• Title/Summary/Keyword: 반도체 신뢰성

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극저온 맥동관 냉동기 크라이오펌프 기술 개발 현황

  • Yu, Jae-Gyeong;Gang, Sang-Baek;No, Yeong-Ho;Go, Deuk-Yong;Park, Seong-Je;Go, Jun-Seok;In, Sang-Ryeol
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.08a
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    • pp.92-92
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    • 2012
  • 최근 반도체 산업 경기의 활황에 따라 반도체 생산 설비 또한 꾸준히 증설되어가는 추세이며 고진공 펌프의 수요 또한 점차적으로 증가하고 있는 현실이다. 하지만, 국내 기술의 부족으로 고진공 펌프는 대부분 해외로부터의 수입에 의존하고 있다. 반도체 생산 설비는 매우 보수적인 설비로써 새로 개발되는 고진공 펌프가 반도체 생산 설비에 사용되기 위해서는 원천기술, 상품화 기술 및 신뢰성 기술을 확보해야 하며, 특히 한미/한일/한-EU FTA 등에 대비하여 제품의 국산화가 시급한 실정이다. 이에 고진공펌프의 수입이 급증할 것으로 예상되어 국내 진공업체에서도 크라이오펌프의 개발이 진행되고 있다. 본 연구에서는 지식경제부 제조기반 산업원천기술개발사업에 주관기관으로 수행하여 한국기계연구원 및 한국원자력연구원과 급속재생형 저진동 크라이오펌프의 기술 개발을 통해 전량 수입하는 크라이오펌프를 국산화를 도모 하고자 한다. 크라이오펌프의 주요 생산업체는 미국기업의 CTI사이며, 상품화 기술의 성능 확보를 위한 CTI사의 GM 극저온 냉동기와 현재 개발 및 상용화 준비를 하는 극저온 맥동관 냉동기에 대해 성능평가 지표를 제시하며, 신뢰성 확보를 위한 한국과학기술원 나노종합팹센터의 스퍼터 공정장비에 대한 CTI사 크라이오펌프와 상용화를 위한 개발품의 공정 현장시험에 대해 소개하고자 한다.

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반도체 및 평판 디스플레이 산업에서의 진공 챔버 건식 세정을 위한 원격 플라즈마 생성 장치

  • Lee, Han-Yong;Son, Jeong-Hun;Jang, Bo-Eun;Im, Eun-Seok;Sin, Yeong-Sik;Mun, Hong-Gwon
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2017.07a
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    • pp.501-505
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    • 2017
  • 반도체에 대한 수요가 늘어남에 따라 반도체 칩 생산을 위한 웨이퍼 공정 및 평판 디스플레이 제조 공정에서 수백~수십 나노 단위 크기의 트랜지스터, 커패시터 등의 회로소자 제조를 요구하고 있다. 이에 따라 반도체 공정의 미세화가 10nm 이하까지 다다랐고 이로 인해 수율과 신뢰성 측면에서 파티클, 금속입자, 잔류이온 등 진공챔버 내부의 오염원 제거 중요성이 점점 증가하고 있다. 이러한 오염원 제거를 위해서 과거에는 진공 챔버를 개방하여 액상물질로 주기적인 세정을 하였으나 2000년대 초반부터 생산성 향상을 위해 진공 상태에서 건식 세정하는 원격 플라즈마 발생장치(Remote Plasma Generator, RPG)를 개발하여 공정에 적용 해 왔다. 건식 세정을 위해서 화학적 반응성이 높은 고밀도의 라디칼이 필요하고 이를 위해 플라즈마를 이용하여 라디칼을 생성한다. RPG는 안테나 형태의 기존 유도 결합 플라즈마 (Inductively Coupled Plasma, ICP) 방식에 자성코어(Ferrite Core)를 추가함으로써 고밀도 플라즈마 생성이 가능하다. 본 세션에서는 이러한 건식세정과 관련된 플라즈마 기술 소개, 플라즈마 발생장치의 종류 및 효과적인 건식 세정을 위한 원격 플라즈마 발생장치를 소개하고자 한다.

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분광 엘립소메츠리에 의한 반도체소재의 특성분석

  • Kim, Sang-Gi;Lee, Won-Hyeong;Gwon, O-Jun
    • ETRI Journal
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    • v.10 no.3
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    • pp.221-229
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    • 1988
  • 반도체 소자의 성능과 신뢰성은 소자제조시 사용한 소재의 특성에 의존하므로 소재의 특성을 정확히 규명하는 일은 대단히 중요하다. 소재 특성화 방법중 분광 엘립소메츠리에 의한 기본소재 및 유전체 박막의 광학적 성질을 비접촉, 비파괴적, in-situ 상태에서 결정할 수 있다. 본 고에서는 소재의 광학적 특성화를 위해 분광 엘립소메츠리의 기본원리 및 측정방법, 반도체 소재 특성화의 응용 등에 대해 상세히 논의하였다.

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플립칩 언더필을 위한 몰드 설계 및 공정 연구

  • 정철화;차재원;서화일;김광선
    • Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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    • 2002.11a
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    • pp.64-68
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    • 2002
  • 플립칩 공정에서는 반도체 칩과 기판사이의 열팽창계수(CTE : Coefficient of Thermal Expansion)의 차와 외적 충격과 같은 이유로 인해 피로균열(Fatigue crack)이나 치명적인 전기적 결함이 발생하게 된다. 이런 부정적인 요인들로부터 칩을 보호하고 신뢰성을 향상시키기 위해서 플립칩 언더필 공정이 적용되고 있다. 본 연구에서는 기존의 몰딩 공정을 응용한 플립칩 언디필 방법을 소개하였다. 공정 이론과 디바이스를 소개하였으며, 시뮬레이션 및 수식을 통하여 최적의 언더필을 위한 몰더 설계 조건을 구하였다. 그리고 본 연구를 통해 기대되는 공정의 장점을 제시하였다.

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TCAD와 EDISON tool을 이용한 In-house Drift-Diffusion code의 신뢰성 검증

  • Jang, Jae-Hyeong
    • Proceeding of EDISON Challenge
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    • 2017.03a
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    • pp.477-479
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    • 2017
  • Drift-Diffusion 방법은 반도체 소자의 내에서의 전하 수송 방정식을 푸는 수치해석적인 방법 중에서 비교적 계산량이 적고, 이런 장점으로 인해 널리 쓰이는 방법이다. 이 방법을 이용하여 간단한 PN diode 구조에서의 전기장, 전압 분포, IV curve 등을 확인 하는 코드를 작성하고, 작성한 코드의 신뢰성 검증을 위하여 TCAD tool인 SDEVICE와 EDISON tool을 이용하여 비교해 본다.

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A Study on the Reliability Improvement of oil cooler for precision Machine Tools (정밀공작기계용 오일쿨러의 신뢰성 개선 연구)

  • Lee, Seung-Woo;Lee, Hwa-Ki
    • Journal of the Korea Safety Management & Science
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    • v.9 no.3
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    • pp.49-54
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    • 2007
  • 신뢰성이란 단기간에 측정되는 성능과는 다른 지표로서 흔히 장기간에 걸쳐 평가되는 품질의 척도이다. Oil Cooler는 공작기계(machine tools)의 주축 및 구동부 등에서 발생하는 열 변형을 제어하는 장치로서 공작기계의 신뢰성 향상을 위해서는 oil cooler의 신뢰성 개선이 이루어져야 한다. 본 연구에서는 oil cooler의 신뢰성 개선을 위해 고장률 데이터베이스를 이용한 신뢰성 예측과 이를 통한 취약부품 분석을 실시하고 신뢰성 시험기를 통한 oil cooler의 신뢰성을 평가하였다. 이를 통해 oil cooler의 정량적 신뢰도를 계산하였으며 신뢰성호 향상을 위한 공정기법을 개발하여 적용하였다. Oil cooler의 신뢰성 개선을 통해 공작기계 및 반도체 제조 장비 등과 같은 제조 시스템의 신뢰성 향상을 기대할 수 있으며, 제안된 기법을 이용하여 다른 기계류 부품의 신뢰성 평가 및 개선에 적용할 수 있다.

Development on the Curriculum of the Department of Semiconductor Technology in Ulsan College (전문대학 반도체 응용과 교육과정 개발)

  • Park, Hyo-Yeol;Kim, Keun-Joo
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TE
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    • v.37 no.4
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    • pp.35-46
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    • 2000
  • Semiconductor technology includes from semiconductor materials, design, fabrication, handling of process equipments, reliability test to packaged semiconductor devices. Our departmental curriculum is organized with 2-years/6-quarters system of Ulsan College: the understanding for the fundamental of semiconductor is carried out in the first academic year and the training for the design skill on semiconductor devices will be focused in the second academic year. The main focus is reflected on the worldwide trend on the design engineering of semiconductor devices and considered for the market establishment on design engineers trained by the lab-oriented practice as well as the fundamental of semiconductor technology.

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레이저 변위 센서를 이용한 표면거칠기 측정방법

  • An, In-Seok;Choe, Seong-Ju;Lee, U-Yeong;Kim, Guk-Won
    • Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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    • 2007.06a
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    • pp.144-148
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    • 2007
  • 레이저 변위 센서를 이용한 비접촉식 표면거칠기 측정 방법에 관하여 접촉식과 비교 평가함으로 신뢰성을 확인하였으며, 비교측정하기 위하여 시편을 제작하고 접촉식 방법과 비접촉식 방법으로 측정하고 비교 분석하였다. 분석 결과 접촉식에 비해 비접촉식의 측정에서의 값은 신뢰할 수준으로 판단되었다.

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PART II - IGBT를 이용한 디지털 다중화 발전기 제어시스템 개발

  • 이주현
    • Electric Engineers Magazine
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    • s.274
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    • pp.22-28
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    • 2005
  • 최근 일부 선진국을 중심으로 대용량 전력제어용 반도체 소자와 제어기술의 발달로 인해 전력전자 반도체 소자인 IGBT(Insulated Gate Bi-polar Transistors) 등을 사용한 승강압형 컨버터 방식으로 동기발전기 계자전류를 제어하는 특이한 모델이 발전기 출력전압을 보다 속응성 있게 제어함은 물론, 신뢰성 있고 안정적으로 제어 할 수 있는 방법으로 등장함에 따라 이에 대한 기술적 연구가 진행되고 있다. 이에따라 본 고에서는 발전기 제어시스템의 개요, 국내외 기술개발 동향과 개발시스템의 구성, 주요기능 그리고 발전소 현장 적용 전에 시스템의 신뢰도 확보를 위해 전동발전기(M-G Set)를 이용한 시스템의 모의시험 결과와 향후 발전기 제어시스템의 발전 전망 등을 9회에 걸쳐 기술한다.

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Hf 도핑에 따른 산화아연 기반의 박막 트랜지스터의 특성 평가

  • Kim, Ung-Seon;Mun, Yeon-Geon;Kim, Gyeong-Taek;Sin, Sae-Yeong;Park, Jong-Wan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.08a
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    • pp.103-103
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    • 2010
  • 최근 산화물 반도체 기반의 박막 트랜지스터에 대한 연구가 활발히 진행되고 있으며 이는 공간 점유와 시각적 제약을 해소하려는 시장의 요구에 의해 주도되고 있다. 특히, 2004년 Hosono 그룹에서 비정질 InGaZnO (IGZO) 박막을 이용한 TFT소자 제작을 발표하고 우수한 특성을 확인한 후 산화물 TFT 소자기술에 대한 전 세계적인 연구개발의 계기가 마련되었다. 그러나 다성분계 화합물로 이루어진 산화물 반도체의 경우 복잡한 성분 조합과 조절이 어렵고, 장비의 제약으로 인해 상업화에 어려움을 겪고 있다. 따라서 이성분계 물질인 산화아연의 경우 아직까지 상업화 이점이 남아있으며, 우수한 전기적 성질과 광학적 장점이 있기에 그 가능성은 더욱 커지고 있다. 그럼에도 불구하고 산화아연계 박막 트랜지스터의 경우 바이어스에 의해 동작전압이 이동하는 DC신뢰성의 문제점이 남아 있고, 이를 해결하기 위해 안정적인 절연막 또는 보호막을 도입하려는 연구가 많이 시도되고 있다. 본 연구에서는 산화아연기반의 박막 트랜지스터에 Hf이온을 도핑하여 DC 신뢰성을 향상시키는 연구를 진행하였다. Bottom gate 형식의 HfZnO TFT를 제작하였고 전이 특성을 살펴본 결과 Hf의 함량이 늘어날수록 이동도는 감소하는 경향이 나타났다. 또한 Hf의 미량 도핑에도 불구하고 산소결핍에 의한 결함 생성을 억제하여 DC신뢰성이 상당히 향상되었으며, 이는 특히 산화물 반도체와 절연막 사이의 결함을 억제하여 생긴 결과로 생각된다.

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