• 한국구조물진단유지관리공학회 논문집
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• 제24권6호
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• pp.1-9
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• 2020

본 연구에서는 벽체의 록킹 거동을 고려한 내진보강 기법을 개발하였다. 록킹 거동은 벽체 수직 축을 중심으로 좌우로 회전하는 것으로, 개발 시스템은 변위 큰 부분에 댐퍼 등을 설치하여 에너지를 소산 시키는 방법이다. 댐퍼는 강봉 댐퍼를 사용하였으며, 강봉 지름 및 길이(형상비)를 변수로 선정하였다. 실험결과 댐퍼길이 260mm 경우 우수한 내진 성능을 보유한 것으로 평가되었다.

• 한국구조물진단유지관리공학회 논문집
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• 제23권4호
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• pp.45-52
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• 2019

본 연구에서는 벽체의 록킹 거동을 고려한 내진보강 기법을 개발하였다. 록킹 거동은 벽체 수직 축을 중심으로 좌우로 회전하는 것으로, 개발 시스템은 변위 큰 부분에 댐퍼 등을 설치하여 에너지를 소산 시키는 방법이다. 댐퍼는 강재댐퍼를 사용하였으며, 스트럿 형상 및 높이를 변수로 선정하였다. 실험결과 스트럿 높이가 짧을수록 강도 능력이, 길수록 변형능력이 우수한 것으로 평가되었다. I형과 S형 스트럿 능력을 평가한 결과, S형이 우수한 내진 성능을 보유한 것으로 평가되었다.

• 한국구조물진단유지관리공학회 논문집
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• 제25권5호
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• pp.141-148
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• 2021

본 연구에서는 강재 댐퍼의 횡변형을 방지할 수 있는 기술을 검토하여, 꺽쇠형 댐퍼에 적용하였다. 실험방법은 기존 연구와 같이 록킹 거동을 적용하였다. 평가변수는 횡변형 방지 상세 없는 기존 연구결과(SV-260)와 횡변형 방지 상세가 적용된 V-1과 V-1R이다. 여기서 V-1은 횡변형 방지상세가 댐퍼 하단부에 있으며, V-1R은 횡변형 방지상세가 하단부 및 상단부에 있다. 최대 하중 발현 시, 모멘트, 변위비 및 에너지 소산능력을 SV-260을 기준으로 상대 평가한 결과, SV-260 대비 V-1 및 V-1R의 최대모멘트는 1.22배, 1.36배 증가하였으며, 최대변위비는 2.41배, 2.92배 증가하였다. 또한 에너지 소산능력도 각각 1.39배, 1.52배 증가하였다. 따라서 강재 댐퍼에 횡변형 방지 상세를 적용한 것은 적절한 것으로 평가되었다.

• 한국구조물진단유지관리공학회 논문집
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• 제26권5호
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• pp.66-73
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• 2022

본 연구에서는 록킹 거동을 하는 강재댐퍼에 대한 기존 연구결과를 근간으로 스트럿 높이가 동일하고 단면적이 유사한 댐퍼 7개의 실험결과를 비교하였다. 강판댐퍼로 Ldpd(횡변형 방지 상세) 없는 SI-260, SV-260, SS-260, Ldpd 있는 I-1, V-1, S-1 및 강봉댐퍼인 R20-260을 평가하였다. 또한 단면적이 0.56배인 R15-260도 같이 평가하여, 강봉댐퍼 거동 성능을 적절히 평가하고자 하였다. 중요한 연구결과는 강판댐퍼의 일방향성을 개선한 강봉댐퍼 적용의 우수성이며, 이는 모멘트 저항 능력 및 변위비 평가에서도 확인할 수 있었다. 평가결과, 강봉댐퍼인 R20-260의 성능이 가장 우수한 것으로 평가되었다. 또한 변위비 2.0까지 변형 능력을 나타내어, 충분한 내진성능을 보유한 것으로 판단된다.

• 한국지진공학회논문집
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• 제4권4호
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• pp.93-104
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• 2000

적충되어 있는 다중 블록 시스템은 역사적 건물이나 문화재등에 자주 사용되고 있다. 이러한 구조시스템은 지진에 매우 취약하고, 특히 세장한 구조물인 경우에는 낮은 수준의 지반가속도에 대해서도 전도가 일어날 수 있다. 지진으로부터 이러한 구조물을 보호할 수 있는 방법중의 하나로써 지진격기받침의 사용을 들 수 있으나, 아직 격리받침이 설치되어 있는 다중블록의 거동에 대해서는 잘 알려지지 않는 실정이다. 이 논문에서는 각각 P-F 시스템, FPS, LRB 시스템이 설치되어 있을때의 세장한 강체 블록의 동적거동에 대해 살펴보았다. P-F 시스템과 FPS에서의 마찰모델은 Coulomb의 마찰법칙을 이용하였도, 상부구조물은 붙음(stick)모드와 록킹(rocking) 모드만이 존재하도록 가정하였다. 충격은 개별요소법(distinct element method, DEM)을 이용해 기술하였고, 조화입력운동에 대한 응답을 조사하였다.

• 한국공간구조학회논문집
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• 제19권2호
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• pp.27-34
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• 2019

This study proposes a technique to dissipate the energy of a rocking wall installed on a frame by using a metallic damper. The rocking behavior is to turn left and right about the wall vertical axis. The development system is a method of dissipating energy by installing a damper which is the like on a large displacement portion. Experimental results showed that in case of shorter strut make strength capacity increasement and in case of longer strut make deformation capacity increasement. The higher the strut height, the better the energy dissipation capacity. The proposed equation for estimating the steel damper strength applied to this study is a straight type strut damper. However, it is not suitable for calculation of the strength of clamped type strut damper where both flexural behavior and shear behavior are mixed.

• 한국공간구조학회논문집
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• 제20권4호
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• pp.45-52
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• 2020

In this study, performance experiments were performed on the shape of steel dampers that affect the rocking behavior. Three types of strut shapes of SI type, SV type and SS type were considered as experimental variables. As a result of the experiment, the capacity to resist the moment and drift ratio according to the strut shape of the steel damper was evaluated as very close. Finally, it was evaluated that the SV type steel damper has stable deformation and energy dissipation capability. As a result of the evaluation of the proposed damper transmission force, it is considered that the damper transmission force is evaluated larger than the applied horizontal force, and it is necessary to supplement it.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.151-152
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• 2010

극성 [0001] 방향으로 성장 된 질화물 기반의 LEDs (light emitting diodes) 는 분극현상에 의해 발생하는 강한 내부 전기장의 영향을 받게 된다. 이러한 내부 전기장은 양자우물 내의 전자와 정공의 공간적 분리를 야기하고 quantum confined Stark effect (QCSE) 에 의한 발광 파장의 적색 편이가 발생하며 양자효율의 저하를 가져오게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해 양자 우물구조를 GaN 의 m-plane (100) 이나 a-plane (110) 등 비극성면 위에 성장하려는 시도를 하고 있다. 그러나 비극성면의 비등방성 (anisotropy) 으로 인하여 결정성이 높은 비극성 GaN을 성장하는 데에는 많은 어려움이 있다. 비극성 a-plane GaN 의 결정성과 표면 거칠기의 향상을 위해 경사각을 가지는 r-plane 사파이어를 기판으로 이용하는 연구들이 많이 진행되어 있다 [1-4]. 그러나 r-plane 사파이어 기판의 경사각과 표면의 pit 형성에 관한 상관관계의 체계적인 연구는 상대적으로 많이 진행되지 않았다. 본 연구에서는 경사각을 가진 r-plane 사파이어 기판에 유기금속화학증착법을 (MOCVD) 이용하여 a-plane GaN 을 성장하였으며, 성장 시 기판의 경사각이 a-plane GaN의 성장 거동 및 표면형상에 미치는 영향을 분석하였다. 본 실험에서는r-plane에서 m-axis방향으로 0도에서 -0.65도의 경사각을 가지는 r-plane 사파이어 기판을 이용하였다. a-plane GaN 성장에는 고온 GaN 핵 형성층을 (nucleation layer) 이용하는 2단계 성장 법이 사용되었다 [5]. -0.37도 보다 크기가 큰 경사각을 가진 r-plane 사파이어에 성장된 a-plane GaN의 표면에는 수 ${\mu}m$ 크기의 삼각형 형태의 pit이 형성되었다. 사파이어의 경사각이 -0.37도에서 -0.65도로 증가하였을 경우에, GaN의 m방향 X-ray 록킹커브 반치폭은1763 arcsec에서 1515 arcsec로 감소하였으나 표면에 삼각형 pit의 밀도는 103 cm-2 이하에서 $2{\times}106$ cm-2으로 증가하였다. 이러한 r -plane 사파이어 기판의 경사각의 차이로 표면에 pit이 발생과 결정성변화의 원인을 확인하기 위해서, 여러가지 다른 경사각을 가진 사파이어 기판의 표면에 성장된 핵 형성층의 표면 양상을 확인하였다. 발표에서는 경사각의 차이에 따른 기판 표면에서의 원자 step 구조와 GaN 의 핵 형성 간의 상관관계에 대하여 구체적으로 논의할 것이다.