• 디지털융복합연구
• /
• 제15권10호
• /
• pp.445-454
• /
• 2017

최근 일반인을 위해 악기를 다루지 못하더라도 앱이나 웹에서 마치 놀이를 하듯이 연주하는 방법이 각광받고 있다. 그 이유는 자연스러운 우연성(randomness)의 연주 형태를 지니고 있기 때문이라고 판단된다. 따라서 관조적 관람객을 유인시키고 능동적으로 변화시키는 '우연 작동법'을 런치패드를 활용하여 이론적 배경과 사례분석을 통해 영상시스템을 개발, 제시하였다. 스텝시켄서 개발은 외부 프로그램으로 연결시켜 영상시스템을 스텝시켄서로 구현하는 방법과 모션 클립(Clip)들로 만들어 런치패드의 키(Key)마다 배치하여 실행시키는 키보드 런치형으로 구분하여 2가지 타입으로 개발하였으며, 최종 영상시스템을 통해 파생된 최적화 문제점과 해결책을 제시하였다.

• 한국진공학회지
• /
• 제18권2호
• /
• pp.116-126
• /
• 2009

반도체 소자의 축소로 인한 처리속도의 향상이 더욱 어려워지고 있다. 따라서 반도체 산업의 새로운 도약을 위해서 실리콘을 이용한 광전소자의 출현(Silicon photonics)이 더욱 절실해지고 있다. 제조의 간단성, 반복성, 안정성, 고속성, 일반실리콘 반도체 공정과의 병존성 등의 특성으로 인해 애벌런치 항복에 의한 발광 소자는 실리콘 발광소자의 구현에 유력한 후보 중의 하나이다. 애벌런치 발광현상에 대해 전기적, 광학적 측정을 하고, 간단한 모델링과 시뮬레이션을 통하여 발광부위의 형태, $n^{+}-p$ 접합의 깊이, 불순물의 농도, 에피층의 높이 등의 설계요소가 발광특성에 미치는 영향을 분석하였다. 시뮬레이션의 결과와 실제의 계측 결과를 비교하여, 차이점을 야기하는 이유, 애벌런치 항복의 발광현상을 설명하였고, 개선방안을 제시하였다.

• 한국진공학회지
• /
• 제16권6호
• /
• pp.414-423
• /
• 2007

FED(Field Emission Display)는 특히 소형, 고품질 평면화면분야에서 종래의 기술들과 뚜렷이 구별되는 이점을 가지고 있다. FED를 실리콘 웨이퍼에 System-on-Chip(SoC)화하는 가능성을 검토하기 위해, 우리는 p-n 접합을 평면 디스플레이의 전자선원(electron beam source)으로 사용할 수 있는지를 실험하였다. Cantilever(외팔보)형 게이트로부터의 전계로 반전층을 형성하여 p-n 접합을 형성하는 새로운 구조를 제조하였다. 약 1 ${\mu}m$ 정도의 높이에 있는 cantilever형 게이트에 220V이상의 전압을 가했을 때 반전층(inversion layer)이 형성되었고, 애벌런치 항복이성공적으로 이루어졌다. 극히 얕은 p-n 접합에서 애벌런치 항복 시 관측되는 전자방출 효과와 그 특성이 비교되었고 실험결과와 향후 연구방향이 논의 되었다.

• 항공우주
• /
• 제47권
• /
• pp.22-23
• /
• 1997

• 베이커리
• /
• 5호통권346호
• /
• pp.36-51
• /
• 1997

• ETRI Journal
• /
• 제8권4호
• /
• pp.103-109
• /
• 1986

LDD(Lightly Doped Drain) 방식에 의한 MOSFET의 제조 공정 및 특성에 관하여 실험 분석하였다. MOS 소자의 채널 길이가 짧아짐에 따라 드레인 가장자리에서 자체 형성되는 높은 전계로 말미암아 애벌런치 항복 전압(avalanche breakdown voltage)이 상당히 감소 한다. 이 전압을 높여 주기 위한 기술로서 LDD 방식이 적용되었으며 종래의 제조방식에 의한 MOSFET와 비교 기술되었다.

• 한국디자인학회:학술대회논문집
• /
• 한국디자인학회 2005년도 추계 학술발표대회 논문집
• /
• pp.246-247
• /
• 2005

• 한국광학회지
• /
• 제7권4호
• /
• pp.440-444
• /
• 1996

10Gbps급 이상의 광통신에 적합한 성능을 가지는 InAlAs/InGaAs 다중양자우물 구조(MQW) 애벌런치 광다이오드(APD)를 제작하였다. 본 논문에서는 MBE로 성장된 에피구조에서 높은 농도로 도핑된 field butter layer의 Be dopant의 다중양자우물 구조로의 indiffusion이 소자의 암전류 특성과 이득 특성에 이치는 영향을 분석하였다. Be의 indiffusion은 작은 양으로도 소자의 특성에 큰 영향을 끼칠 수 있음이 보여졌으며 spacer layer를 삽입함으로써 높은 대역폭을 유지하면서 낮은 암전류 특성을 나타내는 소자를 제작함으로써 space layer의 삽입이 indiffusion의 영향을 효과적으로 막을 수 있음을 보였다.

• 전력전자학회지
• /
• 제14권1호
• /
• pp.34-39
• /
• 2009

2001년 1세대 SiC 쇼트키 다이오드의 상용화는 고압 다이오드의 Zero 스위칭손실를 가능하게 하여 기존의 CCM(continuous-current mode) PFC의 효율한계를 극복 시킬수 있었다. 2005년 서지전류와 애벌런치 내량을 향상시킨 2세대 SiC 쇼트키 다이오드는 적용의 범용성을 확대 시켰다. 2009년 전력내량이 증대된 3세대 다이오드는 이상적인 다이오드의 현실화를 위해 한발 더 나아가게 하고 있다. 본고에서는 이러한 노력을 경주해온 인피니언의 SiC 전력반도체 소자의 기술 및 개발 현황을 소개한다.

• 한국응용과학기술학회지
• /
• 제37권5호
• /
• pp.1190-1199
• /
• 2020

본 연구의 목적은 골프 입문자들을 대상으로 12주간 훈련을 통하여 수행한 스윙에서 유효타에 미치는 변인들을 분석하고, 이를 통하여 골프 입문자들의 페어웨이 안착을 위한 유효타 요인의 기초자료를 제공하고자 한다. 본 연구의 대상은 골프 경험이 없는 입문자로 대학생 20명이 연구에 참여하였다(연령: 21.35±1.69yrs, 신장: 176.75±7.99cm, 체중: 70.70±9.76kg). 모든 대상자에게 12주간 골프 지도법에 따른 프로그램을 실시하였고, 12주차에 트랙맨 4를 이용하여 골프 스윙 시 유효타에 미치는 변인들을 산출하였다. 트랙맨 자료는 클럽 변인과 볼 변인으로 구분하여 유효타에 영향을 미치는 변인을 알아보기 위하여 이분형 로지스틱 회귀분석을 실시하였다. 클럽 변인에서 높은 다이나믹로프트(p<.01)와 낮은 페이스앵글(p<.05)은 유효타에서 나타났고, 볼 변인에서 빠른 볼스피드(p<.01), 큰 스매시팩터(p<.001), 높은 런치앵글(p<.001), 많은 스핀레이트(p<.001)도 유효타에서 나타났다. 클럽 변인의 이분형 로지스틱 회귀분석 결과, 클럽스피드(p<.05)와 다이나믹로프트(p<.01)가 증가하면 유효타의 가능성이 증가하였고, 페이스앵글(p<.001)이 증가하면 유효타의 가능성이 감소하였다. 클럽 변인에서 유효타의 영향력은 다이나믹로프트, 페이스앵글, 클럽스피드 순으로 나타났다. 볼 변인에서는 런치앵글(p<.05)이 증가하면 유효타의 가능성이 증가하였고, 런치디렉션(p<.05)이 증가하면 유효타의 가능성이 감소하였다. 볼 변인에서 유효타의 영향력은 런치앵글, 런치디렉션 순으로 나타났다. 결과를 토대로 유효타의 확률을 증가시키기 위한 조건으로, 지속적인 연습을 통하여 스윙 시 높은 다이나믹로프트와 낮은 페이스앵글 구사를 통한 클럽스피드 증가가 필요하고, 이를 통하여 런치앵글 증가와 런치디렉션 감소를 통하여 유효타의 확률이 증가될 것으로 사료된다.