• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.05a
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• pp.47.2-47.2
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• 2011

광전환 효율 20% (AM1.5G) 이상의 고효율 화합물 박막태양전지의 광흡수층으로 많은 관심을 받고 있는 $Cu(In,Ga)Se_2$ (CIGS) 태양전지의 광흡수층은 다양한 공정에 의해 제조가 가능하다. 현재 고효율 CIGS 셀 생성을 위해 널리 사용되고 있는 CIGS 흡수층 성장공정은 "co-evaporation (동시증발법)"과 2-step 공정이라 불리는 "precursorselenization(전구체-셀렌화)" 방법이다. 동시증발법은 개별원소 Cu, In, Ga, Se들을 고진공 분위기에서 고온(550~600$^{\circ}C$) 기판위에 증착하는 방법으로 소면적에서 가장 좋은 효율(~20%)을 보이는 공정이다. 하지만, 고온, 고진공 공정조건과 대면적 증착시 온도 및 조성 불균일 등의 문제점 등으로 상용화에 어려움이 있다. 전구체-셀렌화 공정은 1단계에서 다양한 방식(예: 스퍼터링, 전기도금, 프린팅 등) 방식으로 CuGaIn 전구체를 증착하고, 2단계에서 고온(550~600$^{\circ}C$)하에 H2Se gas 혹은 Se vapor와 반응시켜 CIGS를 생성한다. 일본의 Showa Shell와 Honda Soltec 등에 의해 이미 상업화 되었듯이, 저비용 대면적으로 상업화 가능성이 높은 공정으로 평가되고 있다. 하지만, 2단계에서 사용되는 H2Se 및 Se vapor의 유독성, 기상 Se과 금속전구체 간의 느린 셀렌화 반응속도, 셀렌화반응 후 생성된 CIGS 박막 두께방향으로의 Ga 불균일 분포, 생성된 CIGS/Mo 계면 접착력 저하 등의 문제점들이 개선, 해결되어야만 상업화에 성공할 수 있을 것이다. 본 연구에서는 Se layer가 코팅된 금속전구체의 셀렌화 반응메카니즘을 in-situ high-temperature XRD를 이용하여 연구하였다. 금속전구체는 스퍼터링, 스프레이 등 다양한 방법으로 제조되었고, 반응메카니즘 연구결과를 바탕으로 Se 코팅된 금속전구체를 이용한 급속열처리 공정의 최적화를 시도하였다.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.11 no.10
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• pp.833-841
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• 1998

ZnO thin films on glass substrate were deposited by on RF mangetron reaction sputter with various grgon/oxygen gas ratios and sbustrate temperatures. Crystallinities, surface morphologies, chemical compositions, and electrical properties of the films were investigated by XRD, AFM, XPS, RBS, and electrometer(keithley 617). All films showed a strong perferred orientation along the x-axis on glass substrate, and the chemical stoichiometry of Zn/)=1/1.0 was obtained at Ar/$O_2$ =50/50. Surface roughness and resistivity depended on the argon/oxygen gas ratio. The minimum surface roughness of 20$\AA$ and maximum resistivity of $10^8$ $\Omega$ cm were achieved at Ar/$O_2$=10/90.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.6
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• pp.498-504
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• 1997

Cu는 AI보다 비저항이 더 낮고, 일렉트로마이그레이션 내성이 더 강하기 때문에 AI을 대체하여 사용될 새로운 상부배선 재료로 널리 연구되고 있다. 그러나 Cu는 SiO$_{2}$층을 통해 Si기판 속으로 확산하는 것과 같은 열적불안정성을 갖고 있으므로 Cu 배선을 위해서는 barrier금속을 함께 사용해야 한다. 지금까지 알려진 가장 우수한 재료는 TaSi$_{x}$N$_{y}$이다. Tasi$_{x}$N$_{y}$는 90$0^{\circ}C$에서 불량이 발생하는 것으로 보고된 바 있으나, 그것의 barrier특성과 관련하여 확인하고 또 새로 조사되어야 할 내용들이 많이 있다. 본 연구에서는 반응성 스퍼터링 테크닉을 사용하여 (100)Si 웨이퍼상에 TaSi$_{x}$N$_{y}$막을 증착하고, Cu에 대한 barrier재료로서 반드시 갖추어야 할 열적 안정성을 면저항의측정, X선 회절 및 AES 깊이분석 등에 의하여 조사하였다. 스퍼터링 공정에서 N$_{2}$/Ar기체의 유량비가 15%일때 열적 안정성이 가장 우수한 TaSi$_{x}$N$_{y}$막이 얻어졌다. Ta와 TaN은 각각 $600^{\circ}C$와 $650^{\circ}C$에서 불량이 발생하는 반면, TaSi$_{x}$N$_{y}$는 90$0^{\circ}C$에서 불량이 발생하였다. TaSi$_{x}$N$_{y}$의 불량기구는 다음과 같다:Cu는 TaSi$_{x}$N$_{y}$막을 통과하여 TaSi$_{x}$N$_{y}$/Si계면으로 이동한 다음 Si기판내의 Si원자들과 반응한다. 그 결과 TaSi$_{x}$N$_{y}$Si가 생성된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.02a
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• pp.80-80
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• 1998

RU02 박막은 전이금속으로서 rutile 구조이며, 넓은 온도 영역에서 금속성의 를 나타내고, 700도 이상의 높은 온도에서 열적 안정성을 갖는 물질이다 이러한 특성 때문 에 RU02 박막은 실리콘 디바이스에서 배선 게이트 전극 확산 장벽 등에 응용가능성이 높 은 물질로 각광을 받고 있다- 특히 다결정 RU02 박막은 DRAM (dynamic random access m memory) 내의 강유전성 축전기의 전극으로서 유망한 물질이다. 지금까지 이러한 응용분야에 사용된 전극물질은 pt 금속이었다 그러나 이러한 금속전극은 SI 산소 그리고 강유전체의 구성물질 등과의 상호확산, pt 표면의 hillock의 존재로 생기는 전기적 단락, 기판과의 나쁜 점작성, 어려운 에칭 프로세스 등의 단점을 가지고 있다 더욱 더 심각한 문제는 P Pt'ferroelectric/Pt 구조에서 나타나는 aging과 fatigue인데, 이는 108 사이쿨 이후에 스위칭 가 능한 잔류 pOlarization 으$\mid$ 감소를 유발하게 된다- 최근 Berstein은 Pt 대신에 RU02를 사용함으로써 강유전체 축전기에서의 fatigue 현상을 크게 감소시켰다고 보고 한 바 있다 Burst川도 RU02 가 실리콘 표면과 유전체 물질 사이에 전기전도 어떠한 상호 확산도 일어나지 않음을 보였다. 그러나 이러한 연구 결과에도 증착조건과 RU02 박악의 특성에 관한 상호 관계가 충분히 더욱 더 중은 강유전성 박막올 만들기 위해서는 이러한 박막 전극에 않고 있다 연구되지 대한 상세한 연구가 반드시 필요하다고 본다. RU02 박막은 실리콘 기판 위에 고주파 마그네트론 스퍼터링 방법으로 증착하였다. 사용 한 타켓은 2 인치의 직경을 가지는 CERAC 사에서 제작한 Ruol다 초기 진공은 1O~6 Torr 이하였고, 고주파 전력은 20 - 80W 까지 변화시켰다 반응성 스퍼터링율 하기 위해 아르곤과 산소롤 주입하였고, 산소/(산소+아르곤)의 비를 변화시켰다 기판의 온도와 증착압력은 각각 상온에 서 500도까지 , 5mTorr에 서 100mTorr 까지 변 화시 켰 다 RU02 박막의 결정성을 조사하기 위해 XRD 표면 형상과 단면을 조사하기 위해 SEM을 사용하였다‘ 박악의 비저항을 조사하기 위해 4-단자법 van der Pauw 방법을 사용하였다. RU02 박막은 증착압력이 높을수록 비저항은 높아지고, 두께는 감소하였다. 특히 1 100mTorr에서는 작업가스와 스퍼터된 입자사이의 심각한 산란 때문에 아예 증착이 이루어 지지 않았다‘ RF 전력이 증가할수록 비저항이 낮아졌다. 이는 두께에 의존하는 결과이며 전형적인 금속박막에서 나타나는 현상과 유사함을 알 수 있었다- 기판온도와 작업가스의 산소 분압이 높을수록 비저항이 감소하였다‘ 이러한 사실은 성장한 박악의 결정구조와 밀접한 관련이 있음을 보여준다.

• Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
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• 2005.11a
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• pp.266-271
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• 2005

An experimental investigation of a microthruster using hydrogen peroxide as a monopropellant is described. The study comprises of preparation method of silver as a catalyst and performance evaluation of a catalytic reaction chamber. Silver was reduced in $H_2$ environment at $500^{\circ}C$. The catalytic reaction chamber was tested to determine the optimum configuration of the catalyst bed. The catalyst bed was made of a glass wafer substrate sputtered with silver and had a length of 20 mm. The conversion rate was measured with various residence time, catalyst bed temperature, catalytic coated area.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1997.11a
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• pp.90-93
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• 1997

고주파 반응성 스퍼터링 방법을 사용하여 희토류가 첨가된 SiO$_2$ 박막을 제작하여 특성을 조사하여, 양질의 희토류 원소가 첨가된 SiO$_2$ 박막의 최적의 제작조건을 도출하고 Er-Al:SiO$_2$ 박막의 소자웅용 가능성에 대하여 조사하였다 열처리전의 Er의 농도는 EDS(Energy dispersing x-ray spectrometer)로 측정한 결과 0.77% 로 농도를 나타내었고 코아층 첨가된 Er은 균일하게 분포되었다 크레드층의 굴절률은 633nm의 파장에서 측정하였을때 1.458이였고 코아층의 굴절률은 동일 파장에서 1.757이였다. 굴절률 분포도 (Refractive Index Profile)는 계단형 굴절률 분포로 코아층/클래드 굴절률 차 $\Delta$n$_{ESI}$ = 0.1였다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.3 no.3
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• pp.221-228
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• 1993

The general requirements of recording media include recording performance, environmental stability, runnability on the drive or deck, and manufacturability. CoCrMo thin films were prepared using RF sputtering system for a study on chemical stability. Surface degradation of the CoCrMo thin film was studied by SEM, XPS and AES. Surface degradation was found to be dependent of sputtering condition and Mo content. Addition of Mo to CoCr thin film improved dramatically its surface degradation resistance in dilute sulfuric acid, as indicated by active-passive transition appeared in electrochemical polarization curve. Futhermore, the passive current density was decreased with increasing Mo content. The reduction in a number density of corrosion sites by Mo addition vms observed, after accelerated corrosion test. AES survey indicated that corrosion occured on the site with Cr depletion and highly concentrated chloride ions.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.37 no.11
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• pp.1025-1032
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• 2000

산화분위기에서의 반응성 이온빔 스퍼터링법으로 Sn과 Sb 금속 타겟을 사용하여 실온에서 ATO 박막을 증착하였다. Sb 첨가량, 박막의 두께 및 열처리가 ATO 박막의 전기적 특성과 광학적 특성에 미치는 효과를 연구하고자 하였다. 제조된 ATO 박막의 두께는 약 1500$\AA$과 1000$\AA$으로 조절하였으며, Sb 농도는 10.8wt% 또는 14.9wt%임이 XPS 분석에 의하여 확인되었다. 증착한 박막의 열처리는 40$0^{\circ}C$~$600^{\circ}C$의 온도범위에서 산소 또는 forming gas(10% H$_2$-90% Ar) 분위기에서 30분간 수행하였다. 이렇게 제조된 ATO 박막은 Sb의 첨가량, 두께 및 열처리 조건에 따라 다양한 전기 비저항 값과 가시광선 대역에서의 광투과도를 나타내었다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.8 no.6
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• pp.699-707
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• 1995

The material that is both conductive in electricity and transparent to the visible ray is called transparent conducting thin film. It has many fields of application such as Solar Cell, Liquid Crystal display, Vidicon on T.V, transparent electrical heater, selective optical filter, and a optical electric device , etc. In the recent papers on several TCO( transparent conducting oxide ) material, the study is mainly focusing on ITO(indium tin oxide) because ITO shows good results on both optical and electrical properties. Nowaday, in the development of LCD(Liquid Crystal display), the low temperature process to reduce the production cost and to deposit ITO on polymer substrate (or low melting substrate) has been demanded. In this study, we prepared indium tin oxide(ITO) by a cylindrical DC magnetron sputtering with Indium-tin (9:1) alloy target instead of indium-tin oxide target. The resistivity of the film deposited in oxygen partial pressure of 5% and substrate temperature of 140.deg. C. is 1.6*10$\^$-4/.ohm..cm with 85% optical transmission in viaible ray.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.9 no.3
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• pp.171-176
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• 2000

The physical and electrical characteristics of MgO and Pt thin-films on it, deposited by reactive sputtering and rf magnetron sputtering, respectively, were analyzed with annealing temperature and time by four-point probe, SEM and XRD. Under annealing conditions of $1000^{\circ}C$ and 2 hr, MgO thin-film had the properties of improving Pt adhesion to $SiO_2$ and insulation without chemical reaction to Pt thin-film, and the sheet resistivity and the resistivity of Pt thin-film deposited on it were $0.1288\;{\Omega}/{\square}$ and $12.88\;{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$, respectively. We made Pt resistance pattern on $SiO_2$/Si substrate by lift-off method and fabricated thin-film type Pt-RTD(resistance thermometer device) for micro thermal sensors by Pt-wire, Pt-paste and SOG(spin-on-glass). In the temperature range of $25{\sim}400^{\circ}C$, the TCR value of fabricated Pt-RTD with thickness of $1.0{\mu}m$ was $3927\;ppm/^{\circ}C$ close to the Pt bulk value. Resistance values were varied linearly within the range of measurement temperature.