• 한국정보통신학회논문지
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• 제20권10호
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• pp.1927-1934
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• 2016

본 논문에서는 일반적인 실리콘 기반 n-MOSFET(n-type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)의 절연 산화막 계면에서 방사선으로부터 유발되는 누설전류 경로를 차단하기 위하여 I형 게이트 n-MOSEFT 구조를 제안하였다. I형 게이트 n-MOSFET 구조는 상용 0.18um CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 공정에서 레이아웃 변형 기법을 이용하여 설계되었으며, ELT(Enclosed Layout Transistor)와 DGA(Dummy Gate-Assisted) n-MOSFET와 같은 레이아웃 변형 기법을 사용한 기존 내방사선 전자소자의 구조적 단점을 개선하였다. 따라서, 기존 구조와 비교하여 반도체 칩 제작에서 회로 설계의 확장성을 확보할 수 있다. 또한, 내방사선 특성 검증을 위하여 TCAD 3D(Technology Computer Aided Design 3-dimension) tool을 사용하여 모델링과 모의실험을 수행하였고, 그 결과 I형 게이트 n-MOSFET 구조의 내방사선 특성을 확인하였다.

• 디지털융복합연구
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• 제11권8호
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• pp.331-340
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• 2013

초현실주의 대표적인 작가 르네마그리트가 주장한 데페이즈망 기법은 여러매체에 활용되어지고 응용되어 왔다. TV, CF, 광고등 다양한 매체를 통하여 데페이즈망의 기법들을 적용한 흔히 사용되어지는 소재들을 새로운 낯선 환경에 재배치되었을때 고정관념의 탈피와 시각적 충격을 통해 흥미를 부여하고자 하였다. 서로 다른 용도의 투명스크린과 오브제를 활용하여 프로젝션 맵핑의 매체에 접목하여 작품 '환영'에 데페이즈망 기법을 적용하여 낯선 환경을 통해 시각적 즐거움과, 새로운 미디어로써의 가능성과 투명스크린과 오브제를 활용한 프로젝션 맵핑의 기법을 제시하였다. 데페이즈망의 기법에서 대표적인 공간의 변조, 모순된 이미지의 결합, 물체의 변형과 변화 3가지 분류에 의해 표현방법과 효과를 적용하여 작품사례를 제시하였고, 레이아웃, 타이포그래피, 이미지, 컬러, 시간으로 분류하여 유형별 분석하였다. 작품 '환영'을 통해 프로젝션 맵핑과 데페이즈망 기법을 활용한 새로운 오브제와 매체의 특성을 적용하여 확장하였다.

• 정보과학회 컴퓨팅의 실제 논문지
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• 제24권1호
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• pp.40-45
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• 2018

빅데이터와 소셜 네트워크의 발전과 더불어 거대한 그래프를 처리하는 연구도 활발하게 진행되고 있다. 최근 그래프 처리의 성능 향상을 위해 Gorder 라는 그래프 오더링 기법이 제안되었다. 이 기법은 메모리 상의 그래프 레이아웃을 변형하여 데이터 접근 패턴을 CPU 캐시에 적합하게 바꿈으로써 성능을 향상시킨다. 하지만 그래프 알고리즘의 캐시 지역성에만 초점을 두고 설계되었기 때문에 디스크 기반 그래프 엔진에서는 적합하지 않고 전처리 비용도 크다는 문제점이 있다. 제시한 문제점을 해결하기 위해, 본 논문에서는 새로운 그래프 오더링인 I/O Order를 제안하였다. I/O Order는 디스크 기반의 그래프 엔진에서 지역성 외에 입출력 부하를 고려하여 설계되었다. 또한, 오더링 비용을 줄이기 위해 간단한 scheme을 사용한다. 본 논문에서 제시된 I/O Order는 Gorder와 비교해 전처리 비용이 최대 9.6배 감소하였고 성능은 지역성이 낮은 그래프 알고리즘에서 Random 대비 최대 2배 이상 향상되었다.