• The Science & Technology
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• v.28 no.6 s.313
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• pp.24-25
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• 1995

근대 물리학의 아버지로 불리는 아이작 뉴턴은 「프린키피아」에 만유인력의 법칙을 발표 근대과학의 새로운 우주관을 완성했다. 또한 뉴턴은 스팩트럼,미적분의 발견 등 수학에도 큰 업적을 암긴 것으로 유명하다

• Electrical & Electronic Materials
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• v.32 no.5
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• pp.18-30
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• 2019

• The Science & Technology
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• v.16 no.8 s.171
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• pp.8-19
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• 1983

- 첨단기술개발에 총력을 - 몰드 변압기 국산화에 성공(효성중공업 기술연구소) - ' 83학술대회 하계심포지움 성료(응용물리학 등 6개분과에서 최신논문 60편 발표) - 기업 기술지원센터 설립(과기처 55억들여 유망중소기업지원) - 8개 학부와 연구조정부, 과학도서관 등 신설 - 말하는 시계라이디오 개발(금성사)

• Superconductivity and Cryogenics
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• v.8 no.1
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• pp.27-34
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• 2006

• Journal of Scientific & Technological Knowledge Infrastructure
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• s.1
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• pp.108-109
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• 2000

• Optical Science and Technology
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• v.14 no.3
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• pp.26-30
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• 2010

• Information Display
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• v.23 no.2
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• pp.15-23
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• 2022

• The Science & Technology
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• v.11 no.11 s.114
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• pp.10-11
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• 1978

스웨덴 주립과학원은 1978년도 노벨 물리, 화학상의 수상자를 지난 10월 ·17일 발표한 바 있다. 물리학상에는 소련의 피요트르 레오니드비치 카피챠 교수와 미국 벨 전화연구소의 아르노 A.펜지아스 박사, 로버트 W. 윌슨박사 3인이 공동으로 받았으며 상금 725,000Kronor(약8,250만원)로 카피챠교수에게 절반을, 나머지는 2등분하여 펜지아스와 윌슨박사가 받게 된다. 카피ciry수는 저온물리학의 기초연구로 펜지아스와 윌슨박사는 우주 마이크로파의 배경방사선 발견의 업적으로 수상하게 된 것이다. 한편 주립 과학원은 영미 그린 연구소의 연구부장인 피터 미첼 박사에게 화학상을 결정 했으며 미첼 박사의 업적은 생체에너지 전달의 메카니즘을 설명하는 화학 침투 이론 정립이었다고 밝혔다. 미첼박사는 생체에너지학(bioenergerics)인 생화학분야 생물세포에의 에너지 전달연구의 제 1인자이다. 상금은 725,000크로나이다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.1 no.2
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• pp.223-239
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• 1990

This paper presents an overview on the present status and future trends of photonic physics and engineering as applicable to optical materials and devices that would enable optical information processing and optical commmication technologies of the future. Covered subjects include semiconductor quantum devices, organic materials, photorefractive physics, quantum effect, non-linear processing optical amplification, memory, integrated optics, and applications in all-optical communications and processing, including photonic switching.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.24 no.3
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• pp.453-458
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• 1987

Amorphous silicon thin-film transtors (TFT's) have been designed and fabricated on glass substrates. The hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin-film has been deposited by decomposing silane(SiH4) in hydorgen ambient by rf glow discharge method. Amorphous silicon nitride(a-Si:H) has been chosen as the gate dielectric material. It has been prepared by decomposing the mixed gas of silane(SiH4) and ammonia(NH3). The electrical properties and performance characteristics of the thin-film transistrs have been measured and compared with the requirements for the switching elements in liquid crystal flat panel display. The results show that liquid crystal flat panel displays can be fabricated using the thin-film transistors described in this paper.