최근들어 FPD(평판 디스플레이), MEMS, 반도체, 광부품 등의 분야에서 극미세화의 경향이 보이고 있다. 이들의 가공기술과 더불어 검사장비 역시 2차원 마이크로미터의 수준에서 3차원 나노미터 정밀도를 갖는 장비로 급속도로 교체되고 있는 것이 현실이다. 본 고에서는 반도체에 이어 한국의 기술력을 세계 1위로 끌어올린 FPD 분야에서 3차원 검사장비의 활용을 중심적으로 기술 및 시장동향을 살펴보고자 한다.
냉음극관(CCFL) 램프를 이용한 멀티램프 구동용 인버터를 제작 한 후 이를 이용하여 휘도 $20,000 cd/\textrm{m}^2$, 휘도 균일도 85%의 장비용 백라이트를 제작하였다. 이러한 고휘도, 높은 휘도 균일도의 직하방식 백라이트를 이용하여 기존의 형광등을 이용한 검사장비 보다 고휘도, 박형의 장수명 백라이트를 제작하였다.
반도체 공정에서 식각 공정을 위한 패턴 형성 시, 현상을 위해 포토레지스트를 도포한다. 이 포토레지스트는 일정한 두께로 도포 되어야 하기 때문에 고도의 정밀성이 요구되는 공정이며, 공정 불량이 빈번하게 발생한다. 이러한 공정 불량 발생 시 현재 양산에서는 매엽식 장비로 애싱 전 처리 한 후, 약액 처리를 위해 낱장의 웨이퍼를 일정량 모아서 배치식 장비로 처리한다. 이렇게 되면 공정 불량 발생시, 약액의 소모를 줄이기 위해서는 일정량 모아질 때까지 대기하여 처리하여 시간 소모가 커지며, 시간 소모를 줄이기 위해서는 낱장으로 처리하여야 하기 때문에 약액 손실이 커져 비경제적일 수 밖에 없다. 따라서 본 연구에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해, 매엽식 장비로 무기 용제를 이용하여 효율적으로 포토레지스트를 제거하는 방법에 대해서 평가를 실시하였다. 평가 결과 krF 포토 레지스트 웨이퍼에 대해서 완전 박리하는 결과를 얻었으며, 160nm 기준 파티클 50개 미만의 결과를 얻었다.
반도체 집적도가 높아지고 웨이퍼가 대구경화 됨에 따라 새로운 이송 장비의 개발이 필요하게 되었다. 본 연구에서는 이송장비의 새로운 개념인 공기부상 방식의 낱장이송 시스템을 설계하고 부상 노즐의 크기에 따른 부상 높이를 평가하였으며 그 결과 동일한 부상용 유량을 사용할 경우 0.5 mm 보다 0.8 mm 노즐이 부상 높이가 더 높고 에너지 절약적인 측면에서 유리함을 밝혔다. 또한 웨이퍼 이송용 추진 노즐의 배치에 따른 웨이퍼 이송 속도의 변화를 측정하여 동일 유량에서 추진속도가 훨씬 증가된 형상인 Type B(노즐 집중형)를 결정할 수 있었으며, 제조장비와 이송장비를 연결시켜주는 인터페이스에서의 웨이퍼 안정성을 평가한 결과 평균 16초 이내에 매우 안정된 공기부상 방식의 웨이퍼 낱장이송 시스템을 구현할 수 있었다.
4 ~ 20 nm 범위의 입자들이 갖는 전기적 특성을 이용하기 위하여 이들 입자를 300mm 웨이퍼 위에 균일하게 증착시키는 기술을 개발하고자 하였다. 이를 위하여 나노 임자의 증착 장비 개발에 필요한 증착 장비내 유동장 해석 및 온도 구배장 해석을 수행하였다. 증착 장비 입구의유량이 3 1pm, 4 nm인 경우, 입자의 확산력만을 고려하였을 때, 대부분의 입자들은 웨이퍼 표면이 아닌 벽면으로의 부착이 98% 정도 일어났다. 그러나 입자의 열영동 및 전기영동을 고려한 경우, 100% 웨이퍼 표면에 증착되는 것을 알 수 있었다. 따라서 입자의 확산력 이외의 외력(열영동, 전기영동)을 이용하면 웨이퍼 표면에의 증착 효율을 상승시킬 수 있을 것으로 판단된다.
플렉서블 디스플레이를 이용한 대 화면의 디스플레이 제작을 위해, 굽혀짐이 가능한 디스플레이용 재료, 장비, 공정 기술 개발이 활발하게 추진 중이지만, 상용화로 제품이 출시되기에는 상당한 시일이 소요될 것으로 예상되므로, 대 화면을 요구하는 시장 환경에 부응하여 접이식 디스플레이 장치가 대안이 될 수 있다. 따라서 접이식 디스플레이 패널 제작 시에 패널을 구동하기 위해, 이음매를 최소로 하는 접이식 구동 임베디드 모듈의 개발이 요구되고 있으며, 이러한 요구에 발맞추어 새로운 시스템 개발 시마다 변형된 표준에 부응한 경쟁력 있는 핵심 칩 개발용 임베디드 모듈이 제안되었고, 임베디드 모듈은 추후 칩 기능 최적화의 시스템 온칩화(System On Chip)를 통하여 시스템의 프로세서와 주변 디바이스에 접목되어 사용되는 플랫폼 등으로 연구될 수 있다.
본 연구에서는 상압 질소/산소 플라즈마를 이용하여 반도체공정에서 포토레지스트 에싱 공정을 실험하였다. 상압 플라즈마를 반도체 에싱 공정에 적용함에 있어서의 발생할 수 있는 문제점, 반드시 해결 가능한 공정 등을 예상하여 실험 평가를 진행하였으며, 그 실험 결과를 통하여 상압 플라즈마의 반도체 에싱 공정 적용의 가능성을 판단하고자 하였다.
반도체 약액 공급 시스템의 데이터베이스가 공정간의 상호관계가 효율적이지 않으면 데이터들의 중복현상으로 나타날 수 있으며 이로 인해 저장 공간의 낭비뿐 아니라 시스템 공정 전반에 걸쳐 프로세스 시간에 좋지 않은 영향을 줄 수 있다. 본 논문에서는 약액 공급 제어 장치의 보편적 속성인 CHEMICAL 엔티티와 SUPPLY_PROCESS_UNIT 엔티티, NOZZLE 엔티티를 주요 엔티티로 설정하고, 데이터베이스 설계 시공정 흐름에 맞추어 간략화 함으로써 대부분의 필요한 정규화가 자연스럽게 이루어졌다. 향후 본 연구의 데이터베이스는 약액 공급 제어 장치를 이용한 SWP 3004 세정 장비 및 KDNS에서 생산하는 다른 세정 장비의 실시간 모니터링 시스템을 구축하는데 활용될 수 있다.
본 연구에서는 반도체 플라즈마 장비 감시를 위한 CUSUM 제어 차트 설계기법에 관해 연구하였다. CUSUM 제어차트에 관여하는 설계변수의 다양한 조합에 대하여 플라즈마 장비의 감시 성능을 평가하였다. 평가를 위해 RF 정합망 감시시스템을 이용하여 플라즈마 임피이던스 정합에 관여하는 정합변수에 대한 실시간 데이터를 수집하였으며, 여기에는 임피이던스와 상위치에 대한 전기적 정보, 그리고 반사전력에 대한 정보가 포함된다. 평가결과, 설계변수의 조합에 대하여 감시 성능이 크게 달랐지만, 각 센서 정보의 감시 성능을 증진시키는 설계변수의 조합이 있었음을 확인하였으며, 이는 각 종 다양한 센서정보 별 CUSUM 제어 차트의 설계가 필요함을 의미한다.
IT 기술, 반도체 산업 등의 급격한 발전에 힘입어 최근의 첨단 전자, 통신제품은 초경량 초소형화와 동시에 고기능 복합화의 발전 추세를 보이고 있다. 이런 추세에 발맞추어 전자제품, 통신제품의 핵심적인 부품인 IC chip도 소형화되고 있다. IC chip 패키징 기술의 하나인 Filp Chip Package는 Module Substrate 위에 Chip Surface를 Bumping 시킴으로서 최단의 접속길이와 저열저항, 저유전율의 특성도 가지면서 초소형에 높은 수율의 저 원가생산성을 갖는 첨단의 패키징 기술이다. 이런 패키징 기술은 수요증가와 더불어 폭발적으로 늘어나고 있으나 까다로운 공정기술에 의해 아직 여러 회사에서 장비가 출시되고 있지 못한 상태이다. 이에 본 연구에서는 최근 수요가 증가하는 LCD Driver IC용 COF 장비를 위한 Flip chip Bonding 장비 및 시스템을 설계, 제작하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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