• 한국진공학회지
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• 제14권1호
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• pp.29-34
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• 2005

실리콘-게르마늄 바이시모스(SiGe BiCMOS) 소자 제작시 발생하는 실리콘-게르마늄 이종접합 바이폴라 트랜지스터(SiGe HBT) 열화 현상에 대하여 고찰하였다. 독립적으로 제작된 소자에 비해 SiGe BiCMOS 공정에서의 SiGe HBT소자는 얼리 전압(Early voltage), 콜렉터-에미터 항복전압 및 전류이득등의 DC특성이 열화되고 상당한 크기의 베이스 누설전류가 존재한다는 것을 알 수 있었다. 또한 AC 특성인 차단주파수(f/sub T/) 및 최대 진동주파수(f/sub max/)도 1/2이하로 현저하게 저하되는 것을 확인하였다. 이는 고온의 소오스-드레인 열처리에 의한 붕소의 농도분포 변화가 에미터-베이스 및 콜렉터-베이스 접합 위치에 변화를 주고, 결국 실리콘-게르마늄 내에서의 접합 형성이 이루어지지 않아 전류 이득이 감소하고 기생 장벽이 형성되어서 발생한 현상이다.

• 현장농수산연구지
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• 제20권2호
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• pp.31-38
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• 2018

본 연구에서는 보다 효율적인 도시녹화 및 정원식물 생산을 위해 도시녹화 및 정원에 이용되는 주요 초본류 가운데 하나인 해국 유묘에 대해 피트모스 대체재로 바이오차의 가능성을 살펴보고자 바이오차 처리 수준에 따른 해국 유묘의 생육차이를 조사하였다. 연구결과 바이오차를 혼합한 배양토 처리에 따른 해국 유묘의 생장은 피트모스, 버미큘라이트, 펄라이트(1:1:1, v/v), 바이오차, 피트모스, 버미큘라이트, 펄라이트(1:2:3:3, v/v) 처리구에서 우수한 경향을 보였다. 따라서 해국 재배 시 피트모스, 버미큘라이트, 펄라이트(1:1:1, v/v)의 인공용토에서 피트모스를 대체할 만한 생장 효과를 나타낸 처리 비율은 바이오차, 피트모스, 버미큘라이트, 펄라이트(1/3:2/3:1:1, v/v) 처리구로, 사용된 바이오차의 유형, 함께 사용된 상토의 재료, 혼합 비율 등이 영향을 주었을 것으로 사료된다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권2호
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• pp.237-241
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• 1995

반도체 사업의 영역을 어떻게 분류하느냐에 따라 다르겠으나, 우리나라가 메모리 분야에서는 세계의 선진회사와 어깨를 나란히 한다는 점에서 메모리분야와 비메모리분야를 분류해 보고, 특히 비메모리분야의 기술동향과 이 분야에서의 우리나라 반도체 업체들의 사업전개 방향에 대해 방향을 제시해 보고자 한다. 메모리는 국내업체가 세계시장의 30%이상을 공급하고 있고, 256메가디램등 메모리분야에서 최첨단 제품의 개발이 속속 발표되고 있다. 반면에 그의 반도체 (비메모리분야)의 경우는 세계시장의 수 퍼센트도 공급하지 못하는 실정으로 반도체의 75% 가량을 차지하는 이 시장의 진입을 위해 장단기 계획을 수립하여 적극적으로 추진해야 할 것이다. 이 논문에서는 반도체 기술의 현재 상황을 국내외로 비교검토하고 우리나라와 기업의 발전방향을 제시해 보고자 한다.