• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.134-134
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• 2009

ITZO 박막은 2개의 캐소드 (DC, RF)를 이용하여 마그네트론 2원 동시 방전법에 의해 고온에서 안정한 polyimide 기판위에 상온에서 증착하고 $200^{\circ}C$에서 어닐링 하였다. XRD 측정 결과 어닐링 과정을 거친 막들은 Zn의 도입에 따란 결정성이 감소하다가 RF파워 280W에서 증착한 박막은 완전한 비정질 구조를 보였다. AFM 측정과 밴딩 테스트 결과, ITO 및 ITZO 박막들은 결정성이 감소할수록 매끄러운 표면과 낮은 저항 변화율을 보여주었다. 전기 비정항은 Zn 함량이 증가함에 따라 증가하였지만, 광학적 투과율은 $200^{\circ}C$ 어닐링 과정을 거친후의 막들에 있어서 증가됨을 보였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.3 no.3
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• pp.275-279
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• 1994

Low Energy Electron Diffraction(LEED)와 Synchrotron Radiation Photoelectron Spe-ctroscopy (SRPES)를 이용하여 $Si(111)7{\times}7$ 표면위에 Mg의 흡착에 의한 초기계면과 실리사이드의 형성에 대하여 연구하였다. 기판온도를 상온으로 유지하는 경우 증착량의 증가에 따라 LEED pattern은 diffuse 7${\times}$7 diffuse 1${\times}$1, $2/3sqrt{3}{\times}2/3sqrt{3} R30^{\cdot}$ 구조로 변화하였다. $300^{\cdot}C$의 기판온도에서 관측되는 1${\times}$1 구조에 대한 surface sensitive Si 2p core level spectrum의 fitting 결과로부터 이 1${\times}$1구조는 적층성장한 Mg2Si 박막에 의한 구조임을 알수 있다. 그러나 이 1${\times}$1구조를 가진 Mg2Si 박막이 성장하지 못함을 예상할 수 있다. 그결과 Mg의 계속된 증착에도 불구하고 비정질의 Mgqkr막이 성장하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.3 no.3
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• pp.322-330
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• 1994

다결정실리콘 위에 저압 화학 증착법으로 비정질 WSix를 증착시킨 후에 질소 분위기, 87$0^{\circ}C$ 온 도에서 2시간 동안 열처리를 실시하여 결정화를 이룩한 다음 표면의 산화막을 희석된 불산용액으로 제 거한 후 산화를 실시하면 이상산화막이 형성이 되었다. 이와 같은 이상산화막 형성은 산화 공정전에 P 또는 As 이온 주입을 실시함으로써 억제되고 있었으며 P이온 주입 처리가 As 이온조입보다 이상산화 막 발생 억제에 보다 효율적임이 확인되었다. P이온 주입처리가 보다 효과적인 것은 산화시 산화막내에 형성되는 P2O5 가 산화막의 용융점을 크게 낮추어 양질의 산화막을 형성하는 데 기인하는 것으로 여겨 진다. 마지막으로 이온주입 처리에 의하여 비정질화된 텅스텐 실리사이드 표묘의 산화 기구에 대하여 제안하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.3 no.3
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• pp.341-345
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• 1994

As+ 와 P+ 이온들이 주입된 실리콘에서 주입 이온들의 확산 및 실리콘의 재결정화에 열처리가 미치는 영향에 대해서 조사하였다, 여기서 이온 주입량은 실리콘 표면영역을 비정질화하기에 충분한 양 이었다. 이온 주입 시실리콘 내부에 생성된 손상들을 제거하기 위해 온도와 시간을 변화시켜 가며 시편 을 전기로 속에서 열처리하였다. 그러나 이때 야기된 도우펀트들의 과도적인 확산에 의해서 접합깊이는 예측한 것보다 더욱 깊은 곳에서 나타나다. 이러한 과도적인 확산은 주로 이온 주입으로 인해 야기된 시편들이 손상들을 제거하기 위한 열처리 과정동안 일어난 것으로 생각된다. 이것은 SIMS와 SUPREM IV simulation 에 의해서 확인할 수 가 있었다. As+ 와 P+ 이온이 주입된 실리콘의 결정성 회복을 Raman 분광법을 이용하여 조사하였다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.12
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• pp.1179-1185
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• 1996

고온용 세라믹 쉘 몰드를 용융 알루미나와 콜로이달 실리카를 사용하여 제조한 후, 세라믹 쉘 몰드의 강도에 영향을 주는 요인을 분석하였다. 세라믹 쉘 몰드의 강도는 바인더의 실리카 입자의 크기가 작을수록 크며 또한 실리카 농도에 비례하여 증가함을 보이며 저온에서의 강도 발현은 콜로이달 실리카의 필름 형성에 의한 입자들의 결합임을 알 수 있었다. 세라믹 쉘 몰드의 소성 강도는 부착 스타코의 크기가 작을수록 크며 소성 온도에 비례하여 증가함을 보였다. 고온에서의 강도 발현은 알루미나 입자와 콜로이달 실리카 바인더의 결합뿐만 아니라 알루미나 입자사이의 결합도 영향을 줌을 알 수 있었다. 쉘 몰드의 결정상은 130$0^{\circ}C$이하에서 소성한 경우 $\alpha$-알루미나만 존재함을 보여 실리카는 비정질로 계속 남아 있음을 알 수 있고 140$0^{\circ}C$ 이상에서 소성한 경우 뮬라이트가 생성됨을 보였다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2005.05a
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• pp.45-47
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• 2005

전기, 전자, 우주, 자동차, 무기 등의 여러 분야에서 응용되고 있는 고정밀, 고저항체 박막인 TaNx 다층박막을 반응성 마그네트론 스퍼터링법으로 제조하여 질소분압에 따른 TCR 특성 변화를 조사하고, XRD와 SEM 관찰을 통하여 미세조직이 전기적 성질에 미치는 영향을 알아보았다. 제조된 TaNx 박막의 전기저항은 질소분율이 증가함에 따라 저온보다 고온에서 전기저항이 감소함을 보여 뚜렷한 (-)TCR 특성을 나타내었다. XRD 분석 결과, $Ar/N_2$ 비가 0.05에서 TaN 상이 형성되고 0.1에서 우수한 결정성을 나타내었으며, $N_2$의 양이 증가할수록 비정질이 형성되었다. 박막의 표면 형상은 미세하고 불연속 아일랜드 형태로 변화하였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.1 no.3
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• pp.261-268
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• 1988

본 논문에서는 두께 50[.mu.m]의 미연신 .alpha.형 폴리비닐덴 후로라이드 필름을 시료로 선정, .+-.4~.+-.6[kV]사이의 코로나대전 전압을 인가하여 얻은 코로나 일렉트렛트로 부터 온도 범위 -100[.deg.C]-100[.deg.C] 사이에서 열자격전류를 측정한 결과, 저온으로 부터 .delta., ..gamma., .betha. 및 .alpha.인 4개의 TSC 피크를 얻었다. 이들 피크의 기원을 정성적으로 고찰한 결과, .delta., .gamma.피크는 비정질 영역에서 카보닐기, 주쇄 및 극성기들에 의한 쌍극자의 탈분극으로 또 70[.deg.C]부근에서 관측된 .betha.피크는 비정질 영역 또는 비정질과 결정질의 경계면에서 전극으로 부터 공간전하의 탈트랩으로 그리고 180[.deg.C]근방에서 관측된 .alpha.피크는 결정영역에 깊이 트랩된 캐이어들의 탈트랩으로 각각 피크가 나타나는 것으로 사료된다. .delta., .gamma., .betha.및 .alpha.인 4개의 TSC 피크에 대하여 초기 상승법으로 얻은 활성화 에너지는 각각 0.54[eV], 0.24[eV], 0.99[eV] 및 1.26[eV]를 얻었다.

• Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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• 2002.11a
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• pp.161-161
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• 2002

수도권 지역에서 3차원 바람장 및 농도장의 공간 특징을 모의하기 위해 AWS 자료동화 기법을 호주 CSIRO에서 개발된 비정역학 TAPM(The Air Pollution Model, V.2) 에 적용하여 2002년 7월 2일부터 7월 11일까지 10일 동안 1km$\times$1km격자에서 바람장 및 농도장을 도출하였다. (중략)

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.138-139
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• 2013

본 연구는 ZnO-TFT 소자에 Hf의 첨가에 따른 소자 특성 및 게이트 바이어스 스트레스에 대한 특성에 대해 분석을 하였다. Hf-Zn-O 박막은 Hf의 조성이 증가함에 따라 작아지는 grain size로 인해 TFT 소자의 전계효과 이동도와 게이트 바이어스 스트레스에서의 문턱전압의 변화가 더 커지는 것을 확인하였다. 한편, Hf이 14at% 함유된 HZO-TFT에서는 이동도는 현저히 저하되었지만, 게이트 바이어스 스트레스에서의 문턱전압의 변화가 현저히 개선되는 것을 확인하였는데, 이는 Hf의 조성이 증가함에 따라 비정질화 되어 grain boundaries에 의한 trap의 영향이 줄어든 결과를 확인하였다. 또한, 전계효과 이동도와 소자의 안정성을 확보하기 위해, poly-ZnO와 amorphous-HZO로 구성된 다중층 채널 구조를 이용한 TFT소자에서는 전계효과 이동도과 소자의 안정성이 개선된 결과를 보였다. 이는 채널과 게이트 산화물의 interface charge trap의 감소와 back-channel effect가 감소한 결과임을 확인하였다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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• v.30A no.11
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• pp.113-121
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• 1993

In the formation of the shallow p$^{+}$-n junction, the preamorphization method by As$^{+}$ ions was applied in order to avoid the boron channeling effect which is occured during the B$^{+}$ implantation especially with low energy. By As$^{+}$ pre-implant with 60KeV energy and 2*10$^{14}$ cm$^{-2}$ dose, the channelinf of B$^{+}$ ions implanted with 10keV/1.5*10$^{14}$ cm$^{-2}$ can be avoded completely. After the RTA of 1050.deg. C and 10sec, the junction depth was 0.14.mu.m, the leakage current was 20nA/cm$^{2}$(at-5V bias) and the sheet resistance was 107.OMEGA./ㅁ. And the preamorphized Si layer was changed into the perfect crystal si after the RTA.r the RTA.