• Title/Summary/Keyword: 박막형 태양전지

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태양전지 투명전극을 위한 산소 플라즈마 처리된 AZO 박막의 특성

  • Lee, Jae-Hyeong;Lee, Su-Ho;Park, Yong-Seop
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.479.1-479.1
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    • 2014
  • 본 연구는 RF 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용하여 AZO 박막을 증착하였다. 증착되어진 AZO 박막은 플라즈마 화학기상증착장치를 이용하여 플라즈마 처리를 하였다. 플라즈마 가스로는 산소가스를 사용하였으며, AZO 박막을 산소플라즈마 처리 시간과 플라즈마 파워에 따라 박막의 특성이 변화되는 것을 관찰하였다. RF 마그네트론 스퍼터링 장치로 증착되어진 AZO 박막의 비저항값과 투과율을 측정한 결과 각각 $5.6{\times}10-4{\Omega}.cm$과 80%를 나타내었다. 증착되어진 AZO 박막을 플라즈마 처리 시간과 플라즈마 파워에 따라 산소플라즈마 처리를 실시하였고, 플라즈마 처리가 되어진 AZO 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성등을 고찰하였으며, 태양전지 응용을 위하여 AZO 박막의 기계적인 특성들을 고찰하였다.

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Effects of Surface Homogeneity on Optical Properties of Sputter-deposited AlTiO Selective Transmitting Layers (스퍼터 증착으로 형성된 AlTiO 선택적 투과막의 표면 균질성에 따른 광학적 특성)

  • Jeong, So-Un;Lim, Jung-Wook;Lee, Seung-Yun
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.21 no.1
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    • pp.22-28
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    • 2012
  • Transparent dye-sensitized solar cells have been widely investigated for the application to building integrated photovoltaic system. Thin film Si-based solar cells are emerging as a substitute for the dye-sensitized solar cells because their merits of well-established manufacturing processes. Since the selective transmitting layer transmits visible light and reflects infrared light, the solar cell efficiency increases with the introduction of the selective transmitting layer. In this work, AlTiO thin films were grown as the selective transmitting layer by cost-effective sputter deposition and their transmittances were improved by controlling deposition parameters.

Effect of sulfur addition on Cu2ZnSnSe4 thin film by Pulsed Laser Deposition (PLD를 이용한 CZTS의 박막의 S 첨가의 영향)

  • Jang, Yun-Jung;Amal, M. Ikhlasul;Alfaruqy, M. Hilmy;Kim, Kyoo Ho
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2010.06a
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    • pp.86.1-86.1
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    • 2010
  • Cu2ZnSnSe4는 CIS 태양전지의 In 대체 물질계로 주목을 받고 있는 저가형 태양전지 재료로 장차 차세대 태양전지 재료로 응용이 기대되고 있다. 그러나 에너지 밴드갭이 0.9~1.1eV로 다소 낮아 태양전지 광흡수층 재료로 사용하기 위해서는 wide band gab화 처리가 필요하다. 본 연구에서는 CZTSe에 S를 첨가하여 에너지 밴드갭을 확장하고자 하며, S의 첨가가 CZTSe 박막의 특성에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. 실험의 편의성을 도모하고자 펄스레이저 법을 사용하여 증착하였다. 박막 조성 제어에는 Cu, Zn, Sn, Se, S 분말을 볼밀로 분쇄, 혼합하여 균질 혼합상 프리커서를 제조하고 이를 Cold Isostatic Press(CIP) 성형하여 Source target을 사용하였다. Pulsed YAG-Laser를 사용하여 soda lime glass상에 증착하고 조성, 구조, 조직을 관찰하고 에너지 밴드갭, 광흡수계수, 면저항, 전하밀도 등 특성을 조사하였다.

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The Development of High-frequency Isolated 3kW PCS for Thin-film PV Modules (박막모듈용 3kW급 고주파 절연 PCS 개발)

  • Kim, Jong-Cheol;Park, Young-Ho;Jeon, Se-Bong;Ryu, Seung-Pyo
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2013.07a
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    • pp.236-237
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    • 2013
  • 최근 박막 태양전지에 대한 관심이 증대되면서 이를 이용한 태양광 PCS에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 박막 태양전지는 모듈의 특성상, 기존의 비절연형 PCS를 사용하여 시스템을 구성하기에 적합하지 않다. 본 논문에서는 승압형 컨버터, 계통 연계형 단상 인버터 2단으로 구성된 비절연형 PCS에 고주파 절연형 컨버터가 추가되어 3단으로 구성된 박막모듈용 3kW급 고주파 절연 PCS를 소개한다. 또한 각종 시험 결과를 통해 적합성 및 성능을 검증하였다.

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CIGS 광흡수층의 Selenization 공정방법에 따른 구조 변화 연구

  • Kim, Hye-Ran;Kim, Sam-Su;Lee, Yu-Na;Kim, Yong-Bae;Park, Seung-Il
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.683-683
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    • 2013
  • 박막태양전지의 일종인 CIGS 태양전지는 직접천이형 반도체로 광흡수계수가 $1{\times}10^5cm^{-1}$로 매우 높고, 전기광학적 안정성이 우수하여 실리콘 결정질 태양전지를 대체할 고효율 태양전지로 각광받고 있다. CIGS 태양전지는 광흡수층 공정방법에 따라 다양한 결정구조 및 효율 차이가 나타난다. 본 실험에서는 Sputtering방법으로 금속전구체를 증착하고, Sequential process를 이용하여 고온에서 셀렌화 열처리를 수행하였다. Soda-lime glass 기판에 배면전극으로 Mo를 증착하고, 1단계로 CuIn0.7Ga0.3 조성비의 타겟을 이용하여 Sputtering법으로 $1.0{\sim}1.2{\mu}m$두께의 CIG 전구체를 증착하였다. 2단계로 CIG 전구체에 분자빔증착기를 이용하여 Se를 증착하고, 열처리를 통하여 CIGS 화합물 구조의 박막을 형성시켰다.증착된 CIGS 박막은 광전자분광분석기로 원소의 화학적 결합상태를 확인하고, in-situ 엑스선회절분석을 통해 Se층의 증착두께와 열처리 온도 변화에 따른 CIGS 층의 결정구조 및 결정화도 변화를 분석하였다.

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박막형 CIGS 연성태양전지용 Mo 배면전극 증착에 관한 연구

  • Kim, Gang-Sam;Jo, Yong-Gi
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.169-169
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    • 2010
  • 박막형 CIGS 태양전지의 배면전극으로 사용되는 Mo 박막은 낮은 저항으로 인한 전기전도성과 열적 안전성이 아주 우수하다. 연구에서는 연성 CIGS 태양전지의 제조를 위한 Mo 배면전극의 대면적 증착기술에 관한 것으로 DC Magnetron Sputtering 공정을 이용하여 전주기술을 통한 Ni-Fe계 연성기판재 위에 졸걸법으로 합성된 $SiO_2$ 절연박막에 Mo 박막을 증착하는 것을 목적으로 하고 있다. 실험에서는 연성기판재 대신 시편을 Sodalime glass, Si wafer, SUS계 소재를 사용하여 스퍼터링 공정에 의한 Mo 박막을 증착하였다. 실험에서 타겟에 인가되는 전력과 공정압력을 변수로 하여 Mo 박막의 증착율, 전기저항성을 측정하였다. 타겟의 크기는 $80mm{\times}350mm$, 타겟과 기판간 거리 20cm 이었으며, 공정 압력은 2~50 mtorr 영역에서 인가전력을 0.5-1.5kW로 하였다. Mo 박막의 증착율과 전기적 특성을 측정하기 위하여 $\alpha$-step과 4-point probe(CMT-SR 1000N)를 이용하였다. 그리고 Mo 박막의 잔류응력을 측정하기 위하여 잔류응력측정기를 이용하였다. Mo 박막의 미세구조분석을 위하여 SEM 및 XRD를 분석을 실시하였다. 배면전극으로서 전기저항성은 공정압력에 따라 좌우 되었으며, 2 mTorr 공정압력과 1.5kW의 전력에서 최소값인 $8.2\;{\mu}{\Omega}-cm$의 저항값과 증착율 약 $6\;{\mu}/h$를 보였다. 기판재와의 밀착성과 관련한 잔류응력 측정과 XRD분석을 통한 결정립 크기를 분석하여 공정압력에 따른 Mo 박막의 잔류응력과 전기 저항 및 결정립 크기의 상관관계를 조사하였다. 그리고 대면적 CIGS 증착공정을 위해 직각형 타겟을 통해 증착된 Mo 박막의 증착분포를 20cm 이내 조사하였다.

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진공증발법을 이용한 CZTSe 광흡수층 박막 제조 및 태양전지 특성 분석

  • Jeong, Seong-Hun;Gwak, Ji-Hye;Yun, Jae-Ho;An, Se-Jin;Jo, A-Ra;An, Seung-Gyu;Sin, Gi-Sik;Yun, Gyeong-Hun
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2011.05a
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    • pp.42.1-42.1
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    • 2011
  • 높은 광흡수 계수를 갖는Cu(In,Ga) $Se_2$ (CIGS) 화합물 박막 소재는 고효율 태양전지 양산을 위해 가장 전도유망한 재료이나 상대적으로 매장량이 적은 In 및 Ga을 사용한다는 소재적 한계가 있다. $Cu_2ZnSnSe_4$ (CZTSe) 혹은 $Cu_2ZnSnS_4$(CZTS)와 같은 Cu-Zn-Sn-Se계 화합물 반도체는 CIGS 내 희소원소인 In과 Ga이 범용원소인 Zn 및 Sn으로 대체된 소재로써 미래형 저가 태양전지 개발을 위해 활발히 연구되고 있는데, 그 화합물 조합에 따라 0.8 eV부터 1.5 eV까지의 에너지 밴드갭을 갖는 것으로 알려져 있다. 스퍼터링법에 기반한 2단계 공정에 의해 3.2%의 CZTSe 및 6.7%의 CZTS 태양전지 효율 달성이 보고된 바 있으며, 최근 비진공 방식을 이용하여 제조된 $Cu_2ZnSn(S,Se)_4$ (CZTSSe) 태양전지가 9.6%의 변환효율을 생산하여 세계 최고기록을 갱신한 바 있다. 반면, 동시진공증발법에 의한 Cu-Zn-Sn-Se계 연구는 박막 조성 조절이 상대적으로 용이하다는 장점에도 불구하고, 상대적으로 공개된 연구결과의 양이 적으며 그 효율에 대한 보고는 특히 미미하다. 본 연구에서는 동시진공증발법에 의한 CZTSe 박막 연구 결과를 바탕으로 Sn 손실을 최소화하기 위한 진공증발 공정을 최적화하였으며, 이를 통해 CZTSe 박막 태양전지를 제조하고 그 특성분석을 통해 5% 이상의 변환효율을 달성하였다.

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Cu2ZnSnS4 박막 및 소자 특성에 대한 전구체에 Zn 또는 ZnS 타겟을 사용 했을 때의 효과

  • Im, Gwang-Su;Yu, Seong-Man;Lee, Jeong-Hun;Sin, Dong-Uk;Yu, Ji-Beom
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2016.02a
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    • pp.407.2-407.2
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    • 2016
  • Cu2ZnSnS4 (CZTS) 박막은 낮은 가격과 유리한 특성을 가지므로서 차세대 박막 태양전지에서 이상적인 흡수층 물질 중 하나로 여겨지고 있다. 우리는 CZTS 박막 태양전지를 합성하는 데 있어서 Zn와 ZnS를 전구체에 사용하여 이에 따른 특성 차이를 연구하였다. 열처리 한 박막은 Zn와 ZnS를 사용하였을 때 특성 차이를 조사하기 위하여 여러 분석을 진행하였다. CZTS 박막의 미세구조와 조성 분포, 전기적 특성을 살펴보았다. Zn를 사용한 CZTS 박막은 큰 입자크기와 더 적은 영역에서 Zn가 집중되어 있는 층을 가진다. CZTS와 Mo 경계인 이 영역에 ZnS 2차상이 존재함을 의미하며 Zn 타겟을 사용하였을 때 더 낮은 Zn 조성을 가지는 것을 확인하였고 이는 결과적으로 접합 특성의 향상을 가져온다. 제작 된 CZTS 태양 전지 소자에서 이러한 이유로 Zn를 사용하였을 때 5.06%로 ZnS를 사용하였을 때에 비하여 더 높은 효율을 얻을 수 있었다.

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E-beam 증착법으로 형성한 Ti 박막 전극이 적용된 염료 감응형 태양전지에 관한 연구

  • Sim, Chung-Hwan;Kim, Yun-Gi;Kim, Hyeon-Gyu;Kim, Dong-Hyeon;Lee, Hae-Jun;Park, Jeong-Hu;Seong, Yeol-Mun;Lee, Ho-Jun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.267-267
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    • 2010
  • 염료 감응형 태양전지는 일반적으로 투명 전극 기판, 염료가 흡착된 $TiO_2$, 전해질, Pt가 코팅된 투명 전극 기판으로 구성된다. 이 중 투명 전극 기판은 전체 재료비 중 60% 이상을 차지하여 이를 대체하는 새로운 구조에 대한 연구가 활발히 진행 중이다. 본 논문에서는 투명 전극 기판을 사용하지 않는 염료 감응형 태양전지를 연구하였다. $TiO_2$ 위에 e-beam 증착을 이용하여 다공성의 Ti 전극을 형성하였다. Ti 전극의 다공성은 SEM 분석 및 염료 흡착을 통해 확인하였다. Ti 전극의 두께가 증가함에 따라 표면저항은 감소하였으며, 태양전지의 효율은 증가하는 경향을 보였다. 또한 Ti 전극의 표면저항이 투명 전극 기판의 표면저항과 동등 수준일 경우 효율 또한 동등 수준을 나타내었다.

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Surfacial and Structural Characteristics of Sputtering-deposited CdS Thin Films with a Change of Annealing Temperature (스퍼터링 방법으로 증착한 CdS박막의 열처리 온도에 따른 표면 및 구조 특성)

  • Ryu, Seung-Han;Lim, Chae-Hyun;Park, Ju-Sun;Kim, Nam-Hoon;Yang, Jang-Tae;Lee, Woo-Sun
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2009.07a
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    • pp.1266_1267
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    • 2009
  • 신재생 에너지 태양광을 활용하기 위한 태양광 발전에 있어서 기존의 고가의 실리콘 기판 대신 저가의 박막형 태양전지 연구가 활발히 진행 되고 있다. 본 연구에서는 박막형 태양전지에 있어서 태양광의 투과층으로 사용되는 CdS 박막의 열처리에 따른 특성을 연구하였다. 실험은 CdS박막을 Sputtering법으로 동일한 조건에서 제조하였고 이 박막을 $200^{\circ}C$, $300^{\circ}C$, $400^{\circ}C$, $500^{\circ}C$, $600^{\circ}C$까지 열처리 하였다. 열처리 전과 후 Ellipsometer를 이용한 박막의 두께 변화, 표면의 RMS Roughness와 Peak to Valley Roughness의 변화 그리고 결정 구조변화 등을 조사하였다. 박막의 두께는 열처리 전보다 처리 후 두께가 얇아졌으나 거칠기나 결정성은 열처리 온도에 따라 거칠어지고 결정성이 떨어졌다.

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