• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 한국정밀공학회 2004년도 춘계학술대회 논문요약집
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• pp.123-123
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• 2004

최근에 급속히 성장하고 있는 광통신, 전자, 생명산업 등의 발전에 있어서 주목할 만한 경향중의 하나는 제품의 소형화 및 집적화라고 할 것이다. 현재 제조되고 있는 초정밀 미세 가공 부품 및 제조시스템은 반도체 공정에 기반을 두고 생산되고 있다. 반도체 공정은 기본적으로 웨이퍼 규모의 소형제품 제조에 최적화 되도록 제조시스템이 설계 및 제작되어 있다 그리고 광통신 분야에 사용되는 광기능성 소자는 벌크형 광부품 및 광섬유형 광부품 기술에서 평면 광도파로형(PLC) 광부품으로 발전되고 향후 평면 광도파로형 부품은 집적화되어 광IC화로 발전하고 있다.(중략)

• Journal of the KSME
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• 제51권9호
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• pp.33-39
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• 2011

레이저 마이크로 및 나노 가공은 공기 중에서 고속으로 실행이 가능하여 산업적으로 응용이 가능한 거의 유일한 초미세가공기술로소 반도체, 전자, 마이크로유체소자 등과 같은 분야에 널리 응용되고 있고 기존 기술의 한계를 뛰어 넘는 새로운 기술을 창출하는 데 기여하고 있다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 한국광학회 2007년도 동계학술발표회 논문집
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• pp.32-33
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• 2007

• Proceedings of the Korean Society of Laser Processing Conference
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• 한국레이저가공학회 2001년도 추계학술발표대회 논문개요집
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• pp.23-28
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• 2001

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 한국광학회 2005년도 하계학술발표회
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• pp.228-229
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• 2005

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 한국광학회 1996년도 Advance Program of 13th optics andquantum Electronics conference, 1996제13 회 광학 및 양자전자 학술 발표회 논문 요약집
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• pp.87-87
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• 1996

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 한국광학회 2008년도 동계학술발표회 논문집
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• pp.121-122
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• 2008

• Journal of Oral Medicine and Pain
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• 제24권3호
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• pp.269-280
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• 1999

구강안면동통환자의 발통점에 대한 보존적 치료방법중 저출력레이저의 효과를 평가하기 위해 교근, 측두근과 승모근에 발통점을 가진 치과대학생 69명을 무작위로 분류하여 37명에게는 GaAlAs 반도체 레이저를 조사하였고 나머지 32명은 레이저를 실제로 조사하지 않고 대조군으로 삼았다. 50mW, 820nm의 GaAlAs 반도체 레이저를 이용하여, 4주 동안 첫 주는 2회, 이후 3주 동안 1회씩 총 5회 조사하였고 전자통각계를 이용하여 압력통각역치를 측정한 후 이를 대조군과 비교한 바 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. 남녀 및 조사군과 비조사군의 치료 전 압력통각역치는 차이가 없었다. 2. 조사군의 각 근육에서 측정한 압력통각역치는 레이저 치료 2주 후부터 유의하게 높아졌으나 비조사군에서는 차이가 없었다, 3. 비조사군의 치료 전, 후 압력통각역치에는 성 차가 없었다. 반면 종사군의 압력통각역치는 치료 전에는 성 차가 없었으나 치료 후에는 남성이 여성보다 유의하게 높았다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 한국재료학회 1994년도 추계 학술발표 강연 및 논문 개요집
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• pp.97-97
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• 1994

Wide gap 반도체 중 하나인 GaN 에너지갭이 실온에서 3.4eV 이고 직접천이형 에너지대 구조를 가지므로 청색 및 자외영역의 파장을 발광하는 발광다이오드와 바도체 레이저 다이오드의 제작에유용한 재료이다. GaN계 III족 질화물반도체가 다파장용 광원으로서 유망함을 보인 것은 1970년대 초방의기초적 연구이다. 이로부터 약 25년이 경고한 현재 청색발광다이오드가 실용화당계에 이르게 되었지만 아직까지 전류주입에 의한 레이저발진은 보고되고있지 않다. 이 논문에서는 ALGaN/GaN이중이종접합(DH) 구조의 광여기에 의한 유도방출과 광학적 이득을 측정하므로서 전류주입에의한 레이저발진의 가능성을 조사하였다. 유기금속기상에피텍셜(MOVPE)법으로 성장한 ALGaN/GaN DH구조의 표면에 수직으로 펄스발진 질소레이저(파장:337.1nm, 주기:10Hz, 폭: 8nsec) 빔의 공출력밀도를 변화시키어 조사하고 시료의단면 혹은 표면으로부터 방출되는 광 스펙트럼을 측정하였다. 입상광밀도가 증가함에 따라 자연방출에 의한 발광피크보다 낮은 에너지에서 발광강도가 큰 유도방출에 의한 피크가 370nm의 파장에서 현저하게 나타났으며 실온에서 유동방출에 필요한 입사공밀도의 임계치는 약 89㎾/$\textrm{cm}^2$이었다. 이는 GaN 단독층에 대한 유동방출의 임계치 700㎾/$\textrm{cm}^2$ 에 비하여 약 1/8정도 낮은 것이며, 이를 전류밀도로 환산하면 약 27㎄/$\textrm{cm}^2$ 정도로서 전류주입에 의하여서도 레이저발진을 실현할 수 있는 현실적인 값이다. 한편 광여기 방법으로 측정한 광학적 이득은 입사광의 밀도가 각각 100㎾/$\textrm{cm}^2$과 200㎾/$\textrm{cm}^2$일 때 34$cm^{-1}$ / 과 160 $cm^{-1}$ / 이었다. 이와 같은 결과는 GaN의밴드단 부근의 파장영역에서 AIGaN 흔정의 굴절율이 GaN의 굴절율보다 작으므로 DH구조의 채택의 의한 광의 몰입이 가능하여 임계치가 저하된 것으로 여겨진다. 또한 광학적 이득의 존재는 이 구조에 의한 극단파장 반도체 레이저다이오드의 실현 가능성을 나타내는 것이다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 한국광학회 2003년도 제14회 정기총회 및 03년 동계학술발표회
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• pp.216-217
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• 2003

컴퓨터 기술, 영상 처리기술, 기계장치의 자동화 발전에 따라 레이저를 이용한 형상 측정 기술 개발은 반도체 표면 측정 등에 응용되어지는 매우 중요한 분야를 차지하고 있다. 레이저를 이용한 정밀 표면 측정 기술은 레이저 파장의 1／4에 해당하는 높이까지 CCD 카메라와 연계시켜 측정할 수가 있다. 레이저 간섭계는 Michelson, Mirau, Linnik 등에 의해 개발된 간섭계가 주로 이용되고 있다. 본 논문에서는 4-bucket 알고리즘을 사용하기 위하여 영상을 $\theta$＝$\pi$／2씩 위상 이동시켜 다음과 같은 4개의 간섭 무의 강도 영상 정보를 획득하여 Borland C++ 프로그램을 이용 위상을 계산하였다. (중략)