• 제목/요약/키워드: 반도체 레이저

검색결과 445건 처리시간 0.023초

반도체 레이저에서의 광쌍안정성 (Optical Bistabilities in Semiconductor Lasers)

  • 이창희
    • 한국광학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국광학회 1991년도 광학 및 양자전자학 워크샵
    • /
    • pp.135-140
    • /
    • 1991
  • 반도체 레이저에서의 여러 가지 다른 원인에 기인하는 광쌍안정성과 이의 응용을 검토하였다. 이득 영역과 흠수포화 매체를 가지고 있는 반도체 레이저, 광전궤환이 가해진 반도체 레이저, cleaved-coupled-cavity 반도체 레이저, distributed feedback 반도체 레이저, twinstripe 반도체 레이저, 외부공진기 반도체 레이저에서의 광쌍안 정성을 고찰하였다. 또, 반도체 레이저 광증폭기에서의 광쌍안정성에 대해서도 검토하였다.

  • PDF

초고속 반도체 레이저와 광통신 응용

  • 이창희
    • 광학과기술
    • /
    • 제1권2호
    • /
    • pp.56-64
    • /
    • 1997
  • 본 기술해설에서는 초고속 반도체 레이저의 특성을 알아보고 광통신에의 응용을 검토하였다. 먼저 반도체 레이저의 동작 원리를 설명하였고, 초고속 반도체 레이저의 소신호 및 대신호 변조특성에 대해서 기술하였다. 또한, 반도체 레이저를 이용하여 극초단 펄스를 생성하는 방법으로 이득/Q 스위칭법, 외부변조기와 집적화된 반도체 레이저를 이용하는 방법, 모드 록킹법에 대해서 검토하고 펄스 압축법에 관해서도 기술하였다. 초고속 반도체 레이저의 응용으로는 초고속 광통신, 솔리톤 광통신, 전광 시분할 다중/역다중에 관해서 기술하였다.

  • PDF

이중 전극 구조를 이용한 반도체 레이저의 직접 변조 성능 향상 (Improvement of Direct-Modulation Performances of Semiconductor Lasers by using Dual-Electrode Structure)

  • 성혁기
    • 한국정보통신학회논문지
    • /
    • 제15권3호
    • /
    • pp.654-659
    • /
    • 2011
  • 반도체 레이저의 직접 변조 시에 발생하는 레이저의 주파수 처핑(chirping) 현상을 감소시켜 직접 변조를 하는 레이저 다이오드의 변조 특성을 향상시키기 위하여 이중 전극을 가진 구조의 반도체 레이저를 제안하였다. 이중 전극 레이저는 일반적인 측면 방출형 반도체 레이저와 달리 하나의 광이득 매질에 대하여 전기적으로 전극을 분리한 구조이다. 본 논문에서는 이중 전극 구조의 반도체 레이저를 이용하여 직접 변조시 발생하는 처핑(chirping)과 이에 따른 광신호의 선폭을 감소시킴으로써 단일 전극 구조의 레이저 다이오드와 비교하여 10-Gbps NRZ(non-return-to zero) 신호의 80-km 광전송에 대하여 2.5 dB의 광링크 수신감도 향상을 달성하였다.

해외리포트 - 양자 캐스케이드 레이저와 그 응용

  • 한국광학기기협회
    • 광학세계
    • /
    • 통권146호
    • /
    • pp.41-46
    • /
    • 2013
  • 서브밴드 간의 광학천이를 이용한 양자 캐스케이드 레이저는 PN접합형의 반도체 레이저 다이오드와는 다른 동작 원리를 지닌 중적외선 대역의 반도체 레이저다. 실온에서 동작 가능한 유일한 적외선 대역의 반도체 레이저로, 가시선 영역과 비교해 개척 여지가 많은 적외선 영역 전체를 견인하는 핵심 디바이스로 자리 잡을 전망이다. 이번호에서는 양자 캐스케이드 레이저의 동작 원리와 특징, 활성층 구조, 설계, 발진 등에 대해 소개한다. 이 원고는 일본 하마마쓰 광학(Hamamatsu Photonics) 개발본부 레이저 디바이스 개발그룹의 Naota Akikusa, Tadataka Edamura 씨가 월간 OPTRONICS 2013년 5월호에 기고한 내용으로 그린광학의 유정훈 팀장이 번역에 도움을 주었다.

  • PDF

멀티빔 레이저마킹기 세계 최초 개발 성공-레이저장비 전문업체 (주)이오테크닉스

  • 박지연
    • 광학세계
    • /
    • 통권110호
    • /
    • pp.36-37
    • /
    • 2007
  • 세계 반도체 레이저마킹기 시장의 50% 이상을 장악하고 있는 이오테크닉스(대표.성규동)가 이번에는 장비 한 대에서 최대 4개의 레이저 빔을 동시 분사할 수 있는 멀티빔 레이저 마킹기를 세계 최초로 개발하며 다시 한번 저력을 유감없이 발휘했다. 이 회사는 1년간의 연구개발 과정을 거쳐 탄생한 멀티빔 레이저마킹기를 통해 반도체 이외에 휴대전화 등 일반소비재로 확대 적용하는 등 기존 반도체 시장에 이어 범용 마킹 분야로 진출할 수 있는 발판으로 삼을 예정이다.

  • PDF

표면방출레이저 소자 기술 및 동향 (Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Device Technology and Trend)

  • 송현우;한원석
    • 전자통신동향분석
    • /
    • 제20권6호통권96호
    • /
    • pp.87-96
    • /
    • 2005
  • 반도체 산업의 눈부신 발전은 진공관을 대신할 다이오드와 트랜지스터를 발명함으로써 저전력, 소형화에 성공하였기 때문이며, 또한, IC의 발명으로 이를 집적화하여 대량생산이 가능하고, 제품 제작을 용이하게 함으로써 제품 제작가격을 낮출 수 있게 되었기 때문이다. 이와 마찬가지로 가스 레이저를 대신할 반도체 레이저의 발명은 광통신의 핵심 부품인 광원의 저전력, 소형화를 실현시킴으로써 광통신 시대를 열게 하였다. 반도체 레이저의 발명으로 저전력, 소형화에는 성공하였으나, 비싼 광통신 부품은 본격적인 광통신 시대 실현에 걸림돌이 되고 있다. 반도체 산업의 주역인 IC 칩과 같은 저전력이며, 집적화가 가능하고, 대량 생산이 용이하여 가격이 저렴한 광 부품이 필요하다. 이런 이유로 광 부품 중 핵심 기술인 광원에 있어서는 표면방출레이저(VCSEL)가주목 받고 있다. 본 고에서는 각 파장 대역별로 표면방출레이저 소자의 기술 및 현황을 설명하고, 이들의 다양한 응용 분야 그리고 현재의 표면방출레이저 소자 시장 동향을 살펴 본다.

고밀도 광디스크용 홀로그램 적색 반도체 레이저

  • 유태경
    • 전자공학회지
    • /
    • 제22권3호
    • /
    • pp.13-22
    • /
    • 1995
  • 본 논문은 차세대 멀티미디어의 핵심기기 중의 하나로 주목받고 있는 고밀도 광디스크 시스템의 근간 기술인 광학계 구성 기술에 대한 설명으로서, 특히 차세대 광학계에 필수적인 적색 반도체 레이저 기술과 홀로그램 광학소자에 의한 집적화 기술의 개발 현황과, 업계에서는 처음으로 LG전자가 고밀도 광디스크 시스템에 실장한 홀로그램 적색반도체 레이저에 대하여 기술하고자 한다.

  • PDF

657 nm 가시광 반도체레이저의 선폭 축소와 파장가변특성 (Linewidth Reduction and Wavelength Tuning Characteristics of a 657 nm Visible Laser Diode)

  • 윤태현;서호성;정명세
    • 한국광학회지
    • /
    • 제5권1호
    • /
    • pp.100-105
    • /
    • 1994
  • Littrow형 회절격자를 이용한 확장공진기를 657 nm 영역에서 연속동작하는 상용 InGaAsP 단일모우드 가시광 반도체를 이용하여 구성하였다. 제작한 확장공진기 시스템에서 657 nm InGaAsP 가시광 반도체 레이저의 선폭은 60 MHz에서 10 MHz 이하로 축소되었다. Littrow 회절격자의 설치각도와 레이저의 온도 및 주입 전류에 대한 반도체레이저의 주파수(파장) 의존성을 레이저 파장계를 이용하여 측정하였다. 상용 CQL820D 가시광 반도체레이저의 회절격자의 설치각도, 레이저 온도 및 주입전류에 대한 비례계수는 각각 1THz/mrad, 32.4 GHz/K, 그리고 6.14 GHz/mA 이었다.

  • PDF

2.4W CW 고출력 테이퍼드형 반도체 레이저 (2.4W CW High-Power diffraction-limited tapered laser)

  • 허두창;배형철;최상현;최원준;박용주;조운조;이정일;정지채;한일기
    • 한국광학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
    • /
    • pp.66-67
    • /
    • 2003
  • 고출력 반도체 레이저는 EDFA의 펌핑소스, frequency-doubling 또는 tripling을 통한 자외선 혹은 가시광선의 생성, 의료 등 많은 응용분야를 가지고 있다. 특히 테이퍼드형 반도체 레이저는 대면적 레이저 다이오드와는 달리 단일모드를 만들어내는 리지영역과 이 빔이 회절없이 전파하며 고출력을 만들어내는 이득영역으로 되어 있어 고출력의 빔을 얻을 수 있을 뿐 아니라 고출력 발진시에도 횡적 안정성을 가지는 빔을 얻을 수가 있다. (중략)

  • PDF

반도체 레이저의 광 위상 동기 (Optical Phase-looking of Semiconductor Lasers)

  • 신철호
    • 한국광학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국광학회 1991년도 광학 및 양자전자학 워크샵
    • /
    • pp.141-146
    • /
    • 1991
  • 최근 고분해능 분광, 코히어런트 광통신 등의 중요한 기반 기술인 레이저간의 위상 동기에 관한 연구와 이의 시스템에의 응용이 활발히 전개되고 있다. 이 논문에서는 레이저에 의한 광 위상 동기 루우프의 기본 동작 원리, 구성법, 특징, 응용 범위 및 위상 오차를 종합 분석하고, 공촛점 파브리 페로 공진기 결합 광귀환형 반도체 레이저에 의한 헤테로다인 및 호모다인 광 위상 동기 루우프의 최근 실험 결과를 소개한다.

  • PDF