• Broadcasting and Media Magazine
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• v.25 no.2
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• pp.52-60
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• 2020

최근 생체 정보를 이용한 사용자 인증 기술이 발전하면서 이를 모바일 기기에 적용하는 사례가 크게 증가하고 있다. 특히, 얼굴 기반 인증 방식은 비접촉식이며 사용이 편리하여 적용 범위가 점점 확대되고 있는 추세이다. 그러나, 사용자의 얼굴 사진이나 동영상 등을 이용한 위변조가 용이하기 때문에 모바일 기기 내 보안 유지에 어려움을 야기한다. 본 고에서는 이러한 문제를 해결하기 위해 최근 활발히 연구되고 있는 심층신경망 기반 얼굴 위변조 검출 연구의 최신 동향을 소개하고자 한다. 먼저, 기본 합성곱 신경망 구조부터 생성모델 기반의 위변조 검출 방법까지 다양한 신경망 구조를 이용한 위변조 검출 방법에 대해 설명한다. 또한, 심층신경망 학습을 위해 사용되는 얼굴 위변조 데이터셋에 대해서도 간략히 살펴보고자 한다.

• Applied Microscopy
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• v.29 no.4
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• pp.471-477
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• 1999

Microstructural observations on the pyrochlore-type $Lu_2Ti_2O_7$ and the similar type of compounds, $In_2(Ti_{1.7}Zn_{0.3})O_{6.7}$ and $In_2(Ti_{1.7}Mg_{0.3})O_{6.7}$ which were made by the isothermal heat-treatment at 1623K for 18 days in Pt tube, were carried out using a top-entry HRTEM working at 200 kV. The modulated structures were found in both compounds, however, not in $Lu_2Ti_2O_7$. From the electron diffraction pattern analysis, the modulated superlattices are incommensurate and are 2.69 times of sublattices along (220) direction. The high resolution TEM images have shown that the superlattices consist of alternate superlattices which are composed of two or three sublattices, resulting in the average of 2.7 times of sublattices in accordance with the analysis of electron diffraction patterns. The crystal structures of both compounds are found to quite similar to those of pyrochlore, however the evidence that the cubic axes are slightly deviated from right angle. The modulated structure has gradually changed to the unmodulated structure induced by electron irradiation.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.38 no.4
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• pp.360-364
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• 2001

고상반응법(solid-state reaction)으로 산화물 초전도체 Bi$_{2+x}$ Sr$_{1.8}$ $CaCu_2$$O_{8+\delta}$(-0.2$\leq$x$\leq$0.2)을 제조하여 조성변화에 따른 산소량과 Bi 이온의 하전가(valence)가 구조변조의 주기에 미치는 영향을 조사하였다. 2212상의 단일상 고용한계는 -0.1$\leq$x$\leq$0.1 영역이었다. 이 영역에서 x의 증가에 따라 격자상수 c는 감소를 보이며, 온셋 임계온도 Tc$^{on}$ 과 산소량은 증가하는 경향을 보였다. 또한, Bi 이온의 하전기와 구조변조의 주기는 단일상 고용한계 영역 내에서 x의 증가에 따라 감소하는 경향을 보이고 있다. 구조변조의 주기는 산소량이 증가함에 따라 감소하고 Bi 이온의 하전가 증가에 따라 증가함을 보였다. 즉, 산소의 절대량과 Bi 이온의 하전가에 따라 구조변조의 주기가 변화하는 것을 알 수 있었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.1923-1924
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• 2008

본 논문에서는 실리콘 기반에 집적화 가능한 새로운 구조의 K-band 4포트 직접변환 수신기 구조를 제안하며, 복조기를 측정하기 위한 K-band 변조 신호를 구현할 수 있는 변조기 모듈을 제작, 변조 신호와 복조기를 검증하였다. 제안된 수신 구조는 CMOS와 같은 실리콘 기반의 IC에서 집적화 할 수 있는 소형화된 새로운 방법이며, 회로를 검증하기 위하여 0.18um CMOS 공정을 이용 제작, 구조의 가능성을 검증하였다. 또한 비교적 낮은 변조 신호를 이용하여 K-band 대역 이상의 변조 신호를 만들 수 있는 방법을 제안, 제작 측정하였다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.15 no.3
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• pp.654-659
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• 2011

We propose a novel method to reduce laser chirp and improve modulation performance in semiconductor laser by using dual-electrode structure. Dual-electrode structure is realized by segmenting a electrode on top of gain medium, as was the case of edge emitting laser diode, into electrically isolated two electrodes. By using the proposed structure, we have experimentally achieved a reduction of laser spectral width of 0.23 nm and an improvement of 2.5-dB receiver sensitivity at an 80-km fiber transmission for 10-Gbps NRZ (non-return-to zero) data stream.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.35D no.10
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• pp.91-97
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• 1998

The modulation performance of 10 Gbps electro-absorption InGaAsP/InGaAsP strain compensated MQW (Multiple Quantum Well) modulator module depends on the modulator as well as the package parasitics. The high frequency package parasitics resulting from various structural discontinuities, limit the modulation bandwidth and increase the chirp-parameter. Therefore, we propose the double bondwires embedded in dielectric materials to minimize the bondwire parasitics. Using the proposed structure with 50 $\Omega$ terminating resistor, the modulation bandwidth is greatly increased by 125 % than the bare chip and the chirp-parameter is also reduced. This technique can be used in optimizing the package of high speed external modulators.

• Applied Microscopy
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• v.29 no.1
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• pp.95-103
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• 1999

Microstructural observations on the pseudo-brookite $MgTi_2O_5$ and the similar type of $(In_{0.36}Zn_{1.09})Ti_2O_{5.64}$ were carried out using a top-entry HRTEM working at 200 kV. The modulated structures were found in $(In_{0.36}Zn_{1.09})Ti_2O_{5.64}$, however, not in $MgTi_2O_5$. The electron diffraction patterns of sublattice in $(In_{0.36}Zn_{1.09})Ti_2O_{5.64}$ are quite similar to those of pseudo-brookite $MgTi_2O_5$. but the complicated superlattice reflections are present in the diffraction patterns. Four types of modulations have been found. The periodicities for the modulated structure are found to be 3.63 nm, 0.79 nm and 0.64 nm along [220] direction, and 0.81 nm along [420] direction. The phase transition from the modulated structure to the unmodulated one was also observed in situ due to the electron beam irradiation reversibly. Further damage by the electron beam made the crystal to be fragmented into many small crystals with the formation of the voids at the kinks in ledged structure of the surface. The anisotropic arrangements of In and O atoms in $(In_{0.36}Zn_{1.09})Ti_2O_{5.64}$ might cause the compound to be unstable under the electron beam.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.08a
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• pp.22-23
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• 2000

GaAs/AlGaAs나 InGaAs/InGaAsP와 같은 반도체 기판을 이용한 전계광학 광변조기는 LD나 SOA와 같은 광소자와 단일기판 집적이 가능하고 낮은 chirping과 높은 변조대역폭을 갖는 외부광변조기로서의 장점으로 인하여 마이크로파 대역의 초고속광통신소자로 각광을 받아왔다. 특히 진행파의 속도가 정합된 traveling-wave 전극 구조를 갖는 경우 변조대역폭은 30-400Hz에 달하고 있다$^{(1)}$ . 그러나 한편으로는 반도체의 전계광학계수(electro-Optic Coefficient)가 LiNbO$_3$에 비해 10분의 1정도로 작아 상대적으로 동작전압이 커지는 단점이 대두되며 실제 구동전압이 수십 V에 이르고 있다. 이런 단점을 극복하기 위하여 p-i-n 구조를 이용하여 전계 집속도를 높이는 방법이 제안되어 동작전압이 2 V/mm 정도까지 감소하였다$^{(2)}$ . 본 논문에서는 이와 같은 반도체 전계광학 광변조기에서의 소신호 및 대신호 광변조특성을 분석함으로써 보다 높은 변조대역폭과 보다 낮은 동작전압을 갖는 구조를 연구하였다. (중략)

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.36D no.6
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• pp.87-96
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• 1999

For analog optical transmission of narrow-band microwave signal, a novel all-optical linearization technique of electro-absorption (EA) optical modulator by using dual modulation scheme is proposed and theoretically investigated. By using the dual modulation scheme where the sub-modulator has a different length, DC bias and band-gap wavelength, the DC bias operation point where the third-order intermodulation products of ~30dB and the following increase of spurious free dynamic range (SFDR) of ~20dB wave achieved in sub-octave narrow band operation.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.11 no.1
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• pp.1-6
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• 2007

In this paper, a simplified new modulation classification method that utilizes likelihood function for received signal in an impaired AWGN channel environment. The proposed method provides the superior to ML method, although the likelihood under the assumption that each modulated signal is sent utilized. On the other hand, the ML method gets the performance characteristics of high computational complexity and weakness to channel impairment such as phase offsets and frequency offsets. The proposed method has lower computational complexity than that of the ML method. Moreover, the proposed method is robust to the channel impairment such as phase offsets and frequency offsets. The correct classification probabilities of the proposed method and the ML method are given for an AWGN channel with phase offsets and frequency offsets, which were simulated with extensive Monte-Carlo simulation. As shown in simulation resole, a more accurate classification performance both in phase offset environment and in frequency offset can be achieved with the low computational complexity of the proposed method.