• 동위원소회보
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• 제9권4호
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• pp.62-68
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• 1994

• 동위원소회보
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• 제21권3호
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• pp.61-64
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• 2006

• Radiation Oncology Journal
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• 제12권2호
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• pp.151-158
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• 1994

본 연구는 1989년 1월부터 악성성상세포종과 다형성 교아종에 대해 시행된 방사선 치료에 다분할 방사선 치료와 단순분할 방사선 치료와 단순분할 방사선 치료에 대한 효과를 비교하고 이들 뇌종양의 방사선치료후 예후에 영향을 미치는 인자를 확인하기 위해 시행되었다. 뇌간의 교종 환자를 제외한 전체 43명의 환자는 조직학적으로 악성성상세포종과 다형성교아종으로 확인되었고, 모두 방사선치료를 받았다. 환자는 일반적으로 알려진 예후인자인 연령, 성별, 수행능력, 조직학적 형태, 종양의 절제정도에 따라 분류하였다. 정위적 조직 생검만 시행한 경우는 13명으로 다분할 방사선 치료군과 단순분할 방사선 치료군에서 각각 8명, 5명이었고 개두술에 의해 종양절제술을 받은 경우는 30명으로 다분할 방사선 치료군과 단순분할 방사선 치료군에서 각각 16명과 15명이었다. 조직학적 소견에 따라 악성성상세포종은 15명으로 다분할 방사선 치료군과 단순분할 방사선 치료군에서 각각 6명, 9명이었고 다형성교아종은 25명으로 다분할 방사선 치료군과 단순분할 방사선 치료군에서 각각 16명, 10명이었다. 수행 능력이 70이하인 경우는 8명으로 다분할 방사선 치료군과 단순분할 방사선 치료군에서 각각 4명이었으며 대부분이 수행능력 70이상이었다. 50세 이상인 경우 26명이었고 50세 이하인 경우가 18명이었다. 환자의 중앙연령은 52.5세이고, 범위는 2에서 78세였다. 방사선 치료는 1989년 1월부터 1991년 12월까지 단순분할 방사선이 19명의 환자에게 시행되었고 1992년 1월부터 1993년 1월까지 24명의 환자에서는 다분할 방사선 치료가 시행되었다. 단순분할 방사선치료는 종양부위에 하루 일회 1.8Gy씩 조사되어 7주에 걸쳐 총 63Gy가 조사되었다. 그리고 다분할 방사선 치료는 종양 부위에 1.6Gy씩 1일 6시간 간격으로 2회씩 조사하여 4주에 걸쳐 총 64Gy가 조사되었다. 중앙추적 관찰기간은 9개월이었고 범위는 7개월부터 4년이었다. 전체 환자의 중앙생존 기간은 9개월 이었고 단순분할 방사선 치료군과 다분할 방사선 치료군에서 각각 9개월, 10개월 다형성교아종파 악성성상 세포종에서 각각 10개월 9.5개월이었다. 방사선 조사방법에 따른 비교와 조직학적 형태에 따른 비교에서 의미있는 통계적 차이는 발견할 수 없었다. 컴퓨터 단층촬영이나 핵자기 공명촬영으로 추적 관찰이 가능했던 36명의 환자에서 질병의 상태를 평가하였으며 다분할 방사선 치료군에서 21명중 4명이 무병상태로 생존해 있었고 단순분할 방사선 치료군에서는 13명중 무병상태로 생존한 환자는 없었다. 20명의 환자에서 질병이 진행되거나 재발하였는데 이들중 8명은 방사선이 조사되지 않은 새로운 부위에서 재발하였다. 본 연구에서는 일반적으로 예후 인자로 알려진 연령, 수행능력, 조직학적 형태, 종양의 절제정도가 예후에 영향 미치는 지를 확인할 수 없었다. 본 연구에서 추적기간이 짧기 때문에 정확한 결론을 도출하기 어려우나 고등급 교종에서 다분할 방사선 치료 방법으로 1.6Gy씩 1일 2회로 총 64Gy 조사는 단순분할 방사선 치료방법에 의한 결과보다 더 나은 결과를 보여주지는 못하였다. 그러나 단순분할 방사선 치료와 비교해서 치료에 큰 장애 없이 치료기간을 약 3주 정도 단축시킬 수 있었다. 정확한 결론을 얻기위해 지속적인 추적관찰이 필요하며 치료결과를 향상시키기 위하여 방사선 조사 방법에 있어서 총 방사선량, 1회 방사선 조사량의 조정을 고려한 연구가 필요하며 총 방사선량을 증가시키는 한 방법으로 다분할 방사선 치료와 감마 나이프나 침입형 근접치료를 병용하는 방법도 고려될 수 있겠다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2012년도 춘계학술대회
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• pp.880-883
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• 2012

본 논문에서는 CMOS 논리소자의 과도방사선 피해 영향을 분석하기 위해 0.18um CMOS 공정으로 NMOSFET, PMOSFET을 이용하여 기본 논리소자인 INVERTER, NAND, NOR를 설계하고 제작하였다. 제작된 논리 소자 실측결과 1.8V 전원에서 1kHz의 Pulse 입력을 가하였을 때 소모 전류는 70uA 이내, Rising Time, Falling Time 또한 4us 이내이며 펄스 방사선 실측시험을 위해 50M Cable을 이용하여 측정결과 Line Delay가 발생하는 것을 확인하였다.

• 대한전자공학회논문지SP
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• 제45권4호
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• pp.71-77
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• 2008

이 논문은 산업용 방사선영상을 비선형왜곡의 영향으로부터 복구하는 방법을 제시한다. 비선형 형태의 모델을 구현하기 위해 역자승법칙과 비어의 법칙에 근거한 해석적 방법을 고안한다. 방사선 선원과의 위치설정에 따른 다양성에 기인한 기하학적 영향이 디지털화된 영상에 반영된다. 각도, 위치, 흡수상수, 길이, 너비 및 화소수 산출 등과 같은 파라미터 값으로 표현하는 모델관련 특성을 샘플영상과 일치하도록 모델 내에 수식적으로 규정하였다. 모델과 최근접한 영상으로의 복구를 위한 탄젠트 기울기 기반 보정기법을 고안하였다. 이 방식을 강판튜브 방사선영상에 적용하여 영상을 복구한 결과가 제시되고 논의된다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2013년도 춘계학술대회
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• pp.791-794
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• 2013

본 연구에서는 초기 핵 방사선 조건에서 반도체소자의 과도응답특성을 분석하기 위한 선행연구의 일환으로 반도체 소자의 과도방사선에 의한 영향에 대한 주요원인과 반도체의 물성, 설계구조, 공정방식의 조건에 따라 소자내부에 생성되는 광전류 거동특성에 대한 정략적인 분석을 위한 시뮬레이션 분석을 수행하였으며 결과적으로 반도체소자의 설계조건과 입력되는 과도방사선의 선량율에 따른 비선형 특성을 확인하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2016년도 춘계학술대회
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• pp.775-777
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• 2016

본 연구에서는 반도체 집적회로에 사용되는 단위소자인 nMOSFET, pMOSFET, NPN 트랜지스터를 0.18um 반도체공정으로 제작하고 펄스방사선 영향 분석을 수행하였다. 펄스방사선 조사시험 결과 nMOSFET의 경우 $2.07{\times}10^8rad(si)/s$ 이상의 선량에서 수십 nA의 광전류가 발생되었으며, pMOSFET의 경우 $3{\times}10^8rad(si)/s$ 이상의 선량에서도 광전류가 발생되지 않는 결과를 확인하였다. NPN 트랜지스터의 경우 MOSFET과는 다르게 광전류가 약 1uA 발생되었다. 따라서 내방사선 IC 설계시 BJT 보다는 MOSFET을 시용하여야 한다.

• 한국방사선학회논문지
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• 제13권3호
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• pp.465-472
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• 2019

본 연구는 CT를 이용한 지방측정(Fat measurement)에 반복 재구성법(IR)이 어떠한 영향을 미치는지 알아보기 위하여 기존의 필터보정 역투영법(FBP)과 비교하여 고급 모델링 반복 재구성법(ADMIRE)은 어떠한 차이가 있는지 알아보고자 한다. CT Fat measurement에 ADMIRE가 미치는 영향에 대해 알아본 결과 기존의 Filtered back projection과 비교하여 Visceral fat area, Subcutaneous fat area, V/S Ratio, Visceral fat area의 HU 그리고 Subcutaneous fat area의 HU는 통계적으로 유의한 차이가 없었다. 하지만 ADMIRE Strength가 커질수록 Visceral fat area의 Noise는 최대 12%, Subcutaneous fat area의 Noise는 최대 19% 감소하였다. 그리고 CT를 이용한 Fat measurement에서 내장지방과 피하지방 측정에 ADMIRE 알고리즘은 아무런 영향을 주지 않았다.

• Parasites, Hosts and Diseases
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• 제31권3호
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• pp.277-284
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• 1993

세계적으로 중요한 열대풍토병 병원체의 하나인 열대리슈마니아의 핵형에 영향을 줄 것으로 기대되는 인자와 그 효과를 관찰하고자 하였다. 토기의 혈액을 포함한 N.N.N. 배지에서 유지하고 있는 열대리슈마니아(Leishmania major)의 promastigote를 열쇽. 약제 첨가 자외선 조사 및 감마선을 이용한 방사선 조사를 여러 가지 방법으로 시행하고 주기변동전기영동(pulsed field gradient gel electrophoresis)을 이용하여 핵형의 변동 여부를 관찰하였다 그 결과 여러 방식에 의한 열쇽과 약제 처리 및 자외선 조사에 따른 핵형의 변화가 없었다 그러나 방사선 조사군에서는 50 Gy 이상 조사한 군에서 1 mesa base pair(Hb) 크기에 있는 염색체부터 소실되기 시작하여 방사선 조사량이 증가함에 따라서 250-500 Kb의 작은 염색체도 파괴되어 500 Gy 이상 군에서는 뚜렷한 염색체 분획이 없이 젤 하단 200 Kb 크기 아래 부분에 몰려 있었다. 이러한 소견은 방사선에 의하여 염색체가 불규칙하게 파손된 것을 의미한다고 하겠다. 방사선을 300 Gy까지 조사한 충체는 계대 배양이 가능하였고. 이들은 원래의 핵형을 유지하였다. 방사선조사 후에 배양된 충체는 염색체가 파괴되지 않았거나 부분적인 손상 후에 DNA 재결합에 의해 원상회복된 것으로 판단된다. 열대리슈마니아의 핵형은 일시적인 자극에 의하여 쉽게 변형되지 않는 안정된 것임을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1992년도 추계학술대회 논문집
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• pp.123-127
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• 1992

MOS 커패시터가 이온화 방사선에 노출되었을 경우, MOS 커패시터의 방사선 조사 효과는 소자의 전기적 특성 및 동작 수명에 심각한 영향을 일으킬 수 있다. MOS 커패시터는 (100) 방향의 P-type Si wafer 위에 산화막층을 $O^2$+T.C.E. 분위기에서 성장하였으며, 그 두께는 40~80 nm로 만들었다. MOS 커패시터에 대한 방사선 조사는 $Co^{60}-{\gamma}$선을 사용하였고, 조사선량은 $10^4{\sim}10^8$으로 조사하였다. MOS 커패시터에서 전기적 전도 특성의 방사선 조사효과는 산화막 두께와 조사선량을 변화하면서 측정된 P-type MOS 커패시터는 조사선량에 의해서 강하게 영향을 받는다는 것과 저전계 영역에서의 Ohmic 전류가 전체 선량에 의존한다는 것을 알았다. 이 결과는 방사선 조사에 의해 산화막 트랩전하와 산화막-반도체($SiO_2$-Si)계면 트랩전하에 의해서 설명 할 수 있다.