• Journal of the Korean Vacuum Society
• /
• v.4 no.2
• /
• pp.164-171
• /
• 1995

열처리에 따른 Cu 박막의 미세구조 및 전기 비저항의 변화를 조사하였다. Cu(hfac)(TMVS)를 원료로 하는 저압화학증착법에 의해 증착온도를 $160^{\circ}C$에서 $330^{\circ}C$까지 변화시키면서 TiN기판 위에 Cuqkr막을 제조하였고 $450^{\circ}C$에서 30분간 열처리하였다. 증착온도에 따라 표면이 평평한 Cu 박막을 형성하는 표면반응 제한지역과 표면이 거친 Cu 박막을 형성하는 물질전달제한지역이 관찰되었다. 열처리 후 Cu 박막은 전체적으로 표면이 평탄해졌고 결정립의 크기는 모든 증착온도에서 증가하였는데 그 편차 역시 증가하여 EM 저항성 측면에서는 큰 효과를 보이지 못할 것으로 판단된다. 비저항은 증착온도 $200^{\circ}C$에서 급격히 증가하였고 열처리 후에는 모든 증착온도에서 비저항이 감소하였는데 표면반응제한지역에서는 결정립 성장에 의한 약간의 비저항 감소를 보였으나 물질전달제한지역에서는 응집에 의해 Cu 결정립간의 전기적 연결상태가 향상되어 급격한 비저항 감소를 보였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2014.02a
• /
• pp.332.2-332.2
• /
• 2014

OLED 소자가 소형화됨에 따라 Flexible display를 넘어 Foldable display를 연구 중이며 동시에 신뢰성 및 수명이 중요시 되고 있다. 따라서 본 연구에서는 신뢰성 및 수명 평가에 대한 한 가지 방법으로 Bending test를 이용하여 소자의 Resistivity 변화를 측정하여 소자의 신뢰성을 확인 하여 보았다. Flexible substrate위에 Ag와 Al을 Cross bridge structure로 각각 증착한 후 bending 시간에 따른 Sheet resistance (Rsh)와 Resistivity (비저항)을 분석 하였다. 100시간 동안의 bending test결과 Ag전극의 Rsh는 $0.104{\Omega}$에서 $0.098{\Omega}$으로 5.67% 감소하였고 비저항은 5.70% 감소하였다. Al전극의 Rsh는 $0.091{\Omega}$에서 $0.063{\Omega}$으로 30.4% 감소하였고 비저항은 30.3% 감소하였다. Foldable에서는 저항 변화가 크게 되면 접히는 부분의 흐르는 전류가 많아지게 되어 소자의 저하를 발생시킨다. 저항변화가 거의 없다는 것은 물질의 안정성이 좋다고 할 수 있다. 실험 결과 Ag의 저항 변화가 Al보다 작으므로 Ag가 Flexible 관련 물질로 더 유용하다는 것을 확인 할 수 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2014.02a
• /
• pp.370.2-370.2
• /
• 2014

본 연구에서는 Bending 시간에 따른 Ti/Au의 전기적 특성 변화에 대한 실험을 진행하였다. 전기적 특성을 평가하기 위해 PET 기판 위에 Ti/Au을 Greek Bridge와 Line Bridge를 합친 Cross Bridge 형태로 증착하였고, Cross Bridge의 Line을 bending하여 시간 경과에 따른 정적인(static) bending 영향을 확인하였다. Bending은 0~100시간까지 진행하였고, Line의 width를 200, 400, 800, $1000{\mu}m$로 가변하여 시간에 따른 비저항의 변화를 측정하였다. 실험결과 Bending시간이 길어짐에 따라 비저항이 감소하였고, 일정시간에서 크게 감소하며, 그 이후에는 포화되는 경향을 보였다. 또한 Width가 증가함에 따라 비저항의 변화가 컸다. 800 um, $1000{\mu}m$에서는 bending 직후 비저항이 초기대비 약 90%까지 떨어졌으며 100시간 후에는 80%까지 감소하였다. 100시간 뒤 Width에 따라 초기대비 비저항이 78%~91%까지 감소하는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2010.06a
• /
• pp.144-144
• /
• 2010

투명 산화물 반도체로 가장 널리 사용되는 산화아연 반도체의 온도 증가에 따른 비정상적인 비저항의 감소를 보고 한다. 이는 직류 마그네트론 스퍼터링 시스템을 이용하여 연구를 진행하였으며, 공정 변수 중 압력 가변만 진행하였다. 상온에서의 전류 전압 곡선을 바탕으로 온도 증가에 따른 전류-전압 곡선 해석, 결정성 확인을 위하여 XRD 장비를 이용하였으며, 화학적인 조성 확인을 위해 EDS 장비를 이용하였다. 이를 통해 아연과 산소의 비율, (100) 결정성 방향 등의 결과를 통해 온도 증가에 따른 비정상적인 전기적 비저항 감소에 대한 현상을 확인하였다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
• /
• v.8 no.3
• /
• pp.131-137
• /
• 1998

The thickness dependence of the microstructure and the giant magnetoresistance behavior of co-evaporated Co-Ag granular alloy films were investigated. The maximum magnetoresistance ratio of 24% was observed in the the as-deposited state of the 40 at. % Co alloy having 200 nm thickness. The surface scattering contributed about 20% to the total resistivity in the 20 nm thick films. The MR ratio dropped sharply when the film thickness was below 50 nm. The reduction in the Co particle size and the increase in solid solubility of Ag in fcc Co when the film thickness decreased were observed using a high resolution TEM. The aspect ratio of the Co particles was also affected by the film thickness. Those microstructural changes as well as the surface induced spin flipping play a significant role in the $\Delta$p change.

• Proceedings of the Korean Geotechical Society Conference
• /
• 2003.03a
• /
• pp.203-210
• /
• 2003

격자망식 전선배치에 의한 전기비저항 측정기법을 이용한 침출수 누출감지시스템을 개발하여 그 적용성을 평가하기 위하여 현장모형시험을 수행하였다. 현장모형시험을 수행한 결과 침출수 누출지점에서 전기비저항이 크게 감소하여 누출지점을 정확하게 감지할 수 있었다. 격자망식 전선배치에 의한 전기회로적인 효과로 인하여 전기비저항이 감소된 지점과 동일 전선상에 연결된 다른 센서에서의 측정값도 다소 감소하는 경향을 나타내었다. 이를 보정하기 위하여 P-SPICE를 이용하여 전기회로 시뮬레이션을 수행하여 전기회로 효과를 정량적으로 평가하였다 P-SPICE 시뮬레이션의 결과를 토대로 보정계수를 도출하여 현장모형시험결과를 보정하였으며, 보정된 겉과에 의하면 전기회로적 특성에 의한 영향을 효과적으로 제거되어 누출지점에서의 전기비저항 감소가 명확하게 나타났다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
• /
• v.16 no.6
• /
• pp.271-275
• /
• 2006

We investigated the magnetoresistance of perpendicularly magnetized magnetic tunnel junction composed of Co/Pd multilayers. The magnetoresistance was maximized with Co electrodes of about 5 nm thickness, which evidenced the important role of the interface in tunneling process. Both the change in perpendicular magnetic anisotropy and improvement of junction resistance were observed with changing Co sublayers, while the spin scattering became dominant with increasing Pd sublayers.

• Journal of the Korean Magnetics Society
• /
• v.6 no.2
• /
• pp.98-105
• /
• 1996

스퍼터링 방법으로 제작된 NiFe 박막에서 Ar 압력이 자기 및 자기저항 성질에 미치는 여향을 조사하였다. 타겟으로는 Ni$_{81}$$Fe_{19}$ 조성의 합금타겟을 사용하였다. TEM을 써서 박막의 미세구조를 조사하였으며, 보자력과 포화자화는 VSM으로 측정하였다. 합금박막의 조성은 ICPS로 분석 확인하였다. 10 mTorr 이상의 높은 Ar 압력에서 제작된 박막에서 갈라진 틈새(crack-like void)를 갖는 주상구조가 관찰되었다. 이러한 주상 결정립경계(columnar grain boundary)가 자화 과정에서 자구벽 핀닝자리(pinning site)가 되어, Ar 압력이 커짐에 따라 보자력이 증가 하였으며, 박막의 밀도가 감소하여 포화자화가 줄어드는 것을 볼 수 있었다. 한편, Ar 압력이 증가하면서 자기저항비가 감소하는 결과를 얻었다. 결정립 경계 산란과 결정립간 터널링에 의한 박막의 비저항의 증가가 이러한 자기저항비 감소의 주원인임을 알 수 있었다.다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
• /
• v.12 no.6
• /
• pp.231-234
• /
• 2002

Magnetic properties are investigated for top- and bottom-type spin valves of Si/SiO$_2$/NiO(60nm)/Co(2.5nm)/Cu(1.95nm)/Co(4.5nm)/NOL(t nm; Nano Oxide layer). The MR ratios of the bottom-type spin valves with NOL are larger than those of the top-type spin valves. However, the enhancement of the former is lower than the latter. Both of spin-valves also showed almost constant Ap and smaller p. Enhanced MR ratios of spin valves with NOL result mainly from small values of with constant Ap which due to specular diffusive electron scattering at NOL(NiO)/metal interfaces.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
• /
• v.8 no.1
• /
• pp.64-72
• /
• 1998

In this work, we have investigated the change of surface roughness, grain size and crystallinity of Poly-$Si_{1-x}Ge_x$ films deposited with the variation of deposition parameters (temperature, pressure, Ge composition ) and the effect of these results on the electrical resistivity. The crystallinity and the grain size were increased with increasing deposition temperature and Ge composition. Also, the electrical resistivity was decreased by enhanced grain size, while the surface roughness was increased. With increasing deposition pressure, the crystallinity was increased, but the grain size and the cluster size were decreased, by which the surface roughness was decreased. And the electrical resistivity was increased. Based on the effect of the crystallinity and the grain size on the electrical resistivity, it was founded that the electrical resistivity was depend on the grain size rather than the crystallinity.