• 제목/요약/키워드: 베이스 저항

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고효율 단결정 실리콘 태양전지의 제작을 위한 PC1D 시뮬레이션 최적화 (PC1D Simulation for Optimization of High Efficiency Single Crystalline Silicon Solar Cell)

  • 최영준;문인용;이준신
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.153-154
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    • 2007
  • 결정질 실리콘 웨이퍼의 두께와 비저항은 태양전지의 효율을 결정하는 매우 중요한 요인이다. 높은 효율을 갖는 태양전지 설계를 위해 태양전지 시뮬레이터인 PC1D 프로그램을 이용하여 태양전지 웨이퍼 두께, 웨이퍼 비저항, 에미터 도핑 농도를 조절하였다. 최적화 결과, 베이스층 두께 $100{\mu}m$, 비저항 $0.1{\Omega}{\cdot}cm$, 에미터층 도핑 농도 $3{\cdot}10^{18}cm^{-3}$에서 $J_{sc}=39(mA/cm^2),\;V_{oc}=734(mV),\;P_{max}=3.17(W)$, FF=74, Efficiency=21.3%의 고효율을 얻을 수 있다. 본 연구를 통하여 태양전지 설계나 제조 시에 연구비를 절감할 수 있고 높은 효율의 태양전지로 접근할 수 있다.

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자기정렬된 물결모양 P-베이스를 갖는 베이스 저항 제어 사이리스터의 소자특성에 관한 연구 (Study of the Device Characteristics of The Base Resistance Controlled Thyristor With The Self-Align Corrugated P-base)

  • 이유상;변대석;이병훈;김두영;한민구;최연익
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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    • 제48권3호
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    • pp.167-172
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    • 1999
  • The device characteristics of the base resistance controlled thyristor with self-align corrugated p-base is demonstrated for the first time with varying the n+ cathode width and the temperature form room temperature to $125^{\circ}C$. The experimental results show that the snap-back in the CB-BRT is significantly suppressed irrespective of the various n+ cathode width and the temperature as compared with that of the conventional BRT. The maximum controllable current of the CB-BRT is uniformly higher when compared with that of the conventional BRT over the temperature range from room temperature to $125^{\circ}C$.

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보청기를 위한 개별 BJT 소자의 효과적인 바이어스 회로 (An Efficient Bias Circuit of Discrete BJT Component for Hearing Aid)

  • 성광수;장형식;현유진
    • 전자공학회논문지SC
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    • 제40권6호
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    • pp.16-23
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    • 2003
  • 본 논문에서 보청기를 위한 개별 BJT 소자의 효과적인 바이어스 회로를 제안한다. 보청기에 널리 사용되는 컬렉터 귀환 바이어스 회로는 부귀환 저항을 가지고 있다. 이 저항은 AC와 DC에 동시에 영향을 줌으로서 DC 바이어스 점의 변화 없이 증폭기의 이득을 변화시키기 어렵다. 또한 기존회로는 보청기의 이득이 높을 경우 전원 잡음의 정귀환으로 발진할 수 있는 단점이 있다. 제안된 회로는 컬렉터 귀환 바이어스회로에 베이스와 전원 사이에 컬렉터 저항보다 β배 더 큰 저항을 추가하여 기존회로의 두 가지 단점을 줄일 수 있다. 제안된 회로에서 DC 바이어스 점의 변화 없이 증폭기의 이득을 변경 할 수 있고 모의실험에서 기존회로보다 전원 잡음 이득을 18.5%정도 감소시킬 수 있다.

전류미러회로를 이용한 직류전류센서의 비직성의 특성조사 (A study of Current Senser Using Current Mirror Circuit)

  • 유수엽;하재열;윤희상
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2006년도 춘계학술대회 논문집 전기기기 및 에너지변환시스템부문
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    • pp.256-257
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    • 2006
  • 전류 미러회로를 이용한 직류 전류 센서를 이용하면 간단하게 전류센서회로를 구성할 수 있다. 더우기 Shunt 저항에서 낮은 전압을 이용하므로 효율적인 전류감지회로를 구성할 수 있다. 그러나 트랜지스터의 에미터 베이스 전압을 이용하므로 비 직선성이 두드러진다. 이 회로의 전류센서, 온도특성등 여러 전기적 물리적 특성을 이해하고 이를 마이크로프로세서를 이용하여 그 특성을 상쇄하는 구성을 고려하여 보기로 한다.

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스폿용접기의 용접품질 향상을 위한 동저항 데이터 베이스 구축 (Implementation of Dynamic Resistance Database for Weld Quality Improvement of Spot Welder)

  • 조승진;김재문;원충연;최규하;김규식;목형수
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 1998년도 전력전자학술대회 논문집
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    • pp.143-148
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    • 1998
  • A dynamic electrical parameter monitoring device was designed to simultaneously record the instantaneous value of voltage, current, power, and resistance during spot welding. The data obtained using this technique have been analyzed in term of the relationships of these parameters to the phenomena occuring during the formation(surface break-down, nugget formation and mechanical collapse) of spot weld. Finally, a database implementation is undertaken to develop techniques for improving weld quality of the resistance spot welder.

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기생 BJT의 DC 베이스저항 측정을 통한 MOSFET의 기판저항 추출 (Extraction of Substrate Resistance in MOSFET Through DC Base Resistance Measurement of Parasitic BJT)

  • 정대현;차준영;차지용;이성현
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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    • pp.393-394
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    • 2008
  • This paper presents a new method to extract the substrate resistance by fitting current-dependent base resistance of parasitic BJT without a complex RF extraction method. The extracted substrate resistance values using the new method match well with those using the RF one, verifying the accuracy of the proposed DC technique.

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3차원 비정형 Setback 구조물의 동적 특성 (Dynamic Characteristics of a 3-dimensional Irregular Setback Structure)

  • 문성권
    • 전산구조공학
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    • 제11권4호
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    • pp.287-294
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    • 1998
  • 입면의 형태가 임의의 층에서 큰 차이를 보이는 3차원 비정형 setback 구조물의 동적 거동 특성과 이들 구조물의 동적 거동에 미치는 바닥 슬래브의 면내 변형 효과를 분석하였다. 비정형 setback 구조물의 전반적인 동적 거동특성을 분석하기 위하여 베이스 부분의 평면적과 타워 부분의 평면적 비(R?), setback 발생위치(L?)등을 매개 변수로 사용하였다. 48개의 비정형 setback 구조물들에 대한 해석 수행 결과 setback 구조물은 정형 구조물에 비해 횡방향 1차 모드의 유효 모드 중량(effective modal weight)이 작게 나타나는 경향을 보이기 때문에 setback 구조물의 동적 거동을 파악하기 위해서는 등가 정적 해석법 대신에 동적 해석을 수행할 필요가 있음을 알 수 있었다. 바닥슬래브의 면내 변형은 보다 긴 구조물의 고유 진동 주기값을 가져오며 모드 순서 및 모드 형상에도 변화를 준다. 이러한 사실은 바닥슬래브의 면내 변형으로 인하여 횡방향 저항 요소들간의 전단력 분포와 층 변위가 영향을 받을 수 있다는 것을 의미한다. 이러한 현상은 횡방향 저항 요소들간의 강성 차가 심한 프레임-전단벽 시스템에서 두드러지게 나타난다.

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다결정 실리콘 태양전지 구조 최적화에 관한 연구 (A Study on the Optimization of Polysilicon Solar Cell Structure)

  • 이재형;정학기;정동수;이종인
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2011년도 춘계학술대회
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    • pp.702-705
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    • 2011
  • 고효율 다결정 태양전지 제작의 방향을 제시하기 위해 PC1D 프로그램을 이용하여 전, 후면 재결합 속도, 소수 캐리어 확산거리, 접합깊이, 에미터 층 면저항, 후면 전계층이 미치는 영향을 조사하였다. 최적화된 전지 파라미터는 후면 재결합 속도 1000 cm/sec, 베이스 층에서의 소수 캐리어 확산거리 50 [${\mu}m$], 전면 재결합 속도 100 [cm/sec], 에미터 층 면저항 $100{\Omega}/\Box$, 후면 전계층 두께 및 도핑 농도는 각각 0.5 [${\mu}m$]와 $5{\times}10^{19}\;cm^{-3}$로 조사되었다. 특히 19.8% 이상의 변환효율을 얻기 위해서는 베이스층의 확산거리가 가장 중요한 파라미터임을 알 수 있었다.

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접착 테이프형 액체 누설 감지 박막 센서

  • 한국희;김윤중;정종윤;이민경;강한림;김중길;이원영;유홍근;조광섭
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.355-355
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    • 2012
  • 액체 누설을 감지하는 센서를 개발하였다. 이 센서는 경보 장치를 포함하며 접착 테이프형태의 박막 센서이다. 센서는 총 4개의 층으로 구성되어 있다. 각 층의 명칭은 접착제층, 베이스 필름층, 기판 필름층, 보호 필름층이다. 감지선의 사용량을 최소화하여 기판 필름층 위에는 총 4개의 선이 있다. 전도선 3개와 저항선 1개이다. 4개의 선들은 기판 필름층에 전도성 은나노 잉크를 그라비어인쇄기를 이용하여 센싱 회로를 인쇄하였으며 이 기술의 이 센서의 가장 큰 특징이다. 누수 발생 시에 저항선과 전도선에 액체가 접촉되어 회로 상에 교차하는 내부저항의 전압 변화를 모니터링하여 누수를 감지하는 방식의 센서이다. 감지선에 전원을 양방향으로 번갈아 인가함으로써 수분의 저항 값 증가 및 양극화를 방지하였다. 그로 인해 기존의 센서에 비해 좀 더 안정적이고 정확한 감지를 할 수 있다. 설치 후 센서가 마모되거나 손상될 시 간단하게 재설치 할 수 있다는 장점도 있다. 액체 누설 후에도 별도의 건조시간이 필요하지 않다. 표면에 남아있는 액체를 제거하여 즉시 재사용하는 것이 가능하다. 액체누설 감지 시스템은 액체누설 감지 필름 센서를 포함하며, 표시부와 경고음 발생부 등 전체를 제어한다. 표시부의 누설 위치 표시 단위는 미터(m)이며 최소 0.1 m 단위까지 표시한다. 이 액체누설 감지 시스템을 이용하여 누설 위치 감지 실험 및 액체별 누설 위치 감지 실험을 진행하였다.

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PDMS 기반 강성도 경사형 신축 전자패키지의 신축변형-저항 특성 (Stretchable Deformation-Resistance Characteristics of the Stiffness-Gradient Stretchable Electronic Packages Based on PDMS)

  • 박대웅;오태성
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제26권4호
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    • pp.47-53
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    • 2019
  • Polydimethylsiloxane (PDMS)를 베이스 기판으로 사용하고 이보다 강성도가 높은 polytetrafluoroethylene(PTFE)를 island 기판으로 사용한 soft PDMS/hard PDMS/PTFE 구조의 강성도 경사형 신축 패키지를 형성하고, 이의 신축변형에 따른 저항특성을 분석하였다. PDMS/PTFE 기판패드에 50 ㎛ 직경의 칩 범프들을 anisotropic conductive paste를 사용하여 실장한 플립칩 접속부는 96 mΩ의 평균 접속저항을 나타내었다. Soft PDMS/hard PDMS/PTFE 구조의 신축 패키지를 30% 변형률로 인장시 PTFE의 변형률이 1%로 억제되었으며, PTFE 기판에 형성한 회로저항의 중가는 1%로 무시할 정도였다. 0~30% 범위의 신축변형 싸이클을 2,500회 반복시 회로저항이 1.7% 증가하였다.