• Aerospace Industry
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• v.83
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• pp.8-13
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• 2004

지난 2년은 항공우주산업의 대부분 분야에서 최악의 시기였다 하여도 과언이 아니다. 그렇다면 2004년이 과연 그토록 기다리던 반전의 시기가 될 수 있을 것인가. 그 가능성을 분야별로 점검해 본다.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2005.06a
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• pp.38-39
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• 2005

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2005.06a
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• pp.104-105
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• 2005

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2002.11a
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• pp.72-73
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• 2002

• The Korean Journal of Financial Management
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• v.17 no.1
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• pp.67-89
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• 2000

반전거래전략의 투자성과와 체계적 위험의 관계를 분석한 결과를 요약하면 다음과 같다. 첫째, 시장모형과 Ibbotson(1975)의 RATS 모형을 이용하여 형성기간과 검증기간의 베타계수를 측정한 결과 체계적 위험의 변동가설에서 예견하는 것과 일치하는 결과를 발견할 수 있었다. 승자 포트폴리오의 베타계수는 검증기간에서 하락하는 한편 패자 포트폴리오와 차익 포트폴리오의 베타계수는 상승하는 것으로 나타났다. 둘째, RATS 모형을 이용하여 검증기간의 비정상수익률을 측정한 결과, 차익 포트폴리오의 경우 시장조정수익률 모형을 이용할 때의 월평균비정상수익률(1.32%)보다 작은 0.87%(t=3.153)이었다. 이러한 결과는 반대거래전략의 투자성과가 체계적 위험의 변화에 기인하는 증거로서 의미를 갖는다. 한편 형성기간과 검증기간에서 베타계수와 월평균비정상수익률의 변화를 분석한 결과 베타계수와 월평균비정상수익률이 동일 방향으로 변화하였던 것으로 나타났다. 셋째, 반전거래전략의 투자성과가 체계적 위험의 변화에 기인하는지를 검증하기 위하여 Chan (1988)의 모형을 이용하여 체계적 위험과 시장위험프리미엄의 관계를 분석한 결과, Chan(1988)이 주장한 것처럼, 패자 포트폴리오와 차익 포트폴리오의 경우 베타계수와 시장위험프리미엄 사이에 양(+)의 상관관계가, 그리고 승자 포트폴리오의 경우에는 음(-)의 상관관계가 존재하는 것으로 나타났다. 넷째, Chan(1988)이 주장한 것처럼, 체계적 위험과 시장위험프리미엄의 변화 관계가 시장상황에 따라 영향을 받는지를 검증하기 위하여 활황시장과 침체시장으로 분류하여 각 시장상황에 따라 베타계수를 추정하였다. 추정결과에 의하면, 패자 포트폴리오의 베타계수는 활황시장에서 1.0967(t=13.018), 침체시장에서 1.0883(t=15.310)을 보였으며, 승자 포트폴리오의 베타계수는 활황시장에서 0.9468(t=9.100), 침체시장에서 0.9086 (t=7.431)을 보였다. 다시 말하여 패자 포트폴리오의 베타계수는 시장상황에 따라 거의 차이를 보이지 않았지만, 승자 포트폴리오의 베타계수는 침체시장보다 활황시장에서 크게 나타남으로써 체계적 위험 변동가설과 일치하는 결과를 보였다.

• Economic and Environmental Geology
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• v.14 no.3
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• pp.193-201
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• 1981

The problem of automatic inversion of apparent resistivity sounding curves resulting from horizontally layered earth models is solved using the least-squares technique. This method, which makes use of damped least-squares algorithm in conjunction with digital filtering technique, is found to be speedier and more accurate than the conventional curve-matching method. Four sounding curves were chosen to test the inversion scheme. The analysis of the theoretical sounding data associated with a three-layer model illustrates clear advantages over the conventional curve-matching method. The usefulness of the inversion method is also shown when applied to the actual field data. It was found that the best fit earth models coincide with the subsurface structures confirmed by drilling.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.13 no.11
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• pp.2304-2310
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• 2009

This paper presents WSK(wavelet shift keying) that can be improved to bit transmission rate in the digital communication. An algorithm of the conventional modulation is carried out that the scaling function and wavelet are encoded to 1(mark) and 0(space) for the input binary data, respectively. A new modulation technique that uses four carrier frequencies is proposed. Four carrier frequencies are defined as scaling function, inversed scaling function, wavelet, and inversed wavelet, which are encoded to 10, 11, 00 and 01 respectively. An algorithm of the proposed demodulation is decode to the original data using four correlation. As a results of simulation, we confirmed that the proposed method was improved to the performance at twice for the bit transmission rate.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2008.06a
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• pp.490-492
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• 2008

고압 전원 장치(High Voltage Power Supply)는 근래에 와서 산업전반에 응용이 매우 광범위하게 확산되고 있고 고전압 장치가 필수적으로 이용 되어야 하는 분야가 점차 확산되고 있다. 응용분야로는 신소재 개발과 플라즈마 응용을 위한 공업용과 민생용, 의료기기용, 군사용, 또한 프린터에 이르기까지 다양하게 있다. 가정이나 사무실에서 쉽게 접할 수 있는 IT장비인 프린터인 경우에도 전원 공급 장치의 측면에서는 화상형성에 있어 가장 필수적인 안정적이고 다기능을 가지는 고압 전원장치를 적용하고 있고, 수요 또한 증가하고 있다. 본 논문은 낮은 입력 DC전압에서 높은 음의 DC전압을 출력하는 높은 전환 비의 극성 반전 형 DC/DC 전력 변환 회로에 관한 것으로써, 하나의 스위치, 하나의 인덕터, 그리고 다수개의 캐패시터와 다이오드로 구성된다. 기존의 극성 반전 형 DC/DC 컨버터 회로와 비교하여, 고압 변환 트랜스포머 대신에 인덕터를 사용할 수 있어, 자기 소자의 부피 및 크기는 물론 원가저감이 가능하다. 또한 반도체 소자의 Voltage Stress가 감소된다. 제안된 회로의 원리를 분석하고, 종래의 고압 전원장치와 비교함으로써 장점을 알아본 후, 동작원리에 대한 타당성을 Simulation 및 실험을 통하여 검증한다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.15 no.2
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• pp.89-99
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• 2004

At the interface of two materials with frequency-dependent material-parameters of permittivity and permeability, there may exist two kinds of surface polaritons: surface electric-polaritons(SEPs) and surface magnetic-polaritons(SMPs). Possible combinations of the material-parameters to support propagation of the two surface polaritons are suggested at the interface between metals and metamaterials such as a left-handed material. Dispersion relations are also derived in order to characterize frequency dependence of propagation of the SEP and SMP. It is found that only one propagation mode of SEP or SMP is allowed at a given set of four material parameters, and that counter-propagation of the phase and group velocities of the propagation mode can be observed even in the case when there are no double negative(or, negative-index) materials. Physical origin of the counter-propagation of the group velocity is proposed by evaluating the ratio of two electromagnetic-energy densities of a surface polariton propagating along within the two interface media, and it is confirmed by the dispersion relations.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.44 no.3 s.357
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• pp.20-25
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• 2007

The periodic domain-inversion in the selective areas of $Ti:LiNbO_3$ Mach-Zender waveguides was performed and band-pass modulators and single sideband (SSB) modulators were fabricated by using domain-reversal. The domain wall velocity was precisely controlled by real-time analysis of a poling-induced response current under an applied voltage. The domain wall velocity was significantly affected by the crystal orientation of the domain wall propagation which influenced the final domain geometry. In a certain case, the decomposition of $LiNbO_3$ crystal was observed, for example, under the condition of too fast domain wall propagation. The fabricated band-pass modulator with a periodic domain-inversion structure showed the maximum modulation efficiency at 30.3 GHz with 5.1 GHz 3dB-bandwidth, and SSB modulator was measured to show 33 dB USB suppression over LSB at 5.8 GHz RF.