• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.297-297
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• 2011

일반적으로 고출력 반도체 레이저 다이오드는 발진 파장 및 광출력에 따라 다양한 분야에 응용되고 있으며, 특히 발진파장이 808 nm 대역인 고출력 레이저 다이오드의 경우 재료가공, 펌핌용 광원, 의료 분야 등 다양한 응용분야를 가진 광원 중의 하나라고 할 수 있다. 808 nm 대역의 레이저 다이오드 제작에는 현재 InGaAsP/InGaP/GaAs 및 InGaAlAs/GaAs 양자우물을 이용하여 제작되고 있으나 양자우물과 이를 둘러싸는 장벽물질간의 band-offset이 적어 효율적인 고출력 레이저 다이오드의 제작에 다소 어려움이 있기 때문에 강한 캐리어 구속 효과를 지니는 양자점 혹은 양자대쉬 구조를 사용하는 것이 고출력 레이저 다이오드를 제작할 수 있는 한 방법이다. 실험에 사용된 InP/InGaP 양자구조는 Riber사의 compact21 MBE 장치를 사용하여 성장하였으며 GaAs기판을 620-630도에서 가열하여 표면의 산화층을 제거하고 580도에서 약 100 nm 두께의 GaAs 버퍼층 및 50 nm 두께의 InGaP층을 성장하였다. 양자 구조는 MEE (migration enhanced epitaxy) 방식으로 성장되었는데, 이는 InP/InGaP 의 lattice mismatch율이 작아 양자 구조 형성이 어렵기 때문에 InP/InGaP 양자 구조 성장에 적합하다고 생각하였으며, Indium 2초, growth interuption time 10초, phosphorous 2초 그리고 growth interuption time 10초를 하나의 시퀀스로 보고, 그 시퀀스를 반복하여 양자 구조를 성장하였다. 본 실험에 사용된 P 소스는 Riber사의 KPC-250 P-valved cracker모델을 사용하였으며 InP의 성장률은 0.985${\AA}/s$이다. InP/InGaP 양자구조 성장 중에, 성장 온도, 시퀀스 수의 변화 등 다양한 조건을 변화 시켜 샘플을 성장시켰고, 양자 구조 성장을 확인하기 위하여 AFM 및 SEM을 통해 구조적 분석을 하였으며 PL 측정을 통해 광학적 분석을 진행하였다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 1990.02a
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• pp.211-214
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• 1990

Investigation of GaAs/AlGaAs QW carried out by using PL and Absorption spectroscopy. In order to get high resolution (0.76meV) and low noise, proper experimental system was set-up. From measurements, we have deduced the properties of GaAs/AlGaAs QW, such as the residual impurity, well thickness, crystal quality, interface abruptness and well thickness uniformity. Also we can obtain other properties such as sub-band absorption by using Absorption Spectroscopy.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2002.07a
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• pp.80-81
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• 2002

편광 방향이 단일 모드의 유지되는 광섬유와 파장이 780nm인 반도체 레이저를 사용하여 간결한 구조의 beam scanning 타입의 공초점 현미경을 구성하였다. 공초점 현미경은 세포내의 생명 현상을 보다 잘 이해 할 수 있는 장비이기 때문에 기존의 현미경으로는 연구할 수 없던 생명현상을 연구할 수 있도록 여러 가지 강력한 연구수단을 제공하고 있다 살아 움직이는 생명체를 관찰할 수 있는 공초점 현미경에서 중요한 것은 속도와 투과 깊이이고, 장기의 표면을 관찰하기 위해서는 크기가 작아야 한다. (중략)

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2002.07a
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• pp.12-13
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• 2002

원자력 산업용 중성자 흡수체 제조에 사용되는 Gd 금속증기 발생기에 설치할 목적으로 394.55 nm 전이선의 전이확률을 측정한 결과를 보고한다. 증기 증발률을 장시간 동안 일정한 양으로 유지하기 위해서는 증기밀도가 실시간으로 측정되어야 하고, 이를 위해 반도체 레이저를 광원으로 사용하는 원자흡수 분광계를 제작하고 있다. 전자빔 가열로 발생된 원자빔은 가속된 전자빔과의 충돌에 의하여 가열표면의 온도를 알면 설명할 수 있는 일반적인 원자빔 성질과는 매우 다른 특성을 가지고 있다. (중략)

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2002.07a
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• pp.98-99
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• 2002

대표적인 II-VI족 극성 반도체 결정인 ZnTe[001]와 ZnCdTe MQW에서 시료의 에너지 띠보다 낮은 에너지의 펨토초 티타늄 사파이어 레이저를 이용하여 결맞는 포논을 발생시키고 그 특성을 관찰하였다. 결맞는 포논의 신호는 그림1)과 같이 반사 및 투과형 전기 광학적 샘플링(Reflective/Transmissive Electro-Optic Sampling： REOS/TEOS)방법과 여기-탐사광 방법으로 시간 영역에서 측정하였다. (중략)

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2002.07a
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• pp.122-123
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• 2002

능동적으로 안정화시킨 반도체 레이저의 빛살되먹임을 이용한 근접장 광학현미경(Near-field Scanning Optical Microscope)을 이용하여 칼코게나이드계 유리인 a-As$_2$S$_3$에서 광조사에 따른 자체집광 현상과 구조변화를 관찰하였다. 여러 비선형 광학현상 중 광 커르 효과(Optical Kerr effect)에 기인하는 자체집광(Self-focusing)은 광범위하게 연구되어 왔다. (중략)

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.187-188
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• 2013

• Journal of the Korean Society of Safety
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• v.7 no.4
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• pp.73-83
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• 1992

A new technique for the measurement of surface roughness based on the Intensity fluctuations of laser light backscattered form a moving surface has been introduced. The developed method will be quite useful for evaluating the surface quality under machining with more detailed Information by detecting the surface roughness along both directions simultaneously.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.35D no.4
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• pp.101-108
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• 1998

We examine experimentally the dependence of output width on DC bias, RF power, and RF frequency in a gain-switched semiconductor laser. The optimum short pulses are obtained around threshold DC bias. The DC bias to generatoe shorter pulses decreases the RF power increases, whereas it increases to above threshold as the RF freqnecy increases. The pulse width becomes less sensitive to the variations of the DC bias, as the RF bias, or frquency increases.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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• v.31A no.5
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• pp.18-26
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• 1994

We express fundamental second-order and third- order harmonic distortions and intermodulation distortions in terms of the laser parameters. Compared to the Darcie `s result only limited to the high frequency (f >1GHz), these expression are quite valid in the entire modulation frequency region. It is found that the fundamental nonlinear distortions are strongly effected by the spontaneous emission to lasing mode as well as the gain compresion damping in the low frequency region.