본 연구에서는 저온에서 InP 기판 위에 성장한 InAlAs 에피층에 존재하는 상분리와 규칙 현상을 투과전자현미경 관찰을 통해 관찰하였다. 저온에서 성장한 에피층에서 상분리의 거동이 크게 나타났으나 규칙 현상은 특정한 온도에서 최대를 나타낸다. $800^{\circ}C$ 이상에서 3분간의 열처리로 규칙 현상이 사라졌으나 상분리 현상은 변화를 보이지 않는다. 그러나 Zn가 포함된 장시간, 저온에서 열처리로 상분리 현상이 완전히 사라졌다.
이 연구에서는 Lennard-Jones (LJ) particle을 이용하여 상분리 현상을 이해하기 위한 컴퓨터 시뮬레이션 연구를 수행하였다. 초기에 균일하게 분포되어 있는 LJ 입자들을 시뮬레이션 하면 상대적으로 dense phase와 dilute phase로 상분리 현상이 일어나게 된다. 상분리 현상의 첫 번째 단계를 핵 생성 (nucleation) 이라고 한다. 본 연구에서는 Brownian Dynamics (BD) Simulation과 Molecular Dynamics (MD) Simulation을 이용하여 상평형 그림을 구하고 초기에 일어나는 LJ 입자들의 nucleation rates를 구하였다.
TiO$_2$를 포함한 희토류 알루미노 규산염계 (NAS: Nd$_2$O$_3$-Al$_2$O$_3$-SiO$_2$) 유리의 상분리 현상에 대하여 연구되었다. 0~10wt%의 TiO$_2$포함한 NAS 조성은 유리전이온도(T$_{g}$) 부근에서 열처리하여 HF로 부식 후 주사전자현미경, 라만 및 IR 분석기로 상분리가 조사되었다. 그 결과로 상분리한 내부결정화는 8wt% 이상의 TiO$_2$를 포함한 NAS 조성에서 나타났다. 어닐링후 T$_{g}$ 부근에서 열처리의 결과는 투명 연핑크색의 유리를 불투명의 연푸른 우유빛 색으로 변하게 하였으며, Si와 Nd-Ti가 각각 풍부한 10$mu extrm{m}$ 이상과 0.1$\mu\textrm{m}$ 이하의 크기인 구형상의 영역으로 균일한 다상분리를 일으켰다. Nd$_2$O$_3$-Al$_2$O$_3$-SiO$_2$-TiO$_2$계에서 상분리는 내부 결정화와 관련하여 매우 중요한 인자로 확인되었다.
목적: 전층 회전근 개 파열의 관절경하 봉합술 시 관찰되는 회전근 개 판분리 현상의 유무에 따른 술 후 임상적 결과에 대해 보고하고자 한다. 대상 및 방법: 2006년 3월부터 2008년 10월까지 회전근 개 전층 파열로 관절경하 이열 봉합술을 시행한 48예(남자 31, 여자 17, 평균나이 57.6세, 범위 45~68세)를 대상으로 하였다. 평균 파열 크기는 2.8 cm(범위: 1.2~3.6 cm) 이었고 판분리 유무에 따라 봉합법을 달리하여 판분리가 있는 경우 점액낭 층과 관절면 층을 각각 구분하여 봉합하였다. 술 후 평균 추시 기간은 26개월(범위: 18~33)이었으며 American Shoulder and Elbow Surgeons (ASES), University of California at Los Angeles (UCLA) 점수와 등속성 근력 평가를 이용하여 기능적 결과를 판정하였고 술 후 평균 8개월(범위: 6~13)에 촬영한 자기 공명 영상을 이용하여 봉합부의 해부학적 연속성을 판정하였다. 관절경하에서 관찰된 판분리 현상의 양상과 나이, 성별, 이환 기간, 파열의 크기, 술 후 만족도, 재 파열 빈도와의 상관 관계를 판정하였다. 결과: 술 후 44예(91.7%)에서 견관절의 기능적 호전을 보였다. 관절경 소견 상 48예 중 15예에서 회전근 개의 판분리(31%)가 관찰되었으며 대부분 내측과 후내방으로 퇴축되어 있었고 분리된 두 층 중 관절면 층이 더 두꺼운 경우가 8예(53%), 점액낭층보다 근위부 및 후내방으로 전위된 경우가 9예(60%)이었다. 최종 추시 상의 기능적 점수는 판분리 현상의 유무와 상관 관계를 보이지 않았으며 성별, 이환 기간, 술 전 파열의 크기, 술 후 만족도는 판분리 현상과 상관 관계가 없었으나 고령일수록 판분리 현상이 더 많이 관찰되었다(p=0.041). 술 후 촬영한 29예의 자기 공명 영상 소견 상 완전치유가 14예(48%), 부분치유가 9예(31%)이였으며 6예(21%)에서 봉합부의 완전 재파열이 발생하였으나 이 중 50%는 임상적 결과가 양호로 판정되었다. 추시 자기 공명 영상 상 판분리 현상이 없는 경우에서는 79%(15/19), 판분리 현상이 있는 경우는 80%(8/10)에서 봉합부가 치유된 것으로 판정되어 판분리 현상이 있는 경우의 복층 이열봉합술은 판분리 현상이 없는 경우의 단층 이열봉합술과 유사한 봉합부의 해부학적 연속성이 관찰되었다(p=0.165). 결론: 관절경하 회전근 개 봉합 시 판분리 현상은 본 연구에서 약 31%이였으며 이는 고령에서 더 흔히 관찰되었다. 성별, 이환기간, 술 전 파열의 크기, 기능적 결과 및 술 후 만족도에 있어 판분리 파열의 영향은 없었으며 봉합부의 해부학적 연속성도 판분리 현상이 없는 회전근 개 파열과 유사한 결과를 보였다.
폴리술폰을 이용한 분리막의 제조에 있어서 용매 및 조성의 변화에 따른 상도의 작성은 매우 큰 정보를 제공한다. 즉 상도를 통해서 상분리 현상을 예측할 수 있게 되어서 막의 미세구조를 조절할 수 있게 되고, 막의 미세구조를 조절함으로써 투과 분리 특성을 향상시킬 수 있게 된다. 본 실험에서 사용된 고분자는 폴리술폰(Udel P-3500)이며, 용매로는 NMP와 THF를 사용하였다. 실험적으로 흐림점을 측정하여 binodal line을 얻었으며 문헌값, 계산값, 실험값 등을 통한 interaction parameter 값들로 부터 binodal line과 spinodal line을 구하여 실험값과 비교 하였다.
불포화폴리에스터/폴리비닐아세테이트 semi-IPN의 경화과정 중 경화속도와 상분리 확산속도의 상호관계 속에서 형성되는 상분리 모폴로지를 광산란 및 열분석 장치를 이용하여 연구하였다. 열경화성 고분자의 경화과정 중 열가소성 고분자의 확산에 기인한 물성의 변화를 측정하였고, 상분리를 수반하는 경화과정에서의 활성화에너지의 변화를 Flynn-Wall method를 이용하여 구하였다. 반응에 의하여 나타나는 상분리현상은 경화과정 중 다양한 상분리 거동을 나타내게 되는데, 폴리비닐아세테이트가 10 wt%일 경우에는 반응도중에 상분리가 일어나지 않고 냉각 후 상온에서 nucleation & growth 거동과 유사한 형태로 상분리가 발생하였고, 11.65 wt% 이상에서는 반응도중 spinodal decomposition으로 사료되는 상분리가 발생하였다. 또한 상분리현상이 경화속도에 영향을 미친 것을 활성화에너지의 변화거동으로부터 확인하였으며, 온도변화에 따라 총산란량을 측정하였고 이로부터 확산에 의한 상분리 속도 R(${\beta}_m$)를 비교하였다.
본 연구에서는 광기록 매질 중 광유기효과가 큰 비정질 As40Se15S35Ge10박막의 증착각도변화에 따른 구조 및 광학적 구조 및 광학적 물질특성에 대해 고찰하였다. 준비된 bulk와 박막이 비정질상(Amorphous phase)임을 XRD 분석을 통해 확인하였다. 특히, 증착각도의 변화에 따른 비정질 As40Se15S35Ge10박막에서의 유리질 천이온도의 변화와 상분리 현상을 연구하였다. 유리질 천이온도의 확인은 DSC, DTA, TGA를 이용한 분석실험을 통해 수행하였다. 실험 결과 벌크의 유리질 천이 온도는 약 $238^{\circ}C$였고, 0。, 60。, 80。로 증착된 박막은 각각 $202^{\circ}C$, $229^{\circ}C$, $201^{\circ}C$였으며 80。로 증착된 박막의 경우 가장 낮은 값을 보였다. 또한 연속상과 분산상으로의 상 분리 현상은 편광현미경에 의한 광학구조분석과 SEM-EDS를 이용한 표면확인 및 성분분석으로 관찰하였다.
$1.55\;{\mu}m$ 대역의 레이저 다이오드를 제작하기 위해, InP(001) 기판에 InAlGaAs 물질을 장벽층으로 하는 InAs 양자점 구조를 분자선증착기 (MBE)를 이용하여 성장하고 구조 및 광학적 특성을 Double Crystal X-ray Diffraction (DCXRD), Atomic Force Microscopy (AFM), Photoluminescence (PL)을 이용하여 평가하였다. 일반적으로 InAlGaAs 물질은 고유한 상분리 현상 (Phase Separation)이 나타나는 특성이 있으며, 이는 양자점 성장에 중요한 요인으로 작용할 수 있다. 이러한 InAlGaAs 물질의 상분리 현상을 기판온도 ($540^{\circ}C$, $555^{\circ}C$, $570^{\circ}C$)를 비롯한 성장변수를 변화시켜 제어하고 InAs 양자점 형성에 어떠한 영향을 미치는지를 분석하였다. 540의 성장온도에서 InP(001) 기판에 격자정합한 InAlGaAs 장벽층이 성장온도를 $570^{\circ}C$로 증가시킬 경우 기판에 대하여 인장 응력 (Tensile Strain)을 받는 구조로 변화되었다. 인장응력을 받는 InAlGaAs 장벽층을 Ga Flux 양을 조절하여 격자정합한 InAlGaAs 층을 형성할 수 있었다. AFM을 통한 표면 형상 분석 결과, 서로 다른 기판온도에서 성장한 InAlGaAs 물질이 InP(001) 기판에 격자정합 조건일지라도 표면의 거칠기 (Surface Roughness)는 매우 다른 양상을 보였고 InAs 양자점 형성에 직접적으로 영향을 주었다. $570^{\circ}C$에서 성장한 InAlGaAs 위에 형성한 InAs 양자점의 가로방향 크기를 세로방향 크기로 나눈 비율이 1.03으로서, 555와 $540^{\circ}C$의 1.375 와 1.636와 비교할 때 모양 대칭성이 현저히 개선된 것을 알 수 있다. 상분리 현상이 줄어 표면 거칠기가 좋은 InAlGaAs 위에 양자점을 형성할 때 원자들의 이동도가 상대적으로 높아 InAs 양자점의 크기가 증가하고, 밀도가 감소하는 현상이 나타났다. 또한 InAlGaAs 장벽층이 InP(001) 기판을 기준으로 응력 (Compressive 또는 Tensile)이 존재하는 경우, InAs 양자점 모양이 격자정합 조건 보다 비대칭적으로 변하는 특성을 보여 주었다. 이로부터, 대칭성이 개선된 InAs 양자점 형성에 InAlGaAs 장벽층의 표면 거칠기와 응력이 중요한 변수로 작용함을 확인 할 수 있었다. PL 측정 결과, 발광파장은 $1.61\;{\mu}m$로 InAs 양자구조 형상에 따라 광강도 (Intensity), 반치폭 (Line-width broadening) 등이 변화 되었다.
본 연구에서는 동아시아의 세 나라, 대만, 한국, 일본의 성별 직업분리의 추세를 비교하였다. 동아시아 사회의 성별 직업분리의 정도가 상식적으로 예상되는 것보다 지수상으로 낮게 나타나는 것에 대해 단일지수를 사용한 측정방법의 문제점이 지적되고 있다. 본 연구에서는 대수선형모형에 입각한 연관지수를 이용하여 직업분리에 단일 지수적 접근과 아울러 분리의 작업별 양상을 함께 비교하였다. 1960년과 1990년 사이에 동아시아 세 나라의 성별 분리지수는 전반적으로 감소하는 경향을 보인다. 세나라들 중에서 가장분리의 정도가 낮은 대만에서 감소의 폭 역시 크게 나타난다. 일본의 경우 1960년대 큰 폭의 감소가 있은 후 전반적으로 정체하는 경향을 보이며, 한국은 1960년대와 1980년대에 성별 직업분리의 감소경향이 두드러진다. 직업별 양샹을 보면 대만은 한국과 일본에 비해 행정관리직에서 여성의 비주이 계속 증대하고 있다. 이러한 현상에 대한 설명 요인으로서 여성 인력 공급의 측면에서 여성의 직업경력의 연속성 보장과 함께 수요의 측면에서 기업조직 내의 인력 관리상의 유연성과 차별적 관행의 개선을 들 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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