• Air Cleaning Technology
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• 제5권3호통권18호
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• pp.85-109
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• 1992

• Journal of Korean Electronics
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• 제6권6호
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• pp.76-82
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• 1986

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 한국정보처리학회 2024년도 춘계학술발표대회
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• pp.548-549
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• 2024

본 연구는 웨어러블 디바이스 보조전력으로서 유기태양전지를 사용하기 위한 방안을 제시한다. 유기태양전지의 다층구조에서 광활성층과 금속전극 사이에 버퍼층으로서 PC70BM 층을 삽입함으로써 기대되는 전력변환효율의 향상을 소개한다. 또한 이러한 버퍼층의 두께를 조절하여 이에 대한 효과를 확인한다. 수집된 데이터를 분석하여 최적의 버퍼층 두께를 추출하고 이러한 과정에서 최대 값을 초과한 두께에서 발생하는 전력변환효율 감소 또한 확인할 수 있다.

• JOURNAL OF ELECTRICAL WORLD
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• 통권323호
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• pp.69-75
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• 2003

불투명한 경제정세의 와중에서도 전기에너지를 지탱하는 근간이 되는 파워 일렉트로닉스 분야는 확실히 그 기술개발을 향상시켜 오고 있다. 특히 파워디바이스는, 지구환경과 생활환경을 보다 쾌적하게 하기 위하여 인버터 장치 등의 각종 전력절약기기와 풍력$\cdot$태양광$\cdot$연료전지 등 클린에너지의 전력제어장치에 없어서는 안되는 반도체디바이스로 성장했다. 파워디바이스 중에서도 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)의 기술혁신은 요 20년 사이에 비약적인 성과를 거두었다. 1980년대에 제품화된 IGBT는, 반도체메모리의 초미세가공기술을 도입하면서 $5{\mu}m$에서 서브미크론의 디자인툴로 발전하여, 2000년대에 들어 칩의 전류밀도는 약 2배, 포화전압은 약 $65\%$까지 개량되었다. 이와 같은 IGBT의 변천은, 전력손실을 대폭적으로 저감시켜 에너지절약기기의 전력변환효율 향상에 공헌하고 있다. 파워디바이스의 기술진보에서 또 한 가지 잊지 말아야 할 것은 주변회로의 집적화(集積化)에 의한 고성능$\cdot$고기능화이다. 최근의 인버터용 파워디바이스로 가장 많이 사용되고 있는 파워모듈은, IGBT등의 파워칩과 그 주변회로와의 컬래버레이션에 의한 제품이다. 다시 말하면 구동회로, 전류$\cdot$전압$\cdot$온도센서 및 그것들의 보호회로가 IC(집적회로)에 편입되어 고기능$\cdot$소형화를 촉진시키고 있다. 구동회로는 LVIC (저전압집적회로)에서 HVIC(고전압집적회로)로 발전하여 전류$\cdot$온도 등의 각종 센서도 동일 칩에 설계할 수 있게 되었다. 또 센싱이나 보호기능뿐만이 아니라 출력전류의 제어를 위한 연산기능과 di/dt의 제어기능이 내장되도록 되어 있어 보다. 고성능의 인텔리전트 파워모듈(IPM)이라고 불리우는 새로운 개념의 파워디바이스가 실현되었다. 또한 패키지 기술도 내부배선 인덕턴스의 저감과 트랜스퍼 몰드패키지의 개발로, 소형화뿐만이 아니라 파워칩의 성능$\cdot$기능을 충분히 발휘할 수 있도록 개발이 적극적으로 추진되고 있다.

• Journal of Korean Electronics
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• 제3권1호
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• pp.107-110
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• 1983

• Journal of Korean Electronics
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• 제4권1호
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• pp.95-100
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• 1984

• Journal of Scientific & Technological Knowledge Infrastructure
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• 통권26호
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• pp.57-61
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• 2007

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 한국정밀공학회 2004년도 춘계학술대회 논문요약집
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• pp.202-202
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• 2004

화합물 반도체는 초고속, 초고주파 디바이스에 적합한 재료인 갈큠비소(GaAs), 인듐-인산듐(InP) 등 2 개 이상의 원소로 구성되어 있고, 실리콘에 비해 결정내의 빠른 전자이동속도와 발광성, 고속동작, 고주파특성, 내열특성을 지니고 있어 발광 소자 (LED)와 이동통신(RE)소자의 개발 등에 다양하게 이용되고 있다. 이와 같이 화합물 반도체는 고부가가치의 첨단산업 부품들로 적용되는 만큼 생산제조 공정에 해당하는 연마, 본딩, 디본딩에 관한 방법과 기술에 대한 연구가 꾸준히 진행되고 있다.(중략)

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2002년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.64-68
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• 2002

플립칩 공정에서는 반도체 칩과 기판사이의 열팽창계수(CTE : Coefficient of Thermal Expansion)의 차와 외적 충격과 같은 이유로 인해 피로균열(Fatigue crack)이나 치명적인 전기적 결함이 발생하게 된다. 이런 부정적인 요인들로부터 칩을 보호하고 신뢰성을 향상시키기 위해서 플립칩 언더필 공정이 적용되고 있다. 본 연구에서는 기존의 몰딩 공정을 응용한 플립칩 언디필 방법을 소개하였다. 공정 이론과 디바이스를 소개하였으며, 시뮬레이션 및 수식을 통하여 최적의 언더필을 위한 몰더 설계 조건을 구하였다. 그리고 본 연구를 통해 기대되는 공정의 장점을 제시하였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2007년도 춘계학술대회
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• pp.215-217
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• 2007

반도체 집적화 기술의 발달로 반도체 공정에서 디바이스의 선폭은 줄어들고, 박막의 다층화가 필수적인 과정이 되었다. 이에 따라 반도체에서 Si 기판과 금속 배선과의 열적 안정성에 대한 신뢰성이 더욱 중요시 되어가고 있다. 이를 방지하기 위하여 우리는 3개의 화합물로 구성된 Tungsten-Carbon-Nitrogen (W-C-N) 확산방지막을 사용하였다. 실험은 Si 기판위에 W-C-N박막을 물리적 기상 증착법(PVD)으로 질소비율을 변화하며 확산방지막을 증착하여 Si 기판과 W-C-N확산방지막의 특성을 여러 온도 열처리 조건에서 확인하였다. 특성을 분석을 위하여 ${\alpha}-step$과 ${\beta}-ray$를 이용하여 증착률을 확인한 후 4-point probe를 이용하여 비저항을 측정하였고, X-ray Diffraction 분석을 통하여 결정 내부의 변화를 확인하였다. 이를 통하여 W-C-N 확산방지막의 열적인 안정성을 질소변화에 따라 조사하였다.