• 제목/요약/키워드: 미소슬릿

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微小圓孔 및 微小슬릿材의 疲勞크랙 傳播擧動 (Behavior of Fatigue Crack Propagation of Micro-Hole and Micro-Slit Specimensns - For High-Frequency Heat Treantment Specimens -)

  • 송삼홍;윤명진
    • 대한기계학회논문집
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    • 제10권1호
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    • pp.78-85
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    • 1986
  • 본 연구에서는 결함재의 결함선단에 발생 전파하는 피로거동을 검토하기 위해서 미소원공과 미소슬릿을 가공하고, 이것들의 피로한도를 기준으로 해서 이들 결함의 형상이 피로크랙 전파특성에 미치는 영향을 상세히 고찰하고자 한다.

방사형식에 의한 미소균열의 파괴메커니즘에 관한 연구 (A Study on the Source Mechanism of Micro-crack by Radiation Pattern)

  • 이상은
    • 지질공학
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    • 제16권2호
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    • pp.179-187
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    • 2006
  • 인공적인 슬릿을 형성한 모르타르와 노치를 형성한 화강암 시편이 이 연구를 위해 사용되었다. 전위이론을 토대로 방사형식에 의한 미소균열의 파괴 메커니즘이 변환기에 탐지된 종파의 초동, 모니터링을 위한 변환기의 위치와 최소자승법 적용에 의해 결정된 파괴원 위치 사이의 공간적인 분포에 의해 평가되었다. 해석결과 전위면의 방위는 육안으로 관찰된 시편의 균열방향과 비교적 잘 일치하였다. 이 연구의 궁극적인 목적은 암석재료내 미소균열의 파괴 메커니즘에 관한 기본적인 정보를 제공하는데 있다.

비초점 정밀 계측 방식에 의한 새로운 광학 프로브를 이용한 반도체 웨이퍼의 삼차원 미소형상 측정 기술 (A New Method of Noncontact Measurement for 3D Microtopography in Semiconductor Wafer Implementing a New Optical Probe based on the Precision Defocus Measurement)

  • 박희재;안우정
    • 한국정밀공학회지
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    • 제17권1호
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    • pp.129-137
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    • 2000
  • In this paper, a new method of noncontact measurement has been developed for a 3 dimensional topography in semiconductor wafer, implementing a new optical probe based on the precision defocus measurement. The developed technique consists of the new optical probe, precision stages, and the measurement/control system. The basic principle of the technique is to use the reflected slit beam from the specimen surface, and to measure the deviation of the specimen surface. The defocusing distance can be measured by the reflected slit beam, where the defocused image is measured by the proposed optical probe, giving very high resolution. The distance measuring formula has been proposed for the developed probe, using the laws of geometric optics. The precision calibration technique has been applied, giving about 10 nanometer resolution and 72 nanometer of four sigma uncertainty. In order to quantitize the micro pattern in the specimen surface, some efficient analysis algorithms have been developed to analyse the 3D topography pattern and some parameters of the surface. The developed system has been successfully applied to measure the wafer surface, demonstrating the line scanning feature and excellent 3 dimensional measurement capability.

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