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$SiO_2/Si_3N_4/SiO_2$$Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$ 터널 장벽을 사용한 금속 실리사이드 나노입자 비휘발성 메모리소자의 열적 안정성에 관한 연구

  • 이동욱;김선필;한동석;이효준;김은규;유희욱;조원주
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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    • pp.139-139
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    • 2010
  • 금속 실리사이드 나노입자는 열적 및 화학적 안정성이 뛰어나고, 절연막내에 일함수 차이에 따라 깊은 양자 우물구조가 형성되어 비휘발성 메모리 소자를 제작할 수 있다. 그러나 단일 $SiO_2$ 절연막을 사용하였을 경우 저장된 전하의 정보 저장능력 및 쓰기/지우기 시간을 향상시키는 데 물리적 두께에 따른 제한이 따른다. 본 연구에서는 터널장벽 엔지니어링을 통하여 물리적인 두께는 단일 $SiO_2$ 보다는 두꺼우나 쓰기/지우기 동작을 위하여 인가되는 전기장에 의하여 상대적으로 전자가 느끼는 상대적인 터널 절연막 두께를 감소시키는 방법으로 동작속도를 향상 시킨 $SiO_2/Si_3N_4/SiO_2$$Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$ 터널 절연막을 사용한 금속 실리사이드 나노입자 비휘발성 메모리를 제조하였다. 제조방법은 우선 p-type 실리콘 웨이퍼 위에 100 nm 두께로 증착된 Poly-Si 층을 형성 한 이후 소스와 드레인 영역을 리소그래피 방법으로 형성시켜 트랜지스터의 채널을 형성한 이후 그 상부에 $SiO_2/Si_3N_4/SiO_2$ (2 nm/ 2 nm/ 3 nm) 및 $Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$ (2 nm/ 3 nm/ 3 nm)를 화학적 증기 증착(chemical vapor deposition)방법으로 형성 시킨 이후, direct current magnetron sputtering 방법을 이용하여 2~5 nm 두께의 $WSi_2$$TiSi_2$ 박막을 증착하였으며, 나노입자 형성을 위하여 rapid thermal annealing(RTA) system을 이용하여 $800{\sim}1000^{\circ}C$에서 질소($N_2$) 분위기로 1~5분 동안 열처리를 하였다. 이후 radio frequency magnetron sputtering을 이용하여 $SiO_2$ control oxide layer를 30 nm로 증착한 후, RTA system을 이용하여 $900^{\circ}C$에서 30초 동안 $N_2$ 분위기에서 후 열처리를 하였다. 마지막으로 thermal evaporator system을 이용하여 Al 전극을 200 nm 증착한 이후 리소그래피와 식각 공정을 통하여 채널 폭/길이 $2{\sim}5{\mu}m$인 비휘발성 메모리 소자를 제작하였다. 제작된 비휘발성 메모리 소자는 HP 4156A semiconductor parameter analyzer와 Agilent 81101A pulse generator를 이용하여 전기적 특성을 확인 하였으며, 측정 온도를 $25^{\circ}C$, $85^{\circ}C$, $125^{\circ}C$로 변화시켜가며 제작된 비휘발성 메모리 소자의 열적 안정성에 관하여 연구하였다.

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수열법에 의한 세라믹분말 합성 (Synthesis of ceramic particles by hydrothermal method)

  • 김판채;최종건
    • 한국결정성장학회:학술대회논문집
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    • 한국결정성장학회 1996년도 제11차 KACG 학술발표회 Crystalline Particle Symposium (CPS)
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    • pp.219-222
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    • 1996
  • 수열법은 밀폐용기중에서 10$0^{\circ}C$이상의 가열, 가압된 수용액이 반응에 관여하는 것으로써, 수정, CaCO3, AlPO4, GaPO4 등과 같은 단결정의 육성 뿐만 아니라 균일분산계로부터 균일한 결정성의 미립자 합성에도 폭넓게 이용되고 있다. 세라믹분말의 합성에 있어서, 이 방법은 특히 형상, 입자크기의 제어가 용이할 뿐만 아니라 고상법, 졸-겔법, 공침법에서와 같은 열처리, 분쇄과정이 필요없기 때문에 고순도의 초미립자를 얻을 수 있는 장점이 있다. 근년 미국, 일본에서는 수열법을 이용한 유전, 압전체 등 세라믹분말의 일부가 공업적인 규모로 대량 생산되고 있다. 그러나 이에 대한 국내 기술은 아직 초기단계에 이르고 있는 실정이다. 따라서 본 연구실에서는 수열법에 의한 단결정 육성 (예; 자수정, CaCO3, AlPO4, GaPO4, KTP, Emerald 등), 박막제조 (예; GaP, PbTiO3, BaTiO3 등), 정제 (고령토, 장석, 도석 등), 원석처리 (진주, 인공 emerald, 비취 등) 그리고 각종 세라믹분말의 합성 등과 같은 다양한 기반기술의 축적과 동시에 공업화에 대응한 수열장치를 위하여 반응용기의 대형화, 엄밀한 밀폐방식, 실용적인 수열조건 등을 개발해 오고 있다. 본 발표에서는 현재까지의 연구개발 내용 중에서 결정성 미립자에 관련한 세라믹분말의 합성에 대한 일부의 결과들을 보고한다. 일반적으로 수열장치는 전기로, 반응용기, 온도 및 압력제어계 등을 기본으로 하고 있으며 시판용의 대부분이 교반기가 부착된 수직형 (vertical type)이다. 이와 같은 방식에 있어서는 엄밀한 밀폐가 곤란, 반응온도의 한계성 (25$0^{\circ}C$ 이하), 증진율의 한계성 (소량생산) 등과 같은 점이 있기 때문에 본 연구실에서는 개폐식 전기로내에 엄밀한 밀폐가 가능한 수평식(horizontal type)의 반응용기를 채택한 뒤 이를 회전 또는 시이소(seesaw)식으로 움직일 수 있도록 하여 연속공정화, 온도구배의 자율조절 그리고 보다 저온에서도 인위적인 이온의 확산을 효율적으로 유도할 수 있도록 하였다. 이와 같은 방식은 기존의 방식과 비교하여 반응용기 내에 응집현상과 미반응물이 존재하지 않으며 또한 단분산으로 결정성 미립자를 대량적으로 얻을 수 있는 장점이 있었다. 다음은 이상과 같이 본 연구실에서 자체 개발한 수열장치를 이용하여 PbTiO3, (Pb,La)TiO3Mn, BaTiO3, ZnSiO4:Mn, CaWO4 등과 같은 세라믹분말에 대한 합성 실험의 결과이다. 압전성, 초전성이 우수한 PbTiO3 및 (Pb,La)TiO3:Mn 분말의 수열합성은 PbO, TiO2, La2O3 등의 분말을 출발원료로 하여 합성도도 25$0^{\circ}C$부근의 알카리성 용액중에서 결정성 PbTiO3 및 (Pb,La)TiO3:Mn 미립자를 단상으로 얻었으며 입자의 형상 및 크기는 합성온도와 수열용매의 종류에 의존하였다. 유전체로서 폭넓게 응용되고 있는 BaTiO3 분말은 Ba(OH)2.8H2O, TiO2와 같은 최적의 출발원료를 선택함으로써 15$0^{\circ}C$ 부근의 저온영역에서도 용이하게 합성할 수 있었다. 특히 본 연구에서는 수용성인 Ba(OH)2.8H2O를 사용함으로써 host-guest적인 반응을 유도시키는데 있어 물의 가장 실용적이고 효과적인 수열용매임도 알았다. ZnSiO4:Mn, CaWO4, MgWO4와 같은 형광체 분말은 공업적으로 고상반응 또는 습식법에 의해 얻어지고 있으나 이들 방법에 있어서는 분쇄공정으로 인한 형광특성의 저하와 같은 문제점이 있다. 따라서 본 연구에서는 수열법을 이용하여 이들 화합물의 합성을 시도하였으며 그 결과 합성온도 30$0^{\circ}C$ 부근의 알칼리성 용액중에서 수열적으로 얻어짐을 알았다. 여기서의 합성분말을 이용하여 실제 조명램프로 제조한 결과 녹색, 청색 발광용 형광체로서 우수한 형광특성을 나타내었다. 천연에서 소량 산출되고 있는 고가의 (Li,Al)MnO2(OH)2:Co 분말은 도자기의 전사지용 청색안료로써 이용되고 있다. 본 연구실에서는 LiOH.H2O, Al(OH)3, MnO2 등의 분말을 출발원료로 하고 24$0^{\circ}C$ 온도 부근 그리고 물을 수열용매로 하여 천연산에 필적하는 (Li,Al)MnO2(OH)2:Co 분말을 인공적으로 합성하였다.

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A형 급성대동맥박리증에서 대동맥궁치환술과 상행대동맥치환술 후 잔존 원위부 대동맥의 변화에 대한 중기 관찰 비교 (Comparison of the Mid-term Changes at the Remnant Distal Aorta after Aortic Arch Replacement or Ascending Aortic Replacement for Treating Type A Aortic Dissection)

  • 조광조;우종수;방정희;최필조
    • Journal of Chest Surgery
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    • 제40권6호
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    • pp.414-419
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    • 2007
  • 배경: 급성A형대동맥박리증의 급성기 수술은 지금까지 상행대동맥만 치환하는 것을 표준으로 받아들여지고 있었다. 그러나 최근 수술 수기가 발달되어 대동맥궁치환술의 성적이 상행대동맥치환술과 별 차이가 없다는 보고가 늘고 있다. 이에 저자는 급성기의 대동맥궁치환술이 상행대동맥치환술에 비해 중단기 경과는 어떤지 알아보고자 했다. 대상 및 방법: 2002년부터 2006년까지 본원에서 수술 받은 25명의 급성A형대동맥박리증 환자를 분석했다. 이 중 12명에서 상행대동맥치환술을 시행했고 13명에서 대동맥궁치환술을 시행했는데 대동맥궁치환술을 받은 환자 중 5명은 말초에 스탠트 인조혈관을 삽입하였다. 수술 후 외래에 추적 가능한 환자는 19명이었는데 대동맥궁을 치환한 환자군은 두 명이 탈락되어 11명이고, 상행대동맥만 치환한 환자는 수술에서 생존한 8명이었다. 평균 추적일은 $756{\pm}373$일이었다. 수술 후 최근까지 외래에서 컴퓨터 단층 촬영으로 치환 말단의 대동맥을 관찰하였다. 결과: 수술 사망은 상행대동맥치환술군에서만 4명이 발생하여 전체 수술 사망률은 16%였다. 대동맥궁을 치환한 환자군에서는 추적한 11명 중 2명(18.1%)이 치환 원위부 대동맥 확대가 관찰되었는데 반해서, 상행대동맥만 치환한 환자군에서는 8명 중 5명(62.5%)이 관찰되었다. 대동맥궁치환과 함께 스탠트그래프트를 삽입한 환자 4명 중 한 명이 스텐트 직하방 하행대동맥 이하가 늘어나 흉복부대동맥치환술을 시행받았다. 결론: 대동맥궁치환술은 급성대동맥박리증에서 안전하게 시행될 수 있는 수술이다. 급성대동맥박리증의 수술은 대동맥궁치환술의 적극적인 적용이 만기 이차 수술을 줄이는데 기여할 것으로 생각된다.율동으로 돌아왔다. 결론: 혈중 BNP 농도의 증가는 심장 수술 후 심방세동 발생을 예측하는 데 유용한 인자이다. 심방세동 발생의 위험인자가 있는 경우 술 후 적극적으로 예방적 항부정맥제 사용을 고려해야 한다.많으며 한국산 연어 계군을 타 계군과 확실하게 구분할 수 있는 표식도 아직까지는 존재하지 않는다. 여기에서는 기생충에 관한 정보를 포함한 한국산 연어의 계군 분석에 대한 최근의 연구 결과에 관하여 마지막으로 언급하였다.산화됨과 동시에 출력 산소농도가 입력농도와 다시 같아질 때까지 소요된 구간이 산화시간이 된다._{35}$ 박막 내의 상대적으로 원자 밀도가 큰 기둥(Columnar)구조가 생성되고, 이 원자 밀도가 높은 기둥구조의 댕글링본드와 주입된 수소가 흡착하여 에너지대의 국재준위를 감소시키기 때문으로 판단된다.법으로 적합하다. 본 논문에서는 고차 shimming 을 통하여 불균일도를 개선하고, single shot 과 interleaving 을 적용한 multi-shot 나선주사영상 기법으로 $100{\times}100$에서 $256{\times}256$의 고해상도 영상을 얻어 고 자장에서 초고속영상기법으로 다양한 적용 가능성을 보였다. 연구에서 연구된 $[^{18}F]F_2$가스는 친핵성 치환반응으로 방사성동위원소를 도입하기 어려운 다양한 방사성의 약품개발에 유용하게 이용될 수 있을 것이다.었으나 움직임 보정 후 영상을 이용하여 비교한 경우, 결합능 변화가 선조체 영역에서 국한되어 나타나며 그 유의성이 움직임 보정 전에 비하여 낮음을 알 수 있었다. 결론: 뇌활성화 과제 수행시에 동반되는 피험자의 머리 움직임에 의하여

전폐절제술 후 기관지 흉막루를 동반한 농흉에서 유경성 대망 이식편과 흉곽성형술을 이용한 수술적 치료에 대한 임상 고찰 (Surgical Results for Treating Postpneumonectomy Empyema with BPF by Using an Omental Pedicled Flap and Thoracoplasty)

  • 정성철;김미정;송창민;김우식;신용철;김병열
    • Journal of Chest Surgery
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    • 제40권6호
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    • pp.420-427
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    • 2007
  • 배경: 전폐절제술 후 발생한 기관지 흉막루로 인하여 농흉이 생기게 되는데 이에 대한 여러 가지 수술적 방법이 시도되고 있으나 여전히 난제로 여겨진다. 이 중 유경성 대망 이식편을 이용한 기관지흉막루의 폐쇄술과 흉곽성형술을 시행받은 환자들의 추적관찰 결과를 분석하고자 한다. 대상 및 방법: 1991년 12월부터 2006년 1월까지 전폐절제수술 후에 합병증으로 발생한 기관지 흉막루에 대하여 유경성 대망 이식편을 이용한 기관지 흉막루의 폐쇄술을 총 9명에서 시행하였다. 남녀비는 7 : 2였고평균나이는 $45.9{\pm}9$세였다. 총 추적기간은 58개월(중간값 28개월, $6{\sim}169$)이고 모두 최근까지 추적 관찰되었다. 유경성 대망 이식편을 이용한 수술 시 흉곽성형술이 8명에서 동시에 시행되었고 1명에서는 Clagett수술을 시행하였으나 다시 농흉이 재발하여 흉곽성형술을 시행하였다. 결과: 흉곽성형술을 동시에 시행받은 8명의 환자 중 1명이 패혈증으로 조기 사망하였고 유일하게 Clagett 수술을 동시에 시행받은 1명의 환자가 술 후 40개월에 급성간부전으로 만기 사망하였다. 1명의 환자에서 늑간 사이의 농양형성으로 인하여 절개 및 배액술을 시행하였다. 추적기간 중 조기사망 1예가 발생하여 수술과 관련된 사망률은 11.1%였고 만기사망 1예를 포함한 8명의 환자 중 8명 모두 기관지 흉막루가 폐쇄되었고 7명의 환자에서 농흉이 제거되었다. 결론: 결핵성 파괴폐로 인한 전폐절제술 후 발생한 기관지 흉막루를 동반한 농흉의 치료에서 유경성 대망 이식편을 이용하여 기관지 흉막루를 막는 방법은 효과적이었고 선택된 환자들에서 수정된 흉곽성형술을 동시에 시행하여 사강을 없애 주는 것은 비교적 좋은 방법이라고 생각된다.후 심방세동 발생을 예측하는 데 유용한 인자이다. 심방세동 발생의 위험인자가 있는 경우 술 후 적극적으로 예방적 항부정맥제 사용을 고려해야 한다.많으며 한국산 연어 계군을 타 계군과 확실하게 구분할 수 있는 표식도 아직까지는 존재하지 않는다. 여기에서는 기생충에 관한 정보를 포함한 한국산 연어의 계군 분석에 대한 최근의 연구 결과에 관하여 마지막으로 언급하였다.산화됨과 동시에 출력 산소농도가 입력농도와 다시 같아질 때까지 소요된 구간이 산화시간이 된다._{35}$ 박막 내의 상대적으로 원자 밀도가 큰 기둥(Columnar)구조가 생성되고, 이 원자 밀도가 높은 기둥구조의 댕글링본드와 주입된 수소가 흡착하여 에너지대의 국재준위를 감소시키기 때문으로 판단된다.법으로 적합하다. 본 논문에서는 고차 shimming 을 통하여 불균일도를 개선하고, single shot 과 interleaving 을 적용한 multi-shot 나선주사영상 기법으로 $100{\times}100$에서 $256{\times}256$의 고해상도 영상을 얻어 고 자장에서 초고속영상기법으로 다양한 적용 가능성을 보였다. 연구에서 연구된 $[^{18}F]F_2$가스는 친핵성 치환반응으로 방사성동위원소를 도입하기 어려운 다양한 방사성의 약품개발에 유용하게 이용될 수 있을 것이다.었으나 움직임 보정 후 영상을 이용하여 비교한 경우, 결합능 변화가 선조체 영역에서 국한되어 나타나며 그 유의성이 움직임 보정 전에 비하여 낮음을 알 수 있었다. 결론: 뇌활성화 과제 수행시에 동반되는 피험자의 머리 움직임에 의하여 도파민 유리가 과대평가되었으며 이는 이 연구에서 제안한 영상정합을 이용한 움직임 보정기법에 의해서 개선되었다. 답이 없는 문제,

열처리 공정을 이용한 Si-doped β-Ga2O3 박막의 전기적 특성의 이해 (Understanding the Electrical Property of Si-doped β-Ga2O3 via Thermal Annealing Process)

  • 이경렬;박류빈
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제27권4호
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    • pp.19-24
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    • 2020
  • 열처리 공정을 이용하여 Si 도핑된 n형 β-Ga2O3의 전기적 특성을 변화시킨 후 전도도 변화 메커니즘에 대한 분석을 진행하였다. β-Ga2O3 시편들은 공기 또는 N2 분위기에서 800℃~1,200℃ 온도범위 내에서 30분 동안 열처리되었다. 우선 열처리로 인한 결정성 개선은 전기 전도도에 영향을 미치지 않음을 확인하였다. 하지만 공기중 열처리된 시편은 전도성이 악화된 반면 N2 열처리된 시편은 Hall 캐리어 농도와 이동도가 일부 개선되는 경향성을 보였다. X-ray photoemission spectroscopy(XPS)분석 결과, 산소공공(VO)의 농도는 가스 분위기에 상관없이 모든 열처리된 시편에서 증가하는 경향성을 보였다. 공기중 열처리된 시편에서의 VO 농도 증가는 β-Ga2O3내 VO가 Shallow donor가 아님을 보여주는 결과로 볼 수 있다. 그러므로 N2 열처리된 시편은 VO가 아닌 다른 메커니즘에 의해서 전도도가 향상되었을 가능성이 높다. Si의 경우 SiOx 결합상태를 보이는 Si의 농도가 열처리 온도 증가에 따라 증가하는 경향성을 보였다. 특이하게도 SiOx의 Si 2p peak의 면적 증가는 기존 Si의 화학적 변화 보다는 XPS 측정 영역내 Si농도 증가로 보였으며, SiOx와 전기전도도와의 상관성은 확인할 수 없었다. 결론적으로 본 연구를 통해 기존 보고된 실험결과와 달리 VO가 Deep donor임을 확인하였다. 이와 같은 β-Ga2O3 전도성의 결함 및 불순물 의존도에 대한 연구는 β-Ga2O3의 전기적 특성의 근본적인 이해를 바탕으로 물성 개선에 기여할 것으로 본다.