An, Yeong-Gi;Choe, Jung-Bong;Kim, Ju-Won;Gu, Gyo-Uk;Jo, Jung-Geun
Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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2007.06a
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pp.76-80
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2007
반도체 제조공정에서 매엽식 습식 식각 공정은 기판을 회전하면서 상하 면에 약액을 분사하는 형태로 박막을 식각한다. 이 때 기판은 척을 이용하여 고정되는 데 기판과 척이 접촉하는 가장자리 부분에서 약액의 흐름이 정체되거나 일정하지 못해 잔류막질이 남게 되고, 후속 공정에서 기판 오염의 문제를 야기하게 된다. 본 논문에서는 이러한 문제를 해결하기 위해 기판을 파지하는 여러 개의 척을 2개조로 나누어 교대로 파지하도록 하는 기능을 제시하였다. 2개 조의 척들은 자성체를 사용하여 고속 회전 중에 비접촉 방식으로 구동하였고 실제 약액 처리론 수행하여 효과를 관찰하였다. 결과적으로 기존 고정형 파지 방식에 비해 교차형이 기판 베벨면이나 에지면에서의 잔류 막질 제거에 탁월한 효과가 있음을 확인하였다.
FM방식의 악기음원합성은 해당 악기의 음색과 음정에 맞는 FM의 기본 주파수와 변조 계수를 정하여 신호 파형을 생성하는 것으로, 다른 가, 감산방식 또는 PCM방식 등에 비해 비교적 간단한 구조로 다양한 악기음원합성이 가능하다. 따라서 현재 사용되고 있는 개인용 컴퓨터에 부착되는 사운드합성 카드에는 FM방식 음원합성기술이 적용되고 있다. 본 논문에서는 FM방식 음원합성기술을 이용하여 실시간 악기음원합성이 가능한 논리회로를 설계하는데 관한 연구를 기술한다. 본 연구에서는 소프트웨어 프로그래밍에 의해 FM방식 음원합성기의 구조를 설계하고 주요 블록의 최적 변수 값을 실험하였다. 논리회로 설계 및 회로검증은 향후 주문형반도체(ASIC:Application Specific Integrated Circuit)제작을 위해 기존의 표준셀 라이브러리와 주문형반도체 전용 설계시스템을 사용하였다. 회로검증 결과는 간이 평가보드를 제작하고 PC와 접속시켜 생성된 악기음을 직접듣는 주관적 평가방법으로 최종 확인하였다.
Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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2005.09a
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pp.170-174
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2005
본 연구는 산업용과 의료용에 사용되는 비파괴 검사용 X 선 영상시스템에 이용되는 X 선을 직접 감지하는 방식의 센서를 실리콘 반도체 재료를 사용하여 개발하는데 목적이 있다. 이를 위해서 실리콘 반도체를 기본 물질로 하는 X-선 센서를 제작하고, 광범위한 영역에서 응용이 가능한 비파괴 시험용으로 제품화하기 위해 센서 어레이와 주변회로 및 구동회로 시스템과의 연관기술을 검토한다.
Proceedings of the Safety Management and Science Conference
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2003.11a
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pp.199-202
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2003
반도체 제조 시스템에 대한 다양한 상황과 관련한 연구는 많지 않다 게다가, 모든 상황에 항상 적합한 생산시스템 전략은 없다. 반도체 제조공정 시스템에 대한 스케줄은 생산공정의 재진입, 공정의 높은 불확실성, 급속하게 변하는 제품과 기술과 같은 특성 때문에 반도체 제조공정시스템에 대한 스케줄은 복잡하고 어려운 작업이며, 사이클타임의 절감 및 단위시간당 생산량의 증대와 같은 시스템 목적을 달성하기 위하여, 반도체 제조 시스템에 대한 좋은 방법을 발견하기 위한 많은 연구가 있었다. 반도체 산업의 생산 흐름은 가장 독특한 특징을 가지고 있으며 생산계획과 반도체 제조의 스케줄링과 계획을 어렵게 하고 있다. 각각 다른 단계에 있는 자재는 같은 장비의 사용을 위해 경쟁을 하는데, 이로 인하여 작업시간 보다 단지 기다리는 시간에 상당한 시간을 할애하고 있다. 따라서 본 연구에서는 선행 연구를 바탕으로 반도체 공정에 모듈 생산방식을 접목시켜 공정의 사이클 타임을 줄이고, WIP를 최소화하여, 생산량을 최대화는 방안을 제시하고 공정 모듈 시스템 (Process Modular System)을 구축하고자 한다.
The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
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v.6
no.3
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pp.135-140
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2013
In this paper, novel PWM generation method for cascaded H-bridge PWM converter is proposed. The proposed method can solve the unvalancing problem between H-bridges which consist cascade PWM converter without any injection of redundancy switching pattern for solving the load of switches forced from voltage reference of controller.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2015.08a
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pp.206.2-206.2
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2015
최근 비정질 산화물 반도체 thin film transistor(TFT)는 차세대 투명 디스플레이로 많은 관심을 받고 있으며 활발한 연구가 진행되고 있다. 산화물 반도체 TFT는 기존의 비정질 실리콘 반도체에 비하여 큰 on/off 전류비, 높은 이동도 그리고 낮은 구동전압으로 인하여 차세대 투명 디스플레이 산업에 적용 가능하다는 장점이 있다. 한편 기존의 sputter나 evaporator를 이용한 증착 방식은 우수한 막의 특성에도 불구하고 많은 시간과 제작비용이 든다는 단점을 가지고 있다. 따라서 본 연구에서는 별도의 고진공 시스템이 필요하지 않을 뿐만 아니라 대면적화에도 유리한 용액공정 방식을 이용하여 박막 트렌지스터를 제작하였으며 thermal 열처리와 microwave 열처리 방식에 따른 전기적 특성을 비교 및 분석하고 각 열처리 방식의 열처리 온도 및 조건을 최적화 하였다. 제작된 박막 트렌지스터는 p-type bulk silicon 위에 산화막이 100 nm 형성된 기판에 spin coater을 이용하여 Al-Zn-Sn-O 박막을 형성하였다. 연속해서 photolithography 공정과 BOE (30:1) 습식 식각 과정을 이용해 활성화 영역을 형성하여 소자를 제작하였다. 제작 된 소자는 Pseudo-MOS FET구조이며, 프로브 탐침을 증착 된 채널층 표면에 직접 접촉시켜 소스와 드레인 역할을 대체하여 동작시킬 수 있어 전기적 특성평가가 용이하다는 장점을 가지고 있다. 그 결과, microwave를 통해 열처리한 소자는 100oC 이하의 낮은 열처리 온도에도 불구하고 furnace를 이용하여 열처리한 소자와 비교하여 subthreshold swing(SS), Ion/off ratio, field-effectmobility 등이 개선되는 것을 확인하였다. 따라서, microwave 열처리 공정은 향후 저온 공정을 요구하는 MOSFET 제작 시의 훌륭한 대안으로 사용 될 것으로 기대된다.
Production environment of semiconductor industry is shifting from 200mm wafer process to 300mm wafer process. In the new era of semiconductor industry, FAB (fabrication) Line Automation is a key issue that semiconductor industry is facing in shifting from 200mm wafer fabrication to 300mm wafer fabrication. In addition, since the semiconductor manufacturing technologies are being widely spread and market competitions are being stiffened, cost-down techniques became basis of growth. Most companies are trying to reduce average cycle time to increase productivity and delivery time. In this paper, we simulated 300mm wafer fabrication semiconductor manufacturing process by laying great emphasis on reduce average cycle time.
Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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2020.05a
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pp.275-278
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2020
C 와 C++은 비교적 자유로운 코딩 환경으로 많은 프로그래머들에게 사랑받는 프로그래밍 언어이다. 또한, 빠른 속도와 호환성 덕분에 현재 많은 IOT, 임베디드 시스템에 적용되고 있다. C 와 C++은 자유로운 환경을 가지고 있는 반면에 프로그래머의 부주의한 코딩 방식에 의해 여러 취약점을 발생시켜 공격 범위를 증가시킬 수 있다. 다음은 외부 침입자에게 공격에 필요한 좋은 소스를 제공할 수 있으므로 이러한 공격을 막기 위한 범용적인 기술이 필요하다. 본 연구에서는 다음 취약점에 대한 공격을 막을 수 있는 기술 중 하나인 Multi-Variant Execution Environment(MVEE) 기술을 소개하고 다음 기술의 핵심인 다양한 Variant 생성 방식과 기존 연구 분석을 통해 한계점을 고찰하고자 한다.
GaAs 위에 증착된 ZnTe 박막의 계면 구조를 투과 전자 현미경을 이용하여 관찰하였다. 2-빔 조건을 사용하여 관찰된 계면에서 모아레 즐무늬가 관찰되었으며, 이러한 모아레 줄무늬의 생성원리를 규명하였다. 또한 고분해능 투과 전자현미경상으로부터 얻어진 결과와 비교하여 ZnTe의 성장방식 전이 및 섬 구조를 가지는 ZnTe 박막의 여러 가지 구조적 성질들 - 섬의 크기, 변형량, $60^{\circ}$ 전위의 분포 등 - 에 대해 밝혔다. 이러한 결과들은 큰 변형량이 걸린 반도체 이종 접합 구조의 해석에 일반적으로 적용될 수 있다.
본 논문은 1kW급 통신용 전원장치에 가장 많이 사용되는 위상천이 풀브리지 컨버터를 고주파 스위칭 주파수별 동작분석 및 최적 설계에 관한 연구 결과를 발표한다. 이 연구는 100kHz/Si전력반도체, 100kHz/GaN전력반도체, 500kHz/Si전력반도체, 500kHz/GaN전력반도체 4가지 방식의 위상천이 풀브리지 컨버터를 각 조건에서 최적 설계를 하고 그 실험 결과를 추출하여 성능을 비교함으로써 고주파 최적 설계 방법과 GaN전력반도체의 그 우수성을 확인하는 것이다. 일차적으로 이 번 논문에서는 100kHz/Si전력반도체 조건에서 위상천이 풀브리지 컨버터의 최적 설계 과정과 그 실험 결과를 발표한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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