• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.4 no.3
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• pp.210-222
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• 1994

The characteristics of flows, temperatures, and concentrations of oxygen are numerically studies in the Czochralski furnace with a uniform axial magnetic field. Important governing factors to the flow fields include buoyancy, thermocapillarity, centrifugal force, magnetic force, diffusion and segregation coefficients of the oxygen, evaporation coefficient in the form of SiO, and ablation rate of crucible wall. With an assumption that the flow fields have reached the steady state, which means that two velocity components in the meridional plane and circumferential velocity, temperatures, electric current intensity become non-transient, then unsteady concentration field of oxygen has been analyzed with an initially uniform oxygen concentration. Oxygen transports due to convection and diffusion in the Czochralski flow field and oxygen flux through the growing crystal surface has been investigated.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.413-413
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• 2016

태양전지 제작 시 에미터층을 형성하는 도핑 공정의 최적화는 캐리어 수집 확률 증가와 함께 결정질 실리콘 태양전지 고효율화를 위해 매우 중요하다. 본 연구에서는 결정질 실리콘 태양전지 다이오드의 다양한 도핑 공정으로 제작된 p-n 접합에 대한 전기적 특성 분석을 진행하였다. 도핑 공정의 경우 선 증착-후 확산 공정 시간과 가스량을 변화시켜 다양한 에미터층을 제작하였다. 선 증착 시간 변화를 주는 경우 선 증착 공정을 $825^{\circ}C$로 고정한 뒤 시간을 7분에서 17분까지 변화하고 후 확산 공정을 $845^{\circ}C$, 14분으로 고정하였다. 후 확산 시간 변화를 주는 경우는 선 증착 공정을 $825^{\circ}C$, 12분으로 고정한 뒤 후 확산 공정을 $845^{\circ}C$로 고정 하고 시간을 9분에서 19분까지 변화시켰다. 선 증착 공정을 $845^{\circ}C$ 12분, 후 확산 공정을 $845^{\circ}C$, 14분으로 고정 한 뒤 선 증착 시 POCl3양을 400 ~ 1400 SCCM까지 변화시켰고, 후 확산 시 산소량을 0 ~ 1000 SCCM까지 가변한 조건에서 에미터층에 대한 특성을 분석하였다. 결과적으로 선 증착 공정 $825^{\circ}C$ 12분, 후 확산 공정 $845^{\circ}C$ 14분에서 SCR(Space Charge Region)에서 3.81의 가장 낮은 이상 계수 값을 나타내었다. 이는 p-n접합의 내부결함이 줄어들어 태양전지의 캐리어 수명이 증가됨을 보였다. 선 증착 공정 중 $POCl_3$ 주입량 800 SCCM, 후 확산 공정 중 산소량 400 SCCM에서 $15.9{\mu}s$로 가장 높은 캐리어 수명을 나타내었다. Suns-VOC 측정 결과 $POCl_3$ 주입량 800 SCCM, 산소량 400 SCCM에서 619mV로 가장 높은 개방전압을 얻을 수 있었다.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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• v.14 no.4
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• pp.1022-1032
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• 1990

본 연구에서는 기체연료 연소시 산소부화연소의 적용에 대한 연구를 시작하는 단계에서 상용 프로판을 산소부화연소 시킴으로써 첨가된 산소에 의한 반응시간의 단 축과 공급 공기량중의 질소량 저감에 희한 연소가스중의 NO농도를 측정하고, 이에 따 른 화염장의 온도 및 연소가스중의 $O_{2}$ 및 N$_{2}$농도를 측정하여 그들의 상관관 계를 가지고 NO의 배출특성을 고찰함으로써 기체연료의 산소부화연소에 따른 효율적인 에너지 이용을 위한 연소장치개발과 오염물질 저감대책에 기초자료를 제공하는데 그 목적이 있다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1992.05b
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• pp.86-87
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• 1992

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1996.05a
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• pp.29-29
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• 1996

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.5 no.3
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• pp.101-108
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• 1996

The silicon $p^{+}-n$ junction diodes were fabricated. The fabricated wafers were treated by single or double annealing steps. Single annealing process was performed by diffusion of either Au or Pt into the wafer under the oxygen or nitrogen ambient at $800{\sim}1010^{\circ}C$. Second annealing step involved additional annealing of the single annealed wafer under the oxygen ambient at $800{\sim}1010^{\circ}C$ for one hour. Electrical characteristics of the diodes were investigated to evaluate the effect of the annealing treatments. In the case of single annealing under nitrogen ambient at $1010^{\circ}C$ for one hour, the amount of leakage current of Pt diffused diode was 75 times larger than that of Au diffused one. The optimum processing condition to achieve high speed silicon $p^{+}-n$ junction diodes from this study was obtained when Pt diffused wafer(treated under the nitrogen ambient at $1010^{\circ}C$ for one hour) was secondly annealed in an oxygen ambient at $800^{\circ}C$ for one hour. The resulting leakage current of two step annealed diodes were remarkably reduced to 1/1100 of the single annealed one. The diode characteristics such as recovery time, breakdown voltage, leakage current, and forward voltage were 4ns, 138V, 1.72nA, and 1V, respectively.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.02a
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• pp.80-80
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• 1998

RU02 박막은 전이금속으로서 rutile 구조이며, 넓은 온도 영역에서 금속성의 를 나타내고, 700도 이상의 높은 온도에서 열적 안정성을 갖는 물질이다 이러한 특성 때문 에 RU02 박막은 실리콘 디바이스에서 배선 게이트 전극 확산 장벽 등에 응용가능성이 높 은 물질로 각광을 받고 있다- 특히 다결정 RU02 박막은 DRAM (dynamic random access m memory) 내의 강유전성 축전기의 전극으로서 유망한 물질이다. 지금까지 이러한 응용분야에 사용된 전극물질은 pt 금속이었다 그러나 이러한 금속전극은 SI 산소 그리고 강유전체의 구성물질 등과의 상호확산, pt 표면의 hillock의 존재로 생기는 전기적 단락, 기판과의 나쁜 점작성, 어려운 에칭 프로세스 등의 단점을 가지고 있다 더욱 더 심각한 문제는 P Pt'ferroelectric/Pt 구조에서 나타나는 aging과 fatigue인데, 이는 108 사이쿨 이후에 스위칭 가 능한 잔류 pOlarization 으$\mid$ 감소를 유발하게 된다- 최근 Berstein은 Pt 대신에 RU02를 사용함으로써 강유전체 축전기에서의 fatigue 현상을 크게 감소시켰다고 보고 한 바 있다 Burst川도 RU02 가 실리콘 표면과 유전체 물질 사이에 전기전도 어떠한 상호 확산도 일어나지 않음을 보였다. 그러나 이러한 연구 결과에도 증착조건과 RU02 박악의 특성에 관한 상호 관계가 충분히 더욱 더 중은 강유전성 박막올 만들기 위해서는 이러한 박막 전극에 않고 있다 연구되지 대한 상세한 연구가 반드시 필요하다고 본다. RU02 박막은 실리콘 기판 위에 고주파 마그네트론 스퍼터링 방법으로 증착하였다. 사용 한 타켓은 2 인치의 직경을 가지는 CERAC 사에서 제작한 Ruol다 초기 진공은 1O~6 Torr 이하였고, 고주파 전력은 20 - 80W 까지 변화시켰다 반응성 스퍼터링율 하기 위해 아르곤과 산소롤 주입하였고, 산소/(산소+아르곤)의 비를 변화시켰다 기판의 온도와 증착압력은 각각 상온에 서 500도까지 , 5mTorr에 서 100mTorr 까지 변 화시 켰 다 RU02 박막의 결정성을 조사하기 위해 XRD 표면 형상과 단면을 조사하기 위해 SEM을 사용하였다‘ 박악의 비저항을 조사하기 위해 4-단자법 van der Pauw 방법을 사용하였다. RU02 박막은 증착압력이 높을수록 비저항은 높아지고, 두께는 감소하였다. 특히 1 100mTorr에서는 작업가스와 스퍼터된 입자사이의 심각한 산란 때문에 아예 증착이 이루어 지지 않았다‘ RF 전력이 증가할수록 비저항이 낮아졌다. 이는 두께에 의존하는 결과이며 전형적인 금속박막에서 나타나는 현상과 유사함을 알 수 있었다- 기판온도와 작업가스의 산소 분압이 높을수록 비저항이 감소하였다‘ 이러한 사실은 성장한 박악의 결정구조와 밀접한 관련이 있음을 보여준다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.8 no.12
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• pp.1090-1098
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• 1998

$RuO_2$ thin films were deposited on Si and Ru/Si substrates by rf magnetron reactive sputtering and annealed in oxygen atmosphere(1atm) to investigate their thermal stability and diffusion barrier property. $RuO_2$ thin films were thermally stable up to 700\ulcorner for 10min. in oxygen atmosphere and showed excellent barrier property against the interdiffusion of silicon and oxygen. After annealing at $750^{\circ}C$ , however, volatilization to higher oxide occurred at the surface and inside of $RuO_2$ thin film and diffusion barrier property was also deteriorated. When annealed at $800^{\circ}C$, $RuO_2$thin film showed a different microstructure from that of $RuO_2$ thin film annealed at 75$0^{\circ}C$. It is likely that surface defect structure of $RuO_2$, $RuO_3$, and excess oxygen had an influence on the mode of volatilization with increasing annealing temperature.

• Proceedings of the Korean Society of Disaster Information Conference
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• 2023.11a
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• pp.353-354
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• 2023

과거와 달리 유독가스가 생성되는 화재, 폭발, 화학사고 및 급격한 기압차를 경험하게 되는 선박 침몰 구조 등 다양한 재난 혹은 사고 상황에서 고압산소치료가 욕구되며, 이를 수행할 수 있는 고압산소치료챔버는 재난에 대응하는 핵심 자원으로 그 수량과 배치가 적절해야 한다. 따라서 다양한 종류의 재난에서 발생하는 유독가스 피해자에게 고압산소치료는 필수적이나 본 연구에 의하면 국내에는 고압산소치료챔버의 숫자와 동시에 고압산소치료로 수용할 수 있는 환자수에도 한계가 있고 그 분포의 불균형도 존재하고 있어 재난 시 인명 피해 감소의 기반 장비, 시설로서 고압산소챔버의 균형있는 확산, 적용이 시급한 실정이며, 이는 가칭 재난고압산소지수로 객관화할 수 있다. 국내에서는 인구밀집지역인 수도권이 고압산소치료가 필요한 재난에 대한 대응 기반이 부족하다가 향상되고 있으며 부산, 경남 권역에 고압산소치료 자원이 편중된 현상을 보이고 있다. 고압산소치료 필요한 대량의 중환자 발생 시는 국내 전체의 고압산소치료기 활용 여부에 대한 실시간 모니터링 시스템이 필요하고 필요 시 원거리 피해자 전원 시스템을 갖추어야 하므로 이는 향후 구축해야 할 사항으로 이를 위한 전국적 고압산소치료기 모니터링 시스템이 필요하다.

• Proceedings of the Korean Society of Disaster Information Conference
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• 2022.10a
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• pp.381-382
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• 2022

국내에서 1980년대까지 연탄을 에너지로 많이 사용하면서 일산화탄소 중독이 빈번하여 고압산소치료가 활용되다가 이후 연탄 사용의 감소로 고압산소치료기가 대부분 활용되지 못하고 폐기되는 경우도 많았다. 이후 세월호 사고에서의 잠수사들에 대한 고압산소치료 적용, 가스누출이나 번개탄을 활용한 자살시도가 빈번해지며 고압산소치료기를 보유하고 있는 기관이 부족해 적절한 치료를 제 때 받지 못하여 고압산소치료기의 필요성이 되두되었다. 국내에서는 2021년 기준으로 한해 36,266 건의 화재가 발생하고 2020년에 365명이 화재로 사망하며, 화재로 인한 손상은 1,917건이었는데. 화재 시 여러 유독가스를 흡입하게 되고, 이에 따라 고압산소치료가 필수적으로 진행되어야 한다. 유해화학물질 사고, 대규모 오염, 다양한 교통수단에서의 대형 사고, 건축물 붕괴 사고 및 대규모 지진, 화산폭발 같은 자연재해 시에도 가스 중독이 발생하며, 이는 고압산소치료가 필요하게 된다. 따라서 다양한 종류의 재난에서 발생하는 유독가스 피해자에게 고압산소치료는 필수적이나 본 연구에 의하면 국내에는 고압산소치료챔버의 숫자와 동시에 고압산소치료로 수용할 수 있는 환자수에도 한계가 있고 그 분포의 불균형도 존재하고 있어 재난 시 인명 피해 감소의 기반 장비, 시설로서 고압산소챔버의 균형있는 확산, 적용이 시급한 실정이다. 다행히 최근 전국적으로 고압산소챔버가 증가하는 추세에 있어 그 현황과 배치 상황을 조사하여 이를 통하여 고압산소챔버가 필요한 유독가스 발행 재난에 대비할 수 있는 역량이 증가하고 있다.