Light propagation in an anisotropic crystal in the presence of strains and temperature change is investigated. This phenomenon appears in an embedded optical films sensor inside the structure or in an optical on the substrate for optical devices. The refractive indices which represent the light propagation in an anisotopic crystal are calculated and the changes of these refractive indices in the presence of strains and tepmerature change are also calculated. The calculations for the light propagation. In an isotropic medium with the simplified model are performed and the results are compared with devious investigators.
Proceedings of the Korean Society of Marine Engineers Conference
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2006.06a
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pp.275-276
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2006
선박 및 해양기자재의 안전 진단을 위한 기존의 기술은 접 센서(point sensor)를 이용한 변형률 측정 기술이 대부분이라 할 수 있다. 본 논문은 기존의 기술보다 효율적으로 응용될 수 있는 광섬유 센서를 이용한 분포 개념의 온도 및 변형률 측정(DTSS: Distributed Temperature & Strain Sensing) 기술에 대해 소개하고 있다. 이 기술은 선체 응력 모니터링, 해양 구조물 안전진단, subsea flowline 모니터링, platform의 riser 안정성, umbilical 모니터링 등에 활용될 수 있다.
Kim, Ki-Hwi;Leem, Jae-Hyeon;Song, Yong-Won;Lee, Sang-Yeol
Proceedings of the KIEE Conference
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2008.07a
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pp.1264-1265
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2008
PLD 방법으로 undoped ZnO박막을 성장 온도별로 성장하여 박막의 광학적 특성이 변화되는 것을 관찰하였다. undoped ZnO박막은 $Al_2O_3(0001)$기판을 이용하였고, pulsed laser deposition(PLD)을 이용하여 증착을 하였다. 이때 파장이 355nm인 Nd:YAG 레이저를 이용하였고 레이저의 에너지 밀도는 1.4 $J/cm^2$ 이었다. 구조적 광학적 특성을 관측하기 위하여 XRD, SEM, PL 등을 측정하였다. PL 측정 결과 성장 온도가 증가함에 따라 undoped ZnO박막의 광학적 특성이 좋아지는 것을 관찰할 수 있었다. XRD 측정 결과도 온도별 FWHM과 intensity ratio가 점차 좋아지는 것을 볼 수 있었다.
설 연휴가 끝나갈 무렵 발생한 숭례문(국보1호) 화재사건으로 온 나라가 발칵 뒤집혔고 모든 국민은 나의 소중한 일부를 잃어버린 공허함에 형용할 수 없이 참담한 심정으로 하루하루를 살아가고 있다. 언제나 그랬던 것처럼 화재원인의 끝자락에는 여지없이 인재로 귀결되고, 보존관리와 소화과정에 대한 논란도 쉽게 정리되지 않을 듯하다. 우리 주변에는 화재발생 요인도 다양하지만 그 대상물 또한 지니는 특징이 매우 다양하여 소화기법이나 조사기법 등에 있어서도 그 만큼 복잡한 형태를 갖는다. 본 코너에서는 화재로 인해 심각하거나 빈번한 피해를 가져다주는 주요 구조 형태에 따른 화재의 특징을 살펴보고 화재 원인의 유형과 조사기법에 대하여도 논의해 보고자 한다. 숭례문 화재 사건은 현재 조사가 진행 중인 만큼 사찰과 함께 특수 건축물의 유형으로 분류하여 추후 논의할 기회를 가져볼 것이다. 화재의 종류에는 소방관점이나 건축법상의 대상물 등 다양하게 표현되고 분류할 수 있다. 본 코너에서는 이러한 틀에서 벗어나 화재의 특징이 달라질 수 있는 구조나 재료, 형태 등을 달리하는 건축물 또는 구조물별로 화재 현상을 나누어 그들에서 발생하는 화재의 특징을 살펴보고, 사고 후 업무와 관련이 되는 담당자의 관점에서 조사의 요점이나 화재 사례 등을 살펴보고자 한다. 접근 방법에 따라 몇 가지로 분류해 보면 다음과 같이 나누어 볼 수 있다.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2012.05a
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pp.86.1-86.1
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2012
나노재료와 나노기술의 연구개발 지원을 위하여 국가나노인프라인 나노종합팹센터에서 개발되고 있는 나노재료/나노현상의 실시간 관찰을 위한 SiN membrane chip 기술 및 나노그래핀 기반구축에 대한 최근 결과와 향후계획을 소개하고자 한다. 나노재료의 합성, 배열, 구조 등의 실시간 관찰을 가능하게 하기 위하여 제작된SiN membrane chip은 투과전자현미경(transmission electron microscope, TEM)에서 투명한 기판으로, 그 위에 나노재료를 합성, 배열하고 원하는 모양의 전극을 형성하여 나노재료 및 나노소자의 온도변화 및 전기적 특성 측정 등이 가능하다. 이러한 기술은 Ag, Sn, Cu 등 nano-cluster의 percolation 소자, SiN 및 Graphene 나노기공 소자, SiGe, BiTe, Si, ZnO 나노선 및 CNT의 내부구조변화, 상변화 등 다양한 나노재료/나노소자의 나노현상 관찰 및 해석에 적용되었다.
인구 과밀화 및 급격한 도시 팽창은 지상공간에서 거주하는 인간 삶의 질을 위협하고 있다. 따라서 지상공간의 개발을 억제하여 환경을 보호하고 도시 공간 이용의 효율성을 최대화하기 위해 지하 공간을 개발하고자 하는 움직임이 활발하다. 자연환경으로부터 격리된 구조인 지하공간은 지상공간에 비해 실내 공기 질을 쾌적한 상태로 유지하기 어려운 밀폐된 환경이므로 오랜 시간동안 상주하는 거주자 및 한시적 이용자들의 건강에 영향을 미치는 온도, 습도, $CO_2$, 먼지 등의 환경을 제어하기 위한 기술 개발이 필요하다. 본 연구에서는 지하공간의 쾌적도 향상을 위해 온 습도 및 $CO_2$, 먼지센서를 이용한 통합 센서를 제작하여 현재 지하공간의 환경정보를 실시간 모니터링하고 실내공간의 쾌적 지표를 기반으로 환풍기, 송풍기 등의 디바이스를 제어하기 위한 USN 기반의 환경제어시스템을 구현한다. 제안한 시스템을 통해 지하공간의 환경을 개선할 뿐만 아니라 고가의 계측 장비로 인한 비용 절감 및 이동성과 확장성 등의 부가적인 효과를 기대한다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.06a
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pp.20-20
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2008
최근 LEDs가 동일 효율의 전구에 비해 에너지 절감 효과 크며 신뢰성이 뛰어나다기 때문에 기존 광원을 빠르게 대체해 나가고 있다. 특히 자외선 파장을 가지는 LEDs는 발열이 낮아 냉각장치가 필요 없으며, 수명이 길어 기존 UV lamp에 비해 많은 장점을 가지고 있기 때문에 많은 관심을 밭고 있다. 그럼에도 불구하고 자외선 LEDs는 제조 단가가 높고 power가 낮아 소요량이 많은 등 아직 해결해야 할 부분이 많기 때문에 이를 해결하기 위해 여러가지 재료와 다양한 구조가 고려되고 있다. 그 중 ZnO는 II-VI족 화합물 반도체로써 UV영역의 넓은 밴드갭(3.37eV)을 가지는 투명한 재료이다. 특히 ZnO는 60meV의 큰 엑시톤 결합에너지를 가지며, 가시광 영역에서 높은 투과율을 가지고, 상온에서 물리적, 화학적으로 안정하기 때문에 UV sensor, UV laser, UV converter, UV LEDs 등 광소자 분야에서 연구가 활발히 진행되고 있다. ZnO가 광소자의 발광재료로써 높은 효율을 얻기 위해서는 결정성을 높여 내부 결함을 감소시키며, 발광 면적을 높일 수 있는 구조가 요구된다. 특히 MOCVD 법으로 성장한 나노막대는 에피성장되어 높은 결정성을 기대할 수 있으며, 성장 조건을 조절함으로써 나노막대의 aspect ratio와 밀도 제어할 수 있기 때문에 표면적을 효과적으로 넓혀 높은 발광효율을 얻을 수 있다. 본 실험에서는 MOCVD 법으로 실리콘과 사파이어 기판 위에 다양한 성장 온도를 가진 나노구조를 성장 시키고 온도에 따른 형상 변화와 특성을 평가하였다. ZnO 의 성장온도가 약 $360^{\circ}C$ 일 때, 밀도가 조밀하고 기판에 수직 배열한 균일한 나노막대가 성장되었으며 우수한 결정성, 광학적 특성이 나타남을 SEM, TEM, PL, XRD를 사용하여 확인하였다.
This paper is studied on a protective control system for electrical fire and electrical faults by using electrical and thermal characteristics of PTC thermistor. The PTC thermistor has characteristic or positive resistivity temperature coefficient according to the temperature variation, which is construction of a regular square and cube demarcation with $BaTiO_3$ Ceramics of positive temperature coefficient. Also PTC thermistor shows the phenomenon which is rapidly increased in the resistivity if the temperature is increased over Curie temperature point. This paper is proposed on a protective control system used PTC thermistor which is protected from electrical fire due to electric short circuit faults or overload faults. Some experimental results of the proposed electric safety control apparatus are confirmed to the validity of the analytical results.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.169.1-169.1
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2013
산업 및 기술의 발전에 의해 많은 신소재들이 개발되고 있다. 그 중에서 SiC는 고온재료, LED, 반도체 등의 우주선 표면재료, 핵융합로 구조재료, 고온 씰, 히터 등 여러 산업분야에서 관심을 가지면서 다양한 가스를 이용한 합성법이 개발되어 있다. 최근에는 분말의 형태 및 크기를 용도에 맞게 개발해서 사용하고 있는 상황이다. 그런데 각 합성법에 따른 합성원리에 대해서는 여러 가지 주장이 있다. 그 중에서 몇 가지 합성법에 대해서 고찰하고 합성의 원리를 추론한다. 그리고 그 중의 한 가지인 CH3SiCl3 가스를 이용한 SiC 나노분말 합성과 SiC의 결정성장 과정에서 나타나는 whisker의 형성을 확인했다. 정교한 SiC 분말합성은 일반적으로 sol-gel, 플라즈마(DC, AC 및 ICP 등) 등을 이용한 방법이 개발되어 있다. 이와 같이 정교한 SiC 나노분말 등은 실리콘 유기 화합물 중합체(trichloromethylsilane, polycarbosilane 등)의 열분해를 통해 합성 할 수 있으며, 열분해 는 약 1,000{\sim}1,500^{\circ}C의 온도 영역에서 일어난다. 이 과정에서 고분자의 열분해 및 재결합 이 동반되고 부산물로서 HCl, CH4 등의 유해가스를 같이 생성한다. 합성된 SiC 나노분말은 전형적인 ${\beta}-SiC$로 XRD의 관찰결과 (111), (220), (311)의 방향성을 갖는 것을 확인했으며 평균입자의 크기는 약 30 nm 정도다.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.21
no.5
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pp.90-99
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1984
A onetimensional distribution of the temperature and the heat source in the SOI (silicon-on-insulator) multi-layer structure illuminated by tungsten lamps from both sides was obtained by solving the heat equation in steady state on a finite difference grid using successive over-relaxation method. The heat source distribution was obtained by considering such features as spectral components of the light source, multiple reflection at the internal interfaces, temperature and frequency dependence of the light absorption coefficient, etc. The front and back surface temperatures, which are boundary conditions for the heat equation, were derived from a requirement that they satisfy the radiation conditions. The radiation flux as well as the conduction flux was considered in modelling the thermal behaviour at the internal interfaces. Since the temperature and the heat source profiles are strongly dependent upon each other, the calculation of each profile was iterated using the updated profile of the other until they are consistent with each other. The experimental temperature at the front surface of the wafer as measured by Pyrometer was about 1200$^{\circ}$K, while the simulated temperature was 1120$^{\circ}$K.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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