Characterization of Hafnium Oxide Gate Dielectric Deposited by Plasma-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition (플라즈마 화학기상증착법으로 증착법으로 게이트 유전체용 하프늄 옥사이드의 특성평가)
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- Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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- 2001.05a
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- pp.85-85
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- 2001