Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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1991.07a
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pp.135-140
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1991
반도체 레이저에서의 여러 가지 다른 원인에 기인하는 광쌍안정성과 이의 응용을 검토하였다. 이득 영역과 흠수포화 매체를 가지고 있는 반도체 레이저, 광전궤환이 가해진 반도체 레이저, cleaved-coupled-cavity 반도체 레이저, distributed feedback 반도체 레이저, twinstripe 반도체 레이저, 외부공진기 반도체 레이저에서의 광쌍안 정성을 고찰하였다. 또, 반도체 레이저 광증폭기에서의 광쌍안정성에 대해서도 검토하였다.
광과 광, 반도체와 반도체, 기술과 제품, 메이커 등의 차이로 인해 광과 반도체는 각각 개별적인 세계를 형성하고 있었으나, 이제 이 두 개의 세계가 연결되어 이윽고 융합을 향한 움직임을 보이고 있다. 광 네트워크 분야에서 시작된 이러한 움직임은 반도체 기술이 생산하는 새로운 부품으로 시장에 모습을 나타내고 있는데, 그 신제품이 바로 광 스위치이다. 광과 광, 반도체와 반도체, 기술과 제품, 메이커 등의 차이로 인해 광과 반도체는 각각 개별적인 세계를 형성하고 있었으나, 이제 이 두 개의 세계가 연결되어 이윽고 융합을 향한 움직임을 보이고 있다. 광 네트워크 분야에서 시작된 이러한 움직임은 반도체 기술이 생산하는 새로운 부품으로 시장에 모습을 나타내고 있는데, 그 신제품이 바로 광 스위치이다.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2012.05a
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pp.747-749
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2012
This paper is analyzing the SoC policy of major nations as the U.S, Japan, Europe, Taiwan, China and draw the suggestions for the development of semiconductor industry in Korea. SoC is the non-memory semiconductor to support and put into action the function of system. SoC is big market over the 200billion dollars and have a huge potential for new IT convergence market. Developed countries as the US, Japan, and Europe have enforced the industrial competitiveness by company investment and Taiwan supported the SoC Industry by government fund. Korea is No.1 superpower in DRAM semiconductor, but very weak in SoC Industry. We should secure the competitiveness of SoC Industry by the development of core technology, planning the growth policy, and building the cooperative model to leap the SoC power nation.
금속과 원소반도체의 접촉으로 이루어진 점접촉트란지스터를 출발점으로 한 P-N접합트란지스터는 4반세기동안 반도체전자 소자의 중심이었다. 이와 같은 반도체소자는 단결정반도체의 특성을 이용한 것으로 그 제작에 있어 거의 완전에 가까운 결정구조와 극도의 화학적순수성이 요구되는 것이다. 이와 같은 요구조건은 접합형 반도체소자제작에 큰 제한을 주게 된다. Gunn Diode, Impatt Diode등으로 반도체소자는 Bulk형식의 것이 각광을 받게 되었으며 MOS형식의 FET에 이르러 신기원을 이루게 되었다. 이리하여 MOS기술은 Sapphire기반을 도입함으로써 SOS기법으로 발전을 거듭하게 되었다. 그러나 정질반도체의 이용이라는 근본적 개념에서는 이탈치못하고 있다. 이상과 같은 정질반도체소자에 대응하여 반대적 입장에서 불순물농도의 영향이 적은 비정질반도체의 연구가 70년이후 미국을 중심으로 활발하게 전개되고 있다. 그 연구 및 개발결과는 2년마다 이루어지는 액체비정질반도체국제회의에서 종합되고 있다. 이 분야에서의 연구는 1968년 Ovshinsky가 비산화물 Chalcogenide glass 비정질박막에서의 빠른 응답속도의 양극대칭성 Switching 현상 발견을 계기로 신국면을 개척하게 된 것이다. 이들 비정질반도체에 대한 물성론적 흥미와 응용면에 관한 기대로부터 전도기구의 해명과 응용회로의 개발연구가 급속히 진전되고 있다.
올해로 12회째를 맞은 한국반도체학술대회에는 모바일 융합시대에 적합한 반도체 기술 관련 논문을 비롯해 300㎜ 웨이퍼 성숙기 진입을 위한 기초 기술, 나노반도체 관련 기술 논문이 주를 이뤘다. 국내 유일의 반도체 학회인 한국반도체학술대회가‘모바일 융합 반도체(Semiconductor as enabler for Mobile Convergence)’를 주제로지난달 24일 삼성동 코엑스에서 개막했다.
본 기술해설에서는 초고속 반도체 레이저의 특성을 알아보고 광통신에의 응용을 검토하였다. 먼저 반도체 레이저의 동작 원리를 설명하였고, 초고속 반도체 레이저의 소신호 및 대신호 변조특성에 대해서 기술하였다. 또한, 반도체 레이저를 이용하여 극초단 펄스를 생성하는 방법으로 이득/Q 스위칭법, 외부변조기와 집적화된 반도체 레이저를 이용하는 방법, 모드 록킹법에 대해서 검토하고 펄스 압축법에 관해서도 기술하였다. 초고속 반도체 레이저의 응용으로는 초고속 광통신, 솔리톤 광통신, 전광 시분할 다중/역다중에 관해서 기술하였다.
Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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2003.05a
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pp.51-54
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2003
반도체 산업의 발전에 따라 생산과정에서의 반도체 소자의 특성을 검사하고, 오류를 검출하는 작업을 효율성 있게 하여 생산성을 향상시키는 것이 더욱 중요시 되고 있다. 이러한 흐름에 맞추어 반도체 test장비에 VFCS(voltage forcing current sensing)와 CFVS(current forcing voltage sensing)를 test 할 수 있게 개발하였다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.46-46
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2011
본 논문에서는 전세계적으로 차세대 화합물반도체 플랫폼으로 각광을 받고 있는 GaN 전력소자의 연구개발 동향에 관하여 발표하고자 한다. GaN 반도체는 와이드 밴드갭(Eg=3.4eV)과 고온 안정성($700^{\circ}C$)등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF 전력증폭기와 고전력용 전력반도체 응용에 큰 장점을 가진다. 전반부에서는 미국, 유럽을 중심으로 한 대형 국책 연구프로젝트등 RF 전력증폭기 연구개발 동향을, 후반부에서는 일본, 미국, 유럽에서 급속도로 진행되는 전력반도체 연구개발 동향에 관하여 알아본다. 이러한 총체적인 동향 분석을 통하여 차세대 반도체의 신시장 개척과 선진입을 위한 GaN 반도체의 연구개발 방향과 상용화의 중요성을 함께 생각해보고자 한다.
SK하이닉스는 PC, 모바일 등 각종 IT기기의 필수부품인 D램과 낸드플래시 등 메모리반도체를 비롯해 CIS와 같은 시스템반도체 등을 생산하는 기업이다. 1984년 국내 최초로 16Kb S램을 시험 생산한 이래, 세계 최초 최소 최고속 최저전압의 혁신적인 제품을 연이어 시장에 선보이며 이제는 반도체업계의 선두기업 반열에 당당히 올라섰다. 세계 메모리반도체 2위, 세계 최대 반도체 시장인 중국 등 신흥시장에서 D램 부문 1위 등이 그 증거다. 우리 식탁의 기본인 쌀처럼 반도체는 IT산업의 핵심으로 꼽힌다. 더불어 반도체는 단순한 부품을 넘어 이제 IT제품의 성능을 구분 짓는 잣대로까지 평가받고 있다. 때문에 고품질의 반도체를 생산하기 위한 이곳 임직원들의 열정과 노력은 상당하다. 환경안전 관리는 바로 이런 노력을 뒷받침하는 주축이다. 이런 신념에 따라 이곳은 쾌적한 근무환경 조성에 매진하는 한편 안전을 최우선으로 하여 모든 작업을 진행하고 있다. 반도체분야 최정상 기업의 지리를 유지하기 위해 환경안전관리에 매진하고 있는 SK하이닉스 이천 본사를 찾아가봤다.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TE
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v.37
no.4
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pp.35-46
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2000
Semiconductor technology includes from semiconductor materials, design, fabrication, handling of process equipments, reliability test to packaged semiconductor devices. Our departmental curriculum is organized with 2-years/6-quarters system of Ulsan College: the understanding for the fundamental of semiconductor is carried out in the first academic year and the training for the design skill on semiconductor devices will be focused in the second academic year. The main focus is reflected on the worldwide trend on the design engineering of semiconductor devices and considered for the market establishment on design engineers trained by the lab-oriented practice as well as the fundamental of semiconductor technology.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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