• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.114-114
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• 1999

Boron nitride (BN)는 매우 뛰어난 물리적, 화학적 성질을 가지고 있는 재료로 많은 연구가 진행되고 있다. hexagonal 형태의 hBN의 경우 큰 전기 저항과 열 전도도를 가지고 있고 열적 안정성을 가지고 있어 반도체 소자에서 절연층으로 쓰일 수 있다. 또한 X-ray와 가시광선을 투과시키기 때문에 X-ray와 가시광선을 투과시키기 때문에 X-ray lithography이 mask 기판으로 사용될 수 있다. Boron-carbon-nitrogen (BCN) 역시 뛰어난 기계적 성질과 투명성을 가지고 있어 보호 코팅이나 X-ray lithography에 이용될 수 있다. 또한 원자 조성이나 구성을 변화시켜 band gap을 조절할 수 있는 가능성을 가지고 있기 때문에 전기, 광소자의 재료로 이용될 수 있다. 본 연구에서는 여러 합성 조건 변화에 따른 hBN 막의 합성 거동을 관찰하고, 카본 농도변화에 따른 BCN 막의 기계적 성질과 구조의 변화, 그리고 실리콘 첨가에 의한 물성 변화를 관찰하였다. BN박막은 실리콘 (100) 기판 위에 r.f. plasma assisted CVD를 이용하여 합성하였다. 합성 압력 0.015 torr, 원료 가스로 BCl3 1.5 sccm, NH3 6sccm을 Ar 15 sccm을 사용하여 기판 bias (-300~-700V)와 합성온도 (상온~50$0^{\circ}C$)를 변화시켜 BN막을 합성하였다. BCN 박막은 상온에서 기판 bias를 -700V로 고정시킨 후 CH4 공급량과 Ar 가스의 첨가 유무를 변화시켜 합성하였다. 또한 SiH4 가스를 이용하여 실리콘을 함유하는 Si-BCN 막을 합성하였다. 합성된 BN 막의 경우, 기판 bias와 합성 온도가 증가할수록 증착속도는 감소하는 경향을 보여 주었다. 기판 bias와 합성온도에 따른 구조 변화를 SEM과 Xray로 분석하였다. 상온에서 합성한 경우는 표면형상이 비정질 형태를 나타내었고, X-ray peak이 거의 관찰되지 않았다. 합성온도가 증가하게 되면 hBN (100) peak이 나타나게 되고 이것은 합성된 막이 turbostratic BN (tBN) 형태를 가지고 있다는 것을 나타낸다. 50$0^{\circ}C$의 합성 온도에서 기판 bias가 -300V에서 hBN (002) peak이 관찰되었고, -500, -700 V에서는 hBN (100) peak만이 관찰되었다. 따라서 고온에서의 큰 ion bombardment는 합성되는 막의 결정성을 저해하는 요소로 작용한다는 것을 확인 할 수 있었다. 합성된 BN 막은 ball on disk type의 tribometer를 이용하여 마모 거동을 관찰한 결과 대부분 1이상의 매우 큰 friction coefficient를 나타내었고, nano-indenter로 측정한 BN막의 hardness는 매우 soft한 막에서부터 10 GPa 정도 까지의 값을 나타내었고, nano-indenter로 측정한 BN 막의 hardness는 매우 soft한 막에서부터 10GPa 정도 까지의 값을 가지며 변하였다. 합성된 BCN, Si-BCN 막은 FT-IR, Raman, S-ray, TEM 분석을 통하여 그 구조와 합성된 상에 관하여 분석하였다. FT-IR 분석을 통해 B-N 결합과 C-N 결합을 확인할 수 있었고, Raman 분석을 통하여 DLC의 특성을 분석하였다. 마모 거동에서는 BCN 막의 경우 0.6~0.8 정도의 friction coefficient를 나타내었고 Si-BCN 막은 0.3이하의 낮은 friction coefficient를 나타내었다. Hardness는 carbon의 함유량과 Ar 가스의 첨가 유무에 따라 각각을 측정하였고 이것은 BN 막 보다 향상된 값을 나타내었다.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2002.11a
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• pp.73-77
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• 2002

Characteristics of Cu/Si/Cu ohmic contacts to n-type 4H-SiC were investigated systematically. The ohmic contacts were formed by rf sputtering of multi layer Cu/Si/Cu sputtered sequentially. The annealings were peformed With 2-Step using RTP in vacuum ambient. The specific contact resistivity($\rho$c), sheet resistance(Rs), contact resistance(Rc), transfer length(L$_{T}$) were calculated from resistance(R$_{T}$) versus contact spacing(d) measurements obtained from TLM(transmission line method) structure. Best results were obtained for a sample annealed at vacuum as $\rho$c = 1.0x10$^{-6}$ $\Omega$$\textrm{cm}^2$, Rc = 2$\Omega$ and L$_{T}$ = 1${\mu}{\textrm}{m}$. The physical properties of contacts were examined using XRO and AES. The results showed that copper silicide was formed on SiC and Cu was migrated into SiC.o SiC.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.200-200
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• 2003

고체산화물 연료전지(SOFC)에서 사용되는 연결재의 주 기능은 각 단위 셀의 연료극과 다음 셀의 공기극을 전기적으로 연결하여, 공기와 사용연료의 분리역할을 하기 위하여 사용된다. SOFC용 연결재는 다른 구성요소 소재보다, 높은 전자 전도성, 낮은 이온전도성, 우수한 기계 적강도가 요구되며, SOFC는 고온에서 작동되기 때문에, 상온에서 작동온도까지 다른 요소 소재들과 유사한 열팽창계수와 물리, 화학적으로 안정성이 요구된다. 현재 연결재 제조기술은 EVD, CVD, plasma spraying, tape casting 등 다양하게 연구되고 있으며, 본 연구는 세라믹 연결재 증착방법 중 저렴한 비용으로 대량 생산이 용이한 습식법(dip coaling)을 적용하여, 연료극 지지체식 flat-tube형 고체산화물 연료전지의 지지체를 위해 세라믹 연결재를 제조하고, 그 특성을 연구하였다. 세라믹 연결재로써 선정한 합성조성은 LaCr $O_3$에 Ca이 치환 고용된 L $a_{0.6}$C $a_{0.41}$Cr $O_3$으로 pechini법으로 합성하였다. 합성된 조성은 100$0^{\circ}C$에서 5시간 하소후 가속 Ball Milling하여 0.5$\mu\textrm{m}$의 평균입자크기를 얻을 수 있었다. XRD 상분석결과 perovskite상 (L $a_{1-x}$ Ca/x/Cr $O_3$)과 CaCr $O_4$를 얻을 수 있었다. slurry를 제조하여 막의 밀착성을 증진시키기 위해 sand blasting시킨 flat tube지지체에 진공펌프를 이용하여 소재내부와 외부의 압력차로 dip coating한 후, 140$0^{\circ}C$로 소결 하였다. coating 결과 박리현상은 없었으나, 표면과 단면의 SEM분석결과 다소 porous한 박막층이 형성되었으며, Ca이온이 지지체로 permeation되는 현상이 발생하였다. 이와 같은 결과로부터 보다 치밀한 박막생성을 위해, slurry 제조조건을 변화시켰으며, Ca이온의 migration을 막기 위해 barrier layer를 이용하였다 완전 소결된 지지체는 가스투과도와 전기전도도측정을 통하여 특성을 평가하였다.였다.다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.21 no.1
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• pp.12-16
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• 2012

Although silver is used for T-OLED (Top emitting organic Light-Emitting Diode) as reflective anode, it is not an ideal material due to its low work function. Thus, we study the effect of annealing and atmospheric pressure plasma treatment on Ag film that increases its work function by forming the thin silver oxide layer on its surface. In this study, we deposited silver on glass substrate using RF sputtering. Then we treated the Ag samples annealing at $300^{\circ}C$ for 30 minutes in atmosphere or treating the atmospheric plasma treatment for 30, 60, 90, 120s, respectively. We measured the change of the mechanical properties and the potential value of surface with each one at a different treatment type and time. We used nano-indenter system and KPFM (Kelvin Probe Force Microscopy). KPFM method can be measured the change of surface potential. The nanoindenter results showed that the plasma treatment samples for 30s, 120s had very low elastic modulus, hardness and Weibull modulus. However, annealed sample and plasma treated samples for 60s and 90s had better mechanical properties. Therefore, plasma treatment increases the uniformity thin film and the surface potential that is very effective for the performace of T-OLED.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.31 no.1
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• pp.43-48
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• 2024

The discovery of a two-dimensional electron gas (2DEG) at the interface of LaAlO₃ (LAO) and SrTiO₃ (STO) substrates has sparked significant interest, providing a foundation for cutting-edge research in electronic devices based on complex oxide heterostructures. However, conventional methods for producing LAO thin films, typically employing techniques like pulsed laser deposition (PLD) within physical vapor deposition (PVD), are associated with high costs and challenges in precisely controlling the La and Al composition within LAO. In this study, we adopted a cost-effective alternative approach-solution-based processing-to fabricate LAO thin films and investigated their electrical properties. By adjusting the concentration of the precursor solution, we varied the thickness of LAO films from 2 to 65 nm and determined the sheet resistance and carrier density for each thickness. After vacuum annealing, the sheet resistance of the conductive channel ranged from 0.015 to 0.020 Ω·s^-1, indicating that electron conduction occurs not only at the LAO/STO interface but also into the STO bulk region, consistent with previous studies. These findings demonstrate the successful formation and control of 2DEG through solution-based processing, offering the potential to reduce process costs and broaden the scope of applications in electronic device manufacturing.

• Progress in Medical Physics
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• v.14 no.3
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• pp.161-166
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• 2003

To evaluate the performance of cadmium sulfide as a multi-function X-ray dosimeter, we made an X-ray detector that was based on cadmium sulfide using evaporation technology, and measured its response to X-ray exposure. The voltages of cadmium sulfide were measured on the various X-ray tube potentials, X-ray tube currents and exposure times. The regression analysis of the voltage response of CdS on the tube-potential variation was y=0.0995x-0.1146 ($R^2$=0.9595, $\sigma$=0.08, standard error=2%) and the regression analysis of the voltage response of CdS on the tube-potential variation was y=0.0439x+1.1891 ($R^2$=0.9021, $\sigma$=0.04, standard error=1.8%) The regression analysis of the voltage response of CdS on the X-ray exposure time variation was y=8.2853+5.5878 ($R^2$=0.7287, $\sigma$=0.06, standard error=1.9%). In conclusion, cadmium sulfide responded linearly to the variation X-ray conditions, suggesting cadmium sulfide to be a feasible X-ray sensor of multi-function dosimeter related instruments.