped InP epilayer by chloride vapor phase epitaxy on the growth temperature and on the $PCl_3$molar fraction. The growth temperature was varied from $620^{\circ}C$ to $650^{\circ}C$ and the $PCl_3$molar franction from $2.5{\times}10^{-2}$ to $4.5{\times}10^{-2}$. The undoped InP epilayer with hillock free surface was obtained at the growth temperature of $640^{\circ}C$ and at the PCl$_3$molar fraction of $3.0{\times}10^{-2}$. The surface morphology was improved with a decrease of the PCl$_3$molar fraction. The carrier concentration measured by Hall and ECV was less than $1{\times}10^{14}cm^{-3}$. The resistivity of the undoped InP epilayer, measured by using four probe method, showed a high value of <$3.0{\times}10^6{\Omega}\textrm{cm}$.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.3 no.1
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• pp.122-129
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• 1994

MWPECVD법으로 CH3CHO-H2 계와 CH4-H2-O2 계로부터 Si 기판 위에 다이아몬드박막을 성장 시키고 성장된 박막을 SEM XRD 및 Raman 분광기로 평가하고 박막과 입자의 성장률을 조사하였다. 마이크로 판전력 950W 반응관압력 80torr 수소유량 200sccm 기판온도 95$0^{\circ}C$ 및 CH3CHO농도 3.5%로 5시간 성장시킨 다이아몬드의 박막성장율은 $4mu$m/hr가 되어고 12%$960^{\circ}C$로 Si기판 위에 5시간 성장시킨 다이아몬드의 박막성장율은 3.2$\mu$m/hr가 되었다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.38 no.1
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• pp.28-33
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• 2001

WC-6%Co 소결체를 열처리할 때 발생하는, 시편 표면에서의 급격한 입자 성장 거동을 열처리 분위기를 변수로 하여 관찰하였다. 열처리 분위기로 수소와 메탄을 각각 사용하였고, 온도는 1400~145$0^{\circ}C$, 압력은 1~3 Torr, 그리고 시간은 100분까지 변화시켰다. 표면에서의 입자 성장은 수소 분위기보다 메탄 분위기를 사용하는 경우 훨씬 빠르게 일어났다. 그리고 열처리 온도가 증가할수록, 압력이 감소할수록 입자 성장 속도가 증가하였다. 이때 성장한 입자의 크기 분포는 비정규 분포를 보였다. 한편, 입자 성장은 열처리시 증발하는 시편의 Co 무게 감소와 밀접한 관계를 보였다. 이러한 표면에서의 입자 성장 현상을 열처리한 조건과 관련되어 WC-Co 상태도에서 예측할 수 있는, 탈탄-탄화 반응 및 비정상 입자 성장 현상 관점으로 설명하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.04a
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• pp.163-164
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• 2007

ZnO 박막의 결정질을 향상시키기 위해 고온에서 RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 성장시켰다. 성장온도가 증가 할수록 박막의 결정질이 향상 되는 것을 TEM과 XRD 결과로 확인할 수 있었다. 또한 성장온도가 증가 할수록 박막의 표면 형상이 three-dimensional islands 구조를 가지며, grain size와 표면 거칠기가 증가 하는 것을 관찰 할 수 있었다. 위의 실험 결과로 우리는 RF 스퍼터링 방법으로 고온성장하여 ZnO 박막의 결정질을 향상시켰다.