• Title/Summary/Keyword: 리어

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쇼트키 배리어 CMOS

  • 정강민
    • 전기의세계
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    • v.34 no.12
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    • pp.733-735
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    • 1985
  • 이 방법은 기존의 CMOS제작방법에 비교하여 스윗칭 속력의 증가와 제작의 단순화, 적은 디바이스로의 축소 용이와 집적밀도 증가, 균형된 스윗칭, 신뢰도 증가라는 잇점을 보유하고 있다.

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