• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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• v.54 no.10
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• pp.453-456
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• 2005

We have fabricated superconducting ceramics by chemical process. A high Tc superconducting with a nominal composition of YBaCuO was prepared by the pyrolysis method. The electromagnetic properties in YBaCuO superconductor was studied. In the measurement of current-voltage characteristics, a voltage across the superconducting sample was observed on applying an external magnetic field. The voltage increases with increase in applied magnetic flux, but it becomes constant at about 10$^{-2}$T. The voltage continues to appear the removal of the magnetic field. The appearance of the voltage is ascribed to the trapping of magnetic flux. Depending on the direction of applied magnetic flux less than 2.5$\times$10$^{-5}$ T, the voltage in the magnetized sample increases or decreases.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1997.07d
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• pp.1244-1246
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• 1997

In conducting systems based on Langmuir - Blodgett (LB) films, tetracyanoquinodimethane(TCNQ) derivatives have been extensively studied as electron acceptor molecules. We have fabricated N-docosyl N'-methyl viologen diTCNQ (DMVT) anion radical LB film and investigated the FT-IR, ESR, and AFM images as the optical, magnetic properties and morphology of the LB film. We have measured in-plane electrical conductivity with number of layers. The in-plane conductivities are approximately $10^{-7}{\sim}10^{-6}\;S/cm$.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1997.11a
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• pp.493-496
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• 1997

We have made disperse diazo black D(DB-D) ultrathin films using Langmur-Blodgett(LB) and vacuum-evaporation technique. Physical and electrical properties of the films were investigated. Solution was made with a concentration of 10$^{-3}$ mol/$\ell$ using chloroform. Moving wall apparatus (NL-LB140 S-MWC) was employed to make the LB films. X,Y and Z-type LB films were manufactured and studied by UV/visible absorbance spectra and morphology of surface using atomic force microscopy. Vacuum-evaporated DB-D think films were made at a pressure of 10$^{-5}$ torrr. The absorption peaks appear at 200 and 40nm in the LB films and vacuum-deposited films. And we have studied photoluminescence spectrum of the DB-D films. Also TGA and DSC properties of the DB-D have been observed and current -voltage characteristics of the DB-D LB films have been measured along the perpendicular direction.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.253-253
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• 2013

본 실험에서는 전구체(Precursor)로 TMA (Tris methyl Aluminum)를 사용한 ALD (Atomic Layer Deposition)와 PEALD (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) 공정 중 발생하는 입자(particle)를 ISPM (In-Situ Particle Mornitor)로 관찰하였다. ALD과 PEALD 공정에서 Al2O3 박막을 형성하기 위해서 반응가스(Reactant)로 각 각 H2O와 O2 plasma를 사용하였다. 이러한 차이로 인해서 진공 챔버(Vacuum Chamber) 안에서의 각기 다른 매커니즘에 의해서 Al2O3의 박막이 형성된다. 또한 공정 중 발생할 수 있는 파티클(Particle) 생성 매커니즘의 차이점을 가진다. ALD의 경우 전구체와 반응가스 사이에 충분한 purge가 이루어지지 않거나 dead zone이 존재할 경우 라인과 챔버 상에 잔류한 전구체와 반응가스에 의해서 불완전한 반응물로 파티클이 생성될 수 있다. 반면 PEALD 경우는 반응가스(Reactant)로 O2 plasma를 극부(localization)적으로 형성하여 박막을 형성하므로 반응가스의 잔류의 영향은 없으나 고에너지의 플라즈마에 의해서 물리적 영향에 의한 파티클이 생성될 수 있다. 공정 중 발생하는 입자(Particle)은 수율 감소와 박막의 물성에 영향을 미칠 수 있다. 그러므로 두 공정 중 발생하는 파티클을 ISPM으로 관찰하였고, 각 공정에서 형성된 박막의 두께 균일도, 표면의 형상(morphology), 화학적 조성 및 전기적 특성을 측정하였다. 이를 통해서 ALD와 PEALD의 파티클과 박막특성을 비교하였다.

• Polymer(Korea)
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• v.29 no.4
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• pp.380-384
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• 2005

Fluoroalkyl methacrylate and acrylic acid were bulk radical copolymerized in the presence of pure sodium montmorillonite or macromer intercalated sodium montmorilonite to get a fluorinated acrylic ionomer/sodium montmorillonite composite, and their physical properties, such as X-ray diffraction pattern, tensile properties, and water uptake, were examined. These composites were used to preparean ionic acrylic polymer-platinum composite (IPMC). The current and deformation responses of these IPMCs by external voltage applied across the platinum electrodes deposited on both sides of IPMC showed that the cation migration from anode to cathode was suppressed in the presence of sodium montmorillonite, causing reduced current and deformation.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.305-305
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• 2007

고경도 및 내침식재료가 새로운 기계구조 및 기계 절삭공구재료로서 각광을 받고 있으며 질화붕소(BN)는 고융점, 고경도의 물리적 특성으로 다이아몬드 대체 물질로 주목되고 있다. 원하는 질화붕소의 합성을 위해서는 출발 원료와 합성법에 의존하는 것으로 보고되고 있다. 본 연구에서는 붕소 산화물과 환원제로써 활성 탄소를 출발 원료로 하였으며 치환제로써 질소를 사용하여 기상 반응로에서 질화붕소를 합성하였다. 합성된 시료는 XRD, SEM, PSA 등으로 물성을 측정하였고 합성 변수에 따라 순도의 차이를 보였으며, 본 연구를 통하여 최적의 합성 조건을 제시할 수 있었다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.21 no.5
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• pp.258-263
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• 2012

Fe-diluted Si alloys grown on p-type Si (100) substrates by pulsed-laser deposition method were studied for structural, electrical, and magnetic properties. The X-ray diffraction patterns for these alloy samples showed a few of peaks with cubic structures such as FeSi, $Fe_3Si$, and $Fe_4Si$. The Fe-composition in alloys are confirmed as Fe atomic percent about 1.25~6.49 % from energy dispersive spectroscopy measurement. The resistivity as a function of the reciprocal temperature was indicated an exponential increase with two activation energies of 5.21 and 7.79 meV. The maximum value of the magnetization at 10 K was about 100 emu/cc, and the ferromagnetism was also observed until 350 K from total magnetization as a function of temperature with applied magnetic field of 3,000 Oe.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.327-327
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• 2008

Lead-free $(K_{0.5}Na_{0.5})NbO_3$ 압전 세라믹스는 다양한 광소자로의 응용과 압전 특성, 초전 특성을 이용한 압전 소자로의 응용이 가능한 재료로 보고되고 있다. 그러나 KNN계 압전소재 특성상 판상 형태의 결정립으로 인해 낮은 소결 밀도를 갖게 되고, 그로인해 압전물성의 저하를 초래하는 문제점을 가지고 있다. 따라서, 본연구에서는 다양한 밀링 방법을 적용하여 입자 사이즈를 작게 하고 소성체의 결정립을 구형화 함으로써 저온소결에서의 압전물성을 개선시키고자 한다. $(K_{0.5}Na_{0.5})NbO_3$를 기계적 분쇄법에 의해 입자사이즈에 따라 변화되는 상의 분석과 압전체로서의 특성을 관찰하였다. 결정학적 상분석 및 미세 조직은 XRD, SEM을 이용하여 관찰하였고, Capacitance는 Impedance analyzer(HP4192A)로 측정하였으며, Impedance 주파수 특성은 Network Analyzer로 측정하여 Kp, Kt와 Qm을 측정하였다.

• 전기의세계
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• v.24 no.6
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• pp.35-38
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• 1975

금속과 원소반도체의 접촉으로 이루어진 점접촉트란지스터를 출발점으로 한 P-N접합트란지스터는 4반세기동안 반도체전자 소자의 중심이었다. 이와 같은 반도체소자는 단결정반도체의 특성을 이용한 것으로 그 제작에 있어 거의 완전에 가까운 결정구조와 극도의 화학적순수성이 요구되는 것이다. 이와 같은 요구조건은 접합형 반도체소자제작에 큰 제한을 주게 된다. Gunn Diode, Impatt Diode등으로 반도체소자는 Bulk형식의 것이 각광을 받게 되었으며 MOS형식의 FET에 이르러 신기원을 이루게 되었다. 이리하여 MOS기술은 Sapphire기반을 도입함으로써 SOS기법으로 발전을 거듭하게 되었다. 그러나 정질반도체의 이용이라는 근본적 개념에서는 이탈치못하고 있다. 이상과 같은 정질반도체소자에 대응하여 반대적 입장에서 불순물농도의 영향이 적은 비정질반도체의 연구가 70년이후 미국을 중심으로 활발하게 전개되고 있다. 그 연구 및 개발결과는 2년마다 이루어지는 액체비정질반도체국제회의에서 종합되고 있다. 이 분야에서의 연구는 1968년 Ovshinsky가 비산화물 Chalcogenide glass 비정질박막에서의 빠른 응답속도의 양극대칭성 Switching 현상 발견을 계기로 신국면을 개척하게 된 것이다. 이들 비정질반도체에 대한 물성론적 흥미와 응용면에 관한 기대로부터 전도기구의 해명과 응용회로의 개발연구가 급속히 진전되고 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.665-665
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• 2013

박막형 태양전지에서 광흡수층으로 널리 쓰이는 metal chalcogenide 화합물 중, CuInS2(CIS)은 전기적, 광학적 특성이 우수하여 널리 연구되고 있다. CIS계 태양전지 최근 동시 증발법을 이용하여 20.3%의 고효율을 기록한 바 있으나 기존 진공, 고온 기반 공정 기술은 초기 투자 비용이 높고, 고가의 희귀원소인 In 등의 원료 활용도가 떨어져 원가 절감에 있어 한계가 있다. 이에 따라 제조 비용 절감과 원료 사용 효율을 향상시키기 위해 비진공 방식을 이용한 광흡수 층 증착 공정에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 상온, 상압, 저온에서 합성이 가능한 CIS계 광흡수층을 전자 전달 및 빛 포집에 유리한 ZnO 나노구조와 응용함으로써 superstrate 구조의 박막형 태양전지를 구현하고 그 특성을 평가하였다. CIS 박막 태양전지에서 투명창층으로 쓰이는 ZnO 박막을 수열합성법으로 합성된 ZnO 나노로드 어레이로 대체하여 빛 산란 효과를 줄이고, 전하 수집 및 이동 효과를 극대화하였다. 또한 CIS 광흡수층은amine계 용매와 금속염 및 thiourea를 조합하여 저온에서 코팅 후 건조시켜 박막을 제조하였다. 각 요소 박막들의 물성을SEM, XRD, UV-transmittance 분석을 통해 살펴보았으며, 소면적 태양전지 제작을 통해 박막 구조 대비 30배 이상의 광변환효율(최고효율 3.30%)을 기록하였다.