• Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
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• 2004.05b
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• pp.160-162
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• 2004

기계적, 열적 강도가 우수한 무기막과 다양한 기능성을 가질 수 있는 유기막의 결합에 관하여 그동안 많은 연구가 진행되어왔다. 무기막은 높은 열적, 기계적 안정성을 가지고 있기 때문에 지지체로써 큰 이점을 가지고 있으며, 고분자를 비롯한 유기막은 그 다양성과 응용성에 있어 장점을 가지고 있다. 이에 본 연구는 지지체로써 물성이 뛰어난 세라믹막의 표면에 다양한 유기 기능기를 가지는 실란화합물을 그래프팅 방법을 통하여 도입하여 유-무기 혼성막을 제조하고 표면 특성의 변화를 살펴보고자 하였다.(중략)

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.1
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• pp.55-62
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• 1993

수소 관련된 species를 포함하지 않고 자기제한특성으로 초박막 성장을 용이하게 제어할 수 있는 N$_{2}$O 가스 분위기에서 실리콘의 산화는 질화된 산화막의 재산화공정 보다 훨씬 간단한 공정이다. N$_{2}$O산화로 형성된 Si-SiO$_{2}$ 계면에서 nitrogen-rich층은 산화막 구조를 강화할 뿐만 아니라 게이트 유전체의 질을 개선하고 산화율을 감소시키는 산화제의 확산 장벽으로 작용한다. 초박막 oxynitride 게이트 유전체가 종래의 열산화 방법으로 제작되었고 oxynitride막의 특성이 AES와 I-V 특성 측정의 결과를 분석하여 연구하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2009.11a
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• pp.30.2-30.2
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• 2009

본 연구에서는 stamping법을이용하여 절연막에 실리콘 나노와이어를 embed시킨 field-effect transistor(FET) 소자의 전기적 특성에 대하여 분석하였다. Stamping법은 나노와이어를 이용한 소자를 제작하는데 있어 쉽고 경제적인 방법으로 최근 많이 사용되고 있는데, 이 방법을 이용하여 나노와이어를 절연막에 embed 시켰다. 이때, 사용한 실리콘 나노와이어는 무전해 식각법을 통하여 합성하였다. 식각 시간을 조절하여 나노와이어의 길이가 $100{\mu}m$ 정도가 되도록 하였고, 나노와이어의 지름은 정제를 통하여 20 ~ 200nm내로 조절하였다. FET 소자의 게이트 절연막은가장 일반적으로 사용되는 SiO2 (200nm)와 고분자 절연막으로 잘 알려진 poly-4-vinylphenol(PVP)를 사용하였다. 실리콘 나노와이어의 전기적 특성을 각각 SiO2무기 절연막에서의 non-embedded상태, PVP 유기 절연막에서의 embedded 상태에서 비교분석 하였다. 전기적 특성은 I-V 측정을 통하여 Ion/Ioff ratio, 이동도, subthreshold swing, threshold voltage값을 평가하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2014.11a
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• pp.308-308
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• 2014

본 연구에서 PVD법중 하나인 스퍼터링(sputtering)법에 의해 제작된 Al-Mg 코팅막은 SEM, GDS, XRD를 통해 표면 및 단면의 조성분포를 분석하였으며, 내식성을 평가하기 위하여 함량별, 열처리 조건별 Al-Mg 막을 각각 5% NaCl 염수분무 환경 및 3% NaCl 자연침지 환경에 노출시켰다. 막의 내식 특성에 영향을 미치는 열처리의 영향을 알아보기 위하여 열처리-비열처리간 재료 특성 및 내식성평가 결과의 연관성을 비교-분석하였다. 열처리 결과 Al-Mg계 금속간 화합물 $Al_3Mg_2$와 $Al_{12}Mg_{17}$이 관찰되었으며 내식성 평가 결과, 열처리 Al-Mg 막은 비열처리 Al-Mg 막과 비교하여 양호한 내식성을 나타냈었다. 열처리를 통해 마그네슘(Mg) 성분이 대부분 금속간 화합물상으로 존재함에 따라 균일하게 분포하여 치밀한 부식생성물을 형성하게 되고, 이에 따라 Al-Mg 막 내식성에 기여한 것으로 사료된다.

• Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
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• 2002.05a
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• pp.65-68
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• 2002

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 1998.06a
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• pp.473-476
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• 1998

ULSI 소자에서 폴리사이드 구조를 사용하고 dual 게이트 산화막에 대한 공정 특성을 최적화 하는 2스텝 게이트 산화막의 형성 공정에 관한 연구를 하였다. 이러한 특성의 측정은 HP4145B 파라메터 분석기와 C-V meter 그리고 multi-frequency LcR meter를 사용하여 2스텝 산화막의 공정 방법과 cleaning에 따른 게이트 사화막의 공정 특성에 대한 연관 관계로 연구하였다. I-V 특성 면에서는 G$_{ox}$ 80.angs.의 경우 base 210.angs.의 경우에서는 dual 210.angs.의 특성이 base 210.angs.에 비하여 상대적으로 열화된 특성을 나타내었다. CCST 결과에서는 G$_{OX}$ 80.angs.과 210.angs.에서 dual 게이트 산화막의 cleaning 방법으로 piranha cl'n 과 SCl cl'n 방법에서 우수한 결과를 얻을 수 있었다. 또한 게이트 전압의 벼화량에 대한 결과에서는 dual 산화막의 경우 초기상태에서는 호울포획 현상이 나타나다가 이후에는 전자포획 현상이 나타나는 결과를 얻었다.

• Journal of Periodontal and Implant Science
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• v.30 no.4
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• pp.737-746
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• 2000

본 연구는 hemin이 치주질환 주요 병인균주 중의 하나인 Prevotella intermedia의 성장 및 세포막 단백질의 발현에 미치는 영향을 규명하고, hemin 결합에 관여하는 것으로 추정되는 단백질의 순수분리 및 특성 분석을 위해 수행 되었다. 본 연구의 결과에 의하면, hemin은 P.intermedia의 성장 및 세포막 단백질의 발현에 영향을 미쳐, hemin이 고갈된 조건에서 균주의 성장이 현저히 억제되었으며, 약 50 kDa의 세포막 단백질이 현저히 강화되어 발현되었다. 본 연구에서는 hemin 결합에 관여하는 것으로 추정되는 이 50 kDa의 세포막 단백질을 순수분리하였으며, N'-terminal 아미노산 분석을 수행한 결과 이 단백질은 Streptococcus inter - medius의 Enolase와 아미노산 서열 및 분자량이 일치하였다. 한편, 이 단백질에는 disulfidebond가 존재하지 않았다. 본 연구는 P.intermedia에서의 porphyrin 생리 및 hemin 획득기전을 밝히는데 있어 중요한 의의가 있으리라 사료된다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.11a
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• pp.43-43
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• 2009

Organic TFT(OTFT)에서 중요시되는 게이트 절연막을 개선 하고자 본 연구에서는 게이트 절연막에 대한 전기적 분석을 하였다.OTFT의 절연막으로 널리 연구되고 있는 PVP를 포함한 다른 2개의 polymer, PMMA, PVA에 OTS 코팅을 하였다. MIM구조의, OTS 코팅이 되지 않은 각 polymer가 증착된 그룹과 OTS 코팅을 한 polymer그룹에 대하여 전기적 및 표면특성을 비교 분석하였다. 그 결과, 모든 polymer의 표면특성이 향상되었으나, 전기적인 특성에 대한 향상 정도는 polymer 마다 차이를 보였다. 특히, PMMA는 OTS와 정확성이 좋지 않아 증착된 절연막 전체가 분리가 되어 전기적 특성에 대해서는 불안정한 결과를 보였으며, OTS가 코팅된 다른 폴리머, PVP, PVA에서는 표면특성의 향상과 더불어 향상된 전기적 특성을 얻을 수 있었다.

• 한국전기화학회:학술대회논문집
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• 2003.07a
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• pp.279-282
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• 2003

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.170.2-170.2
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• 2016

DLC(Diamond like Carbon)는 Diamond와 유사한 물리화학적 특성을 보유한 막으로 고경도 및 우수한 내마모성, 화학적 안정성의 특성을 가지고 있다. DLC는 크게 카본의 막 형성 공정에서 카본 소스에 따라 수소가 포함된 DLC와 무수소DLC로 구분된다. Tetrahedral amorphous carbon (ta-C) 박막은 DLC 박막 중에서 가장 다이아몬드와 유사한 특성을 가지는 박막으로, a:C-H에 비해 높은 열적안정성, 경도(50~60 GPa) 및 내마모 특성이 우수하여, 현재 다양한 응용분야에 적용하고 있다. 본 연구에서는 무수소 DLC 형성을 위해 자장필터가 장착된 Filtered Vacuum Arc Source(FVAS)를 자체적으로 개발하여 연구를 진행하였다. FVAS 장비는 카본 이온 발생부와 Plasma Duct 부위, 전자석부위 구성되어 있으며, 본 연구에서는 Plasma Duct 부위의 Bias 제어를 통해 음극에서 기판으로 이동하는 카본이온의 에너지와 flux 변화를 통한 박막 증착 거동 및 물성 연구를 진행하였다. Plasma Duct Bias 변화는 각 0, 5, 10, 15, 20 V 조건으로 진행하였으며, 물성 평가는 경도(Hardness), 마찰계수, 응력(Stress), 전기전도 특성에 대한 분석을 진행하였다. 박막의 증착 거동에서는 Plasma Duct bias 변화에 따라10 V에서 가장 높은 증착 거동을 가지다 감소하는 경향을 확인 하였으며, 박막의 물성 특성 평가 시에도 이와 유사하게 특성의 차이를 관찰하였다. 이는 음극부위에서 형성된 카본이온이 기판에 도달 시에 Plasma Duct Bias 변화에 따라 이온의 Flux 및 에너지 변화로 인해 박막의 밀도 및 ta-C 막의 물성 변화로 예상되며, 이를 분석하기 위해 라만분석 및 기판 도달 에너지 분석을 진행하였다