• Title/Summary/Keyword: 성장도

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수정(修正)된 Jones모형(模型)을 이용(利用)한 한국(韓國)의 성장요인(成長要因) 분해(分解)

  • Lee, Chang-Su
    • KDI Journal of Economic Policy
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    • v.21 no.2
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    • pp.105-145
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    • 1999
  • Romer류의 내생적 성장모형과 신고전학파의 성장모형을 통합한 Jones(1997, 1998a)에 의하면 장기균형성장요인의 기여도가 예상보다 작고 여러 단기요인의 성장기여도가 큰 것으로 나타났다. 본고에서는 기술이용능력과 모방노력의 개념을 도입하여 Jones모형을 수정하고 이를 이용하여 한국의 성장요인을 분해한다. 이에 따르면 대GDP 투자비중, 연구인력비율 및 취업자 교육연수의 증가 등 이행경로상의 단기요인이 지난 30년간의 노동생산성 증가의 78%를 설명하고 있으며 균형성장경로 요인의 기여도는 22%에 지나지 않는다. 자본축적의 뒤를 이어 R&D 투자 등 새 단기요인의 역할이 증대되면서 우리나라의 경제성장률이 크게 하락하지 않을 것으로 예상된다.

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Development of the Roadmap of Water and Green Growth (물과 녹색성장을 위한 로드맵 구축)

  • Lim, Kwang-Suop;Chae, Hyo-Sok;Lim, Jeong-Yeol;Shin, Yee-Sook
    • Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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    • 2011.05a
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    • pp.454-454
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    • 2011
  • 녹색성장은 최근 세계적인 이슈가 되고 있다. 세계물위원회(World Water Council, WWC)의 경우 2012년 마르세유에서 개최되는 제6차 세계물포럼(World Water Forum, WWF)에서 물문제 해결을 위한 신개념 패러다임으로서 '녹색성장(Green Growth)'을 채택하기 위한 협력방안의 필요성을 제안하고 있다. 우리나라에서는 이미 녹색성장을 국가 슬로건으로 선정하고 글로벌 녹색성장연구소(Global Green Growth, GGGI)를 설립하는 등 녹색성장을 선도하고 있다. 이는 물의 중요성에 비추어볼 때 녹색성장을 물 분야에 확산시킬 수 있는 적절한 기회로 보인다. 녹색성장은 물 관련 환경서비스가 환경오염 없는 경제성장을 이룩하는 데 주요한 역할을 수행할 수 있다는 가능성과 당위성에서 파생된 최근에 만들어진 개념으로서, 물 분야의 경우 녹색경제에 있어서 중요한 역할을 수행해왔으며 이후 지속적인 인구증가, 물 소비패턴의 변화, 에너지비용 증가, 기후 변화 등으로 물 분야의 중요성은 더욱 커질 것으로 기대된다. 이처럼 물 관리는 경제발전, 재해로부터 보호, 인간의 건강 및 생태계와 삶의 질을 위하여 필수적이기에 녹색성장에 있어 중요한 역할을 수행하고 있다. 하지만 올바른 물 관리가 녹색성장에 기여할 수 있는 방법에 대해서는 아직 명확화 구체화되지 못하고 있는 실정이다. 이에 따라 녹색성장을 새로운 국가 성장 동력의 패러다임으로 구축하기 위해 수자원분야에서의 녹색성장방법론을 정립하고, 선진국과 개도국 정부들의 균형 있는 참여를 통한 글로벌 파트너십 구축이 요구되고 있으며, 이를 세계물위원회 등 국제기구와 공동으로 연계시킨다면 상당한 시너지 효과가 기대된다. 물관리는 국가의 경제발전, 재해로부터 생명과 재산의 보호, 인간의 건강 및 생태계 다양성 및 건전성 유지와 삶의 질을 향상을 위하여 매우 중요하며, 환경보존과 경제성장을 동시에 추구하는 녹색성장을 실현하는 데 있어서도 가장 핵심적인 사항이라고 할 수 있다. 그러나 올바른 물 관리가 녹색성장에 기여할 수 있는 방법에 대해서는 아직 명확하고 구체화 되지 못하고 있는 실정이다. 따라서 본 연구에서는 '물과 녹색성장'의 이론적 배경, 필요성, 개념정립, 벤치마킹 사례, 국제사회에서의 녹색성장과 관련한 논의 기구 및 흐름 등의 이해를 기초로 녹색성장을 통한 경제성장의 상호작용과 선순환구조를 체계화시키기 위한 균형방안을 제시하고자 한다. 또한 수자원 및 하천관리 분야에서의 WGG구현을 위한 정책제안 및 실행방안이 담긴 중장기 로드맵을 구축하여 물을 통한 성장의 발판을 마련하고자 한다.

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플라즈마 분자선 에피택시 법으로 다공질 실리콘에 성장한 ZnO 박막의 열처리 온도에 따른 구조적 및 광학적 특성

  • Kim, Min-Su;Im, Gwang-Guk;Kim, So-A-Ram;Nam, Gi-Ung;Lee, Dong-Yul;Kim, Jin-Su;Kim, Jong-Su;Im, Jae-Yeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.08a
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    • pp.247-247
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    • 2011
  • 플라즈마 분자선 에피택시(plasma-assisted molecular beam epitaxy)법을 이용하여 다공질 실리콘(porous silicon)에 ZnO 박막을 성장하였다. 성장 후, 아르곤 분위기에서 10분 간 다양한 온도(500~700$^{\circ}C$)로 열처리하였다. 다공질 실리콘 및 열처리 온도가 ZnO 박막의 특성에 미치는 영향을 scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL)을 이용하여 분석하였다. 실리콘 기판에 성장된 ZnO 박막은 일반적은 섬구조(island structure)로 성장된 반면, 다공질 실리콘에 성장된 ZnO 박막은 산맥과 같은 구조(mountain range-like structure)로 성장되었다. 열처리 온도가 증가함에 따라 ZnO 박막의 grain size는 증가하였다. 실리콘 기판 위에 성장된 ZnO 박막은 wurtzite 구조를 나타내는 여러 개의 회절 피크가 관찰된 반면, 다공질 실리콘에 성장된 ZnO 박막은 c-축 배향성(c-axis preferred orientation)을 나타내는 ZnO (002) 회절 피크만이 나타났다. 다공질 실리콘에 성장된 ZnO 박막의 구조적 및 광학적 특성이 실리콘 기판에 성장된 ZnO 박막의 특성보다 우수하게 나타났다. 뿐만 아니라, 열처리 온도가 증가함에 따라 다공질 실리콘에 성장된 ZnO 박막의 PL 강도비(intensity ratio)가 실리콘 기판에 성장된 ZnO 박막의 강도비보다 월등하게 증가하였다.

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Growth responses to growth hormone therapy in children with attenuated growth who showed normal growth hormone response to stimulation tests (성장호르몬 자극검사가 정상인 성장 장애 소아 환자에게서 성장호르몬 투여에 따른 성장속도의 변화)

  • Kim, Jae-Hyun;Chung, Hye-Rim;Lee, Young-Ah;Lee, Sun-Hee;Kim, Ji-Hyun;Shin, Choong-Ho;Yang, Sei-Won
    • Clinical and Experimental Pediatrics
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    • v.52 no.8
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    • pp.922-929
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    • 2009
  • Purpose : The aim was to investigate the clinical characteristics and responses to growth hormone (GH) therapy in children with attenuated growth who showed normal GH responses to GH stimulation tests (GHST). Methods : The study included 39 patients with height velocity (HV) of less than 4 cm/yr and normal GHST results. Clinical characteristics of patients were analyzed retrospectively. Results : Eleven were born as small for gestational age (SGA) and 28 as appropriate for age (AGA). In the SGA group, the standard deviation score (SDS) of age and height measured at their first visit was significantly low. Sixteen patients were treated with GH and six of 23 without GH therapy were followed for 1 year after GHST. The mean (range) of HV was 7.7 (4.9 to 11.1) cm/yr in patients with GH therapy and 3.7 (2.7 to 4.5) cm/yr in those without GH therapy, which was statistically significant (P<0.001). In the GH-treated group, HV and difference in height SDS during the treatment increased significantly (P<0.001; P< 0.001, respectively). HV increased after 1 year of GH therapy in the SGA and AGA groups (SGA, P=0.043; AGA, P=0.003). The level of Insulin-like growth factor-I was significantly lower in GH-treated patients with height SDS <-3 than those with ${\geq}3$ (P=0.023). Conclusion : In children with growth failure and normal GHST, HV increases significantly by short-term GH therapy. The assessment of long-term effects of GH therapy is necessary. Moreover, further studies should be considered to evaluate the GH-IGF-I axis due to the possibility of GH insensitivity syndrome.

사육조건에 따른 기수재첩 유생의 성장과 생존

  • 김완기;이채성;이정용;허성범
    • Proceedings of the Korean Aquaculture Society Conference
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    • 2003.10a
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    • pp.99-99
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    • 2003
  • 1. 수온과 염분에 따른 부유유생의 성장과 생존율. 유생의 수온별 사육실험 결과, 3$0^{\circ}C$에서는 실험시작 6일 후 모두 폐사하였으며, 18$^{\circ}C$에서는 높은 생존율에 비하여 늦은 성장을 보였다. 24$^{\circ}C$와 27$^{\circ}C$에서 빠른 성장을 보였으나, 27$^{\circ}C$에서는 성장에 비하여 낮은 생존율을 보였다. 염분에 따른 유생의 사육시험 결과 0$\textperthousand$에서는 실험시작 10일 후 모두 폐사 하였으며, 성장은 6~9$\textperthousand$, 생존율은 3$\textperthousand$에서 가장 높게 나타났다. 2. 수용밀도에 따른 부유유생의 성장과 생존율. 유생의 수용밀도에 따른 사육실험 결과, 1$m\ell$당 1~5 개체의 저밀도에서는 성장과 생존율이 양호하였으며, 50개체/$m\ell$의 고밀도에서는 성장과 생존율이 낮았으며, 실험시작 12일째에 모두 폐사하였다. 3. 먹이생물 종류 및 공급량에 따른 부유유생의 성장과 생존율. 식물 먹이생물에 따른 유생사육 실험 결과, 혼합 공급구가 가장 빠른 성장을 보였으며, 단일 공급구에서는 I. galbana, P. lutheri, C. calcitrans 순으로 비슷한 성장을 보였으며, Chlorella sp.는 가장 늦은 성장을 보였다. 생존율 또한 혼합구가 가장 높고 I. galbana, P. lutheri, 가 비슷한 반면, Chlorella sp. 실험구가 가장 낮았다. 공급량에 따른 사육 실험에서는 먹이 공급량이 많을수록 유생의 성장은 양호하였으나, 8일 이후 50,000 cell/$m\ell$ 밀도에서 전량 폐사하였다. 실험 종료시인 12일째에는 20,000 cell/$m\ell$ 밀도에서 가장 빠른 성장과, 10,000 cell/$m\ell$ 밀도에서 높은 생존율을 보였으며, 5,000 cell/$m\ell$ 밀도에서는 성장과 생존율이 낮았다. 따라서 유생사육을 위한 기수재첩의 먹이생물의 밀도는 10,000~20,000 cell/$m\ell$가 효과적이었다.

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A study on SiC crystal growth by sublimation process using resistance heating method (저항가열 방식을 적용한 승화법에 의한 SiC 결정 성장에 대한 연구)

  • Kang, Seung Min
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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    • v.25 no.3
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    • pp.85-92
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    • 2015
  • SiC crystals are well known for their true potential as high power devices and their crystal growth activity is actively carried out in domestic as well as in abroad. Until now the process to grow this crystal has been done by sublimation technique using radio frequency induction heating method. However in order to get better quality of SiC crystals, the stability of temperature is needed because SiC crystal tends to transform to other polytypes. So, the possibility of SiC crytals growth was evaluated by different heating method. This study aimed to observe whether the resistant heating method would show stable growth and better quality of SiC single crystal than that of RF induction heating. As a result, polycrystalline SiC crystals were grown by the growth rate of 0.02~0.5 mm/hr under the condition of $2100{\sim}2300^{\circ}C$ at the bottom side of the crucible and 10~760 torr. The polycrystalline SiC crystals with 0.25 and 0.5 mm in thickness were grown successfully without seed and characterized by optical stereo microscopic observation.

Growth of GaN epilayer on the Si(001) substrate by hot wall epitaxy (Si(001) 기판 위에 HWE 방법으로 성장한 GaN 박막 성장)

  • Lee, H.;Youn, C.J.;Yang, J.W.;Shin, Y.J.
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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    • v.9 no.3
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    • pp.273-279
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    • 1999
  • The home-made hot wall epitaxy (HWE) system was utilized for GaN epitaxial layer growth on the Si(001) substrate. It was appeared that GaN epilayer grow with mixed phase of Zinc blende and Wurtzite structure from photoluminescence (PL) and x-ray diffraction (XRD) analysis at the room temperature. We found that intial growth layer has Wurtzite structure from photoluminescence (PL) and x-ray diffractio (XRD) analyses at the room temperature. Wefound that initial growth layer has Wurtzite structure when initial deposition time, the temperature of substrate and source are 4 min, $720^{\circ}C$ and $860^{\circ}C$ respectively, and at the epi growth process GaN, epilayer was grown with relatively stable Wurtzite structure when the temperature of substrate and source are $1020^{\circ}C$ and $910^{\circ}C$ respectively.

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Column 1 - 녹색산업 거품인가 차세대성장동력인가 - 녹색성장을 준비하는 시나리오

  • Yang, Seung-Hyo
    • The Magazine for Energy Service Companies
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    • s.60
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    • pp.26-29
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    • 2009
  • 녹색성장은 저탄소 및 녹색산업화에 기반을 두고 경제성장력을 증대시키는 신성장 개념이다. $CO_2$ 발생량을 줄이고, 녹색기술, 친환경적 비즈니스를 신시장을 창출함으로써 경제성장의 원동력을 확보한다는 것이다. 이때 녹색산업이 투자 가치면에서 얼마큼 큰 부가가치를 발생할지는 예상하기 어렵지만, 단단한 시나리오를 준비하고 투자해나간다면 미래 성장원동력으로 자리할 것이다.

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대.중소기업 동반성장 - 상생 파트너 형성이 동반성장 이끈다

  • 대한설비건설협회
    • 월간 기계설비
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    • s.244
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    • pp.45-56
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    • 2010
  • 정부가 국정 하반기 정책기조를 대기업 중심에서 중소기업 중심으로 변경하면서 원칙을 강조하는 수준을 넘어 실질적인 상생 규제 정책을 내놓고 있어 주목되고 있다. 정부는 지난 9월 29일 정부와 대 중소기업계가 모인 '대 중소기업 동반성장 전략회의'(제72차 국민경제대책회의)에서 지속가능한 성장동력과 경쟁력을 확보하기 위한 '대 중소기업 동반성장 추진대책'을 수립, 발표했다. 사회 윤리적인 수준을 넘어 각종 규제와 혜택으로써 기업문화의 풍토를 바꾸려는 시도를 하고 있는 것이다. 최근들어 정부는 각종 상생관련 정책을 내놓으면서'상생'이라는 말 대신 '동반성장'이라는 표현을 쓰고 있다. 일방적 시혜 혹은 분배에 초점을 맞춘 것이 아니라 거시적인 의미의 '성장'에 초점을 맞춰 기업 생태계의 변화를 촉구하고 있는 것이다. 즉, 생태계가 커질수록 일부 요소의 투입보다는 각종 요소들이 다양하게 공존함으로써 발생되는 시너지 효과에 미래의 성장동력이 있다고 판단하고 있다. 본지는 정부의 동반성장 정책과 업계의 반응, 설비업계를 대변하여 대한설비건설협회가 건의한 '건설산업 상생을 위한 제도 개선', 그리고 대기업의 동반성장 추진 현황에 대해 알아본다.

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열수화법을 이용한 ZnO nanorod 형태에서 성장 농도와 온도가 미치는 영향

  • Bae, Yeong-Suk;Kim, Dong-Chan;Jo, Hyeong-Gyun
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2009.11a
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    • pp.28.1-28.1
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    • 2009
  • 이 연구에서는, 열수화법을 사용하여 ZnO 나노막대를성장 온도와 성장 농도를 변화하여 그 효과에 대해서 조사하였다. Zn 화합물의 농도는 0.02 M~0.08 M 로 변화를 주었고, 성장 온도는 $60{\sim}80^{\circ}C$ 로 유지하였다. 우리는 SEM 으로 부터 성장 온도가 증가할 때에 수직으로 더 빨리 자라는 것을 확인하였고, 성장 농도가 증가할 때에 diameter가 증가하는것을 확인 할 수가 있었다. 성장 속도에 농도와 온도가 매우 큰 영향을 주는 것을 확인을 할 수 가있었다. 또한, Photoluminescence (PL) 로부터 성장 온도가 $80^{\circ}C$ 이고, 0.08 M 에서 UV emission 이 가장 강하게 나타 났으며, 가장 좋은 결정질을확인 하였다. 그러므로, ZnO 나노 막대의 직경과 길이를두 성장 변수롤 통하여 제어가 가능 하게 되었다. 또한, ZnO 나노 막대를 저온에서 성장 할 수 있어 투명 플렉서블 소자에 적용이 될 가능성을 보였다.

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