• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 추계 학술대회
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• pp.59-62
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• 2005

백색 LED 램프를 제조하는 공정에서 램프간의 전기적 개방상태의 절연상태를 유지하기 위해 사파이어 기판 위에 성장된 GaN 계 반도체 에피박막층을 제거하기 위해 유도 결합형 플라즈마 식각 공정을 이용하였다. 4 미크론의 두께를 갖는 GaN 층을 식각하는데 있어 식각 방지 마스킹 물질로 포토레지스트, $SiO_2,\;Si_{3}N_4$ 및 $Al_{2}O_3$를 시험하였다. 동일한 전력 및 가스유량상태에서 $Al_{2}O_3$만 에피층을 보호할 수 있음을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.257-257
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• 2010

디스플레이 산업의 발달로 화상 영상폰, 디지털 카메라, MP4, PMP, 네비게이션, LCD TV등의 가전 제품의 수요증가에 따라 이에 장착되는 LCD 패널의 생산력 향상과 원가 절감을 위한 검사 기술이 요구되고 있다. LCD 검사를 위한 Probe unit은 미세전기기계시스템(MEMS) 공정을 이용하여 제작된다. LCD 검사용 Probe unit는 LCD 가장자리 부분에 전기적 신호(영상신호, 등 기신호, 색상신호)가 인가되도록 하는 수 십 내지 수 백개의 접속 단자가 고밀도로 배치되는데, 이러한 LCD는 제품에 장착되기 전에 시험신호를 인가하여 화면의 불량여부를 검사하기 위한 점등용 부품으로 50 um 이하의 Pin간 거리를 유지하면서 정확한 Pin Alignment를 요구하는 초정밀 부품이다. 본 연구에서는 반도체용 Si wafer에 마스크 공정 및 slit etching 공정을 적용하여 목표인 30 um pitch의 Probe unit을 개발하기 위해 Deep Si Etching(DRIE) 장비를 이용하여 식각 공정에 따른 특성을 평가하였다. 마스크 공정은 500 um 두께의 양면 연마된 반도체용 Si wafer를 이용하였으며, thick PR을 사용하여 마스킹하여 식각공정을 수행하였다. Si 깊은 식각은 $SF_6$ 가스와 Passivation용으로 $C_4F_8$ 가스를 교대로 사용하여 수직방향으로 깊은 식각이 이루어지는 원리이다. SEM 측정 결과 30 um pitch의 공정 목표에 도달하였으며, 식각공정 결과 식각율 6.2 um/min, profile angle $89.1^{\circ}$로 측정되었다. 또한 상부 에칭공정과 이면 에칭공정에서 폭과 wall의 간격이 동일하였으며, 완전히 관통된 양면식각이 이루어졌음을 확인하였다. 또한 실제 사용되는 probe unit의 조립에 적합한 slit 공정을 위한 에칭특성을 조사하였다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2000년도 추계학술대회 논문집
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• pp.963-966
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• 2000

Abrasive jet machining(AJM) process is similar to the sand blasting, and effectively removes hard and brittle materials. AJM has applied to rough working such as deburring and rough finishing. As the needs for machining of ceramics, semiconductor, electronic devices and LCD are increasing, micro AJM was developed, and became the inevitable technique to micromachining. This paper describes the performance of the micro AJM in micro groove cutting of glass. Diameter of hole and width of line in this groove cutting is 80${\mu}{\textrm}{m}$. Experimental results showed good performance in micro groove cutting in glass, but the size of machined groove was increased about 2~4${\mu}{\textrm}{m}$. therefore, this micro AJM could be effectively applied to the micro machining of semiconductor, electronic devices and LCD parts.

• 대한기계학회논문집A
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• 제26권7호
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• pp.1280-1287
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• 2002

The old technique of sandblasting which has been used for decoration of glass surface has recently been developed into a powder blasting technique for brittle materials such as glass, silicon and ceramics, capable of producing micro structures larger than $100{\mu}$ m. This paper describes the performance of powder blasting technique in micro-line grooving of glass and the effect of the number of nozzle scanning on the depth and width of line groove. Experimental results showed that increasing the no. of nozzle scanning resulted in the increase of depth and width in grooves. Increase of width which may cause several problems in the precision machining results from wear of mask film. Therefore, well-controlled masking process is the most important factor for micro machining of glass with accuracy.

• 한국정밀공학회지
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• 제18권10호
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• pp.178-183
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• 2001

Abrasive jet machining(AJM) process is similar to the sand blasting and effectively removes hard and brittle materials. AJM has applied to rough working such as debarring and rough finishing. As the need for machining of ceramics, semiconductor, electronic devices and LCD are increasing, micro AJM is developed, and has become the inevitable technique to micromachining. This paper describes the performance of the micro AJM in micro grooving of glass. Diameter of hole and width of line in grooving is 80${\mu}{\textrm}{m}$. Experimental results showed good performance in micro grooving of glass, but the size of machined groove increased about 2~4${\mu}{\textrm}{m}$. With the fine tuning of masking process and compensation of film wear. this micro AJM could be effectively applied to the micro machining of semiconductor, electronic devices and LCD.

• 한국진공학회지
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• 제7권2호
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• pp.88-93
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• 1998

본 연구에서는 기계-화학적 연마(Chemical-Mechanical-Polishing: CMP)공정을 이용 하여 게이트 전극을 가지는 실리콘 전계방출 소자를 제작하였으며, 또한 그 전자방출 특성 을 분석하였다. 실리콘 전계방출 소자를 제작하기 위해 실리콘을 두단계로 이루어진 건식식 각과 산화공정으로 팁을 뾰족하게 만들었으며, 게이트를 형성하기 위하여 고 선택비를 가지 는 CMP공정을 사용하였으며, 연마 시간과 연마 압력의 변화로 게이트 높이와 개구의 직경 을 쉽게 조절할 수 있었다. 또한, CMP공정시 발생되는 디싱(dishing)문제를 산화막 마스킹 을 사용함으로 해결하여 자동 정렬된 게이트전극의 개구를 깨끗하게 형성할 수 있었다. 제 작된 에미터의 높이와 팁끝의 반경은 각각 1.1$\mu$m, 100$\AA$정도이며, 제작된 2809개의 팁 어 레이로 80V의 게이트전압에서 31$\mu$A의 방출전류를 얻을 수 있었다.

• 한국공작기계학회논문집
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• 제13권2호
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• pp.33-39
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• 2004

Sandblasting has recently been developed into a powder blasting technique for brittle materials. In this study, the machinability of $Si_3N_4$-hBN based machinable ceramics are evaluated for micro - pattern making processes using powder blasting. Material properties of the developed machinable ceramics according to the variation of h-BN contents give a good machinability to the ceramics. The effect of scanning times, the size of patterns and variation of BN contents on the erosion depth of samples without mask and samples with different mask patterns in powder blasting of $Si_3N_4$-hBN ceramics are investigated. The Parameters are the impact angle of $90^{\circ}$, the scanning times of nozzle up to 40, and the stand-off distances of 100mm The widths of masked pattern are 0.1mm 0.5mm and 1mm. The powder used is Alumina particles, WA#600. and the blasting pressure of powder is 0.2MPa. Through required experiments, the results are investigated and analyzed. As the results, the machinability of the developed ceramics increases as the BN contents in the ceramics.