• 제목/요약/키워드: 리테이너 링

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반도체 CMP 공정용 리테이너 링 재생을 위한 본딩 디스펜서 및 프레스 머신 개발 (Development of Bonding Dispenser and Press Machine to Regenerate Retainer Ring for Semiconductor CMP Process)

  • 박형근
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제19권3호
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    • pp.507-514
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    • 2024
  • 반도체 제조 라인에서는 생산 제품의 원가절감을 위해 지속적인 노력을 기울이고 있고, 화학적 기계적 연마(CMP) 공정에서도 이에 대한 요구가 점점 가속화되고 있으며, 이러한 원가 절감 항목 중 대표적인 것이 5-Zone 링이다. CMP 공정에서 약 150시간을 사용하면 링의 두께가 1mm 미만으로 감소되어 새제품으로 교체해야 한다. 반도체 제조 라인에서는 생산 제품의 원가절감을 위해 지속적인 노력을 기울이고 있고, 화학적 기계적 연마(CMP) 공정에서도 이에 대한 요구가 점점 가속화되고 있으며, 이러한 원가 절감 항목 중 대표적인 것이 5-Zone 링이다. CMP 공정에서 약 150시간을 사용하면 링의 두께가 1mm 미만으로 감소되어 새제품으로 교체해야 한다. 따라서 본 연구에서는 리테이너 링의 마모된 부분을 반복 재생하여 반도체 제조 원가를 낮추며, 산업용 폐기물 처리에 따른 환경 오염을 최소화하기 위해 10g±0.8% 이하의 토출량 오차와 ±1.8% 이하의 압력 균일도를 갖는 본딩 디스펜서 및 프레스 머신을 개발하였다.

CMP에서 리테이너링의 압력에 따른 연마율 프로파일과 응력 분포 해석 (Analysis of Material Removal Rate Profile and Stress Distribution According to Retainer Pressure)

  • 이현섭;이상직;정석훈;안준호;정해도
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.482-483
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    • 2009
  • In chemical mechanical planarization (CMP) process, the uniformity of stress acting on wafer surface is a key factor for uniform material removal of thin film especially in the oxide CMP. In this paper, we analyze the stress on the contact region between wafer and pad with finite-element analysis (FEA). The setting pressure acting on wafer back side was $500g/cm^2$ and the retainer pressure was changed from 300 to $700g/cm^2$. The polishing test is also done with the same conditions. The material removal rate profiles well-matched with stress distribution.

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