• Nuclear Engineering and Technology
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• 제27권2호
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• pp.226-233
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• 1995

CANDU 원자로에서 심각하게 대두되는 압력관 파손을 방지하기 위해 압력관의 두께를 증가시키는 방안이 연구되었다. 본 연구에서는 압력관 두께변화가 Zr-2.5Nb 압력관의 응력, 수소농도 및 수소지연파괴에 미치는 영향에 대해 연구를 수행하였다. 압력관 두께가 현재의 4.2 mm에서 5.2 mm로 증가할 경우에 압력관이 받는 응력과 발전소 가동중에 누적되는 중수소 흡수량은 19% 줄어드는 것으로 나타났으며, 압력관에 균열이 발생할 경우 발전소 냉각동안에 일어나는 균열 성장은 상당히 감소한다. 수소지연파괴는 압력관이 받는 응력과 누적되는 수소량에 비해 지배되는데 이와 같은 결과로부터 두꺼운 압력관은 수소지연파괴 관점에서 상당한 이점이 있는 것으로 평가되었다. 그러나 압력관 두께 증가는 수소지연파괴의 성장속도를 가속할수도 있으므로 앞으로 연구할 사항이다.

• 동아시아식생활학회지
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• 제20권3호
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• pp.433-438
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• 2010

블루베리를 이용한 쿠키의 개발을 위해 블루베리를 각각 (0, 1, 3, 5, 7%) 첨가한 쿠키를 제조하여 품질 특성을 알아보았다. 쿠키의 pH와 당도는 블루베리 첨가량이 증가할수록 감소하였다. 쿠키의 색은 블루베리 첨가량이 증가할수록 L(lightness), b(yellowness)값이 감소하고, a(redness)값이 증가하는 것으로 나타났다. 이는 다른 안토시아닌 계의 식품을 첨가한 것에서도 같은 결과를 나타내었다. 쿠키의 직경과 퍼짐성은 블루베리 첨가량이 증가할수록 높게 나타났으며, 두께는 첨가량이 증가할수록 높게 나타났다. 쿠키의 경도는 블루베리 첨가량이 증가할수록 낮게 나타났다. 관능검사는 대조구보다는 블루베리를 3%와 5% 첨가한 쿠키가 가장 좋은 결과를 나타냈으며, 블루베리 쿠키의 개발 상품화의 가능성이 가장 높은 것으로 확인되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.214-214
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• 2010

단위면적 당 메모리 집적도를 높이기 위해 플래시 기억소자의 크기를 줄일 때, 셀 사이의 거리의 감소에 의한 간섭효과가 매우 커져 소자 크기의 축소가 한계에 도달하고 있다. 이러한 문제점을 개선하기 위해 본 연구에서는 fringing field 효과를 이용한 SONOS 구조 게이트 위에 금속 공간층을 가지는 플래시 메모리 소자를 연구하였다. 소자에 소스와 드레인에 도핑을 하는 공정단계를 거치지 않아도 되는 fringing field 효과를 이용한 SONOS 구조를 가진 기억소자에서 트랩층 양 쪽에 절연막을 증착하고 게이트 외측으로부터 트랩층 양 쪽 절연막까지 금속을 증착시켜 금속 공간층을 형성하였다. 게이트에 전압을 인가할 때 트랩층 절연막 외측의 금속 공간층 영역에도 동시에 전압이 인가되므로 게이트가 스위칭 역할을 충분히 하게 하기 위해서 트랩층 양 쪽 절연막 두께를 블로킹 산화막 두께와 같게 하였다. 소자의 누설전류를 감소하기 위하여 채널 아래 부분에 boron으로 halo 도핑을 하였다. 제안한 기억소자가 fringing field 효과에 의해 동작하는 것을 확인하기 위하여 Sentaurus를 사용하여 제시한 SONOS 구조를 가진 기억소자의 전기적 특성을 조사하였다. 시뮬레이션을 통해 얻은 금속 공간층이 있을 때와 없을 때에 대한 각 상태에서 같은 조건으로 트랩층에 전하를 트랩 시켰을 때 포획된 전하량이 변하였다. 각 상태에서 제어게이트에 읽기 전압을 인가하여 전류-전압 특성 곡선을 얻었으며, 각 상태에서의 문턱전압의 변화를 통해 금속 공간층이 있을 때 간섭효과가 감소하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.227-227
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• 2010

기존 실리콘 박막 태양 전지는 적외선에 대한 감응도와 흡수도가 낮아서 광흡수율을 증가시킬 경우 효율의 효과적인 개선이 기대되어진다. 이를 개선하기 위해서 밴드갭이 Si에 비해 상대적으로 낮은 Ge을 도입함으로써 Si와 Ge 화합물을 형성할 경우 결정상태와 수소 함유량에 따라 밴드갭 조절이 가능하다. 또한 Ge는 Si에 비해 빛에 대한 감응도가 우수하여 광흡수율을 증가시킬수 있다. 단 SiGe 박막의 Ge 량이 일정량이상 많아질 경우 박막 내 결함 등의 생성으로 광변환 효율이 오히려 감소하므로 Ge 량의 적정화가 필요하다. 본 실험에 사용된 SiGe:H Layer는 $SiH_4$ 가스와 $GeH_4$ 가스를 혼합하여 증착하였고 증착두께는 150nm로 고정하였으며 증착장비는 PECVD를 이용하였다. 파워는 플라즈마의 방전특성을 알아본 후 최소파워를 이용하여 증착하였다. 이는 증착 시 플라즈마에 의한 박막 손상을 최소화하기 위함이다. Ellipsometry를 이용하여 박막의 두께와 optical bandgap을 측정하였다. 박막의 특성을 평가하기 위해서 STA 장비를 이용하여 dark conductivity, photo conductivity, activation energy 등을 측정하였고, MDC를 이용해 C-V 곡선을 측정하였고, 이를 terman method를 이용하여 $D_{it}$를 계산하였다.

• 한국식품과학회지
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• 제40권2호
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• pp.234-237
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• 2008

밀가루에 흑미가루를 첨가하여 제조한 sugar-snap 쿠키의 품질특성을 조사하였다. Sugar-snap 쿠키의 반죽의 pH는 흑미 가루의 첨가량이 증가함에 따라 감소하였다. 쿠키의 직경과 퍼짐성은 흑미 가루의 첨가량이 증가함에 따라 증가하였고 두께와 파괴강도는 감소하였다. L, a, 및 b값 역시 흑미 가루 첨가량이 증가함에 따라서 다소 감소하는 경향을 나타내었다. Sugar-snap 쿠키의 종합적 기호도는 강력분의 경우는 흑미가루 20% 첨가 시, 중력분은 25% 첨가 시, 박력분은 20% 첨가 시에 가장 좋은 것으로 평가되었다.

• Journal of Oral Medicine and Pain
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• 제30권1호
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• pp.121-129
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• 2005

실험 대상자는 좌우측 교근에 보툴리눔 A 형 독소를 주입한 후 15개월 간 추적 조사가 시행된 11명이었다. 지원자들은 양측 교근에 보툴리눔 A형 독소를 주입하기 전, 주입 후 3개월, 주입 후 15개월 경과 후 각각 전산화 단층촬영을 시행하여 교근의 위축 정도를 관찰하였다. 측정은 하악골 하연을 기준면으로 하여 이 기준면의 상방 10 mm(position 1), 20 mm(position 2), 40 mm(position 3)의 세 위치에서 각각 두께와 면적을 측정하였다. 자입 지점은 position 1에 가장 근접했다. 먼저 교근의 두께 변화를 살펴보면 술후 3개월에 측정한 교근의 두께는 모든 position에서 감소하였으나 술후 15개월에는 술전과 비교할 때 유의한 두께 감소는 보이지 않았다. 반면에, 술후 3개월에 측정한 교근의 면적은 모든 position에서 감소하였으나 술후 15개월 경과 후에는 독소 주입 위치에서 가까운 position 1, 2에서는 면적 감소를 인정할 수 있었으나(position 1에서 10.7%, position 2에서 4.4%) 상대적으로 먼 position 3 에서는 면적 감소를 보이지 않았다. 이와 같은 연구 결과로 보아 독소 주입 15개월 후에도 약간의 교근 위축 효과가 남아 있는 것으로 판단되며, 위축량의 측정 시 일차원적인 두께 측정보다는 이차원적인 면적 측정이 더 정밀성이 있는 것으로 사료된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.42-43
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• 2009

본 연구에서는 고주파 마그네트론 스퍼터링방법을 사용하여 ITO박막을 대체할 수 있는 새로운 TCO박막으로서 $TiO_2$가 도핑된 ZnO(TZO) 박막을 성막하였다. 이때, $TiO_2$의 도핑량을 1wt.%에서 5wt.%까지 변화를 주었으며 제작된 TZO 박막에 대해서 전기적 특성과 광학적 특성들의 조성비와 박막두께의 할수로서 조사하였다. 그 결과, $TiO_2$가 2wt.% 도핑된 박막에서 가장 낮은 $1\times10^{-3}\Omega{\cdot}cm$의 비저항이 얻어졌으며, $TiO_2$의 도핑량이 증가함에 따라 비저항은 점점 증가하는 것으로 나타났다. 이와같은 비저항의 변화는 $TiO_2$도핑량이 다른 TZO박막의 홀이동도(Hall mobility)에 비례하며, 이동도는 결국 TZO박막을 형성하고 있는 결정립의 크기에 의존하는 것이 X선 회절 패턴으로부터 확인되었다. XRD 패턴에서 ZnO(002) 방향의 결정성이 가장 큰 것으로 나타났으며, 도핑량이 증가할수록(002)피크의 크기가 점점 감소하는 것을 볼 수 있다. 이는 결정성의 크기가 2wt.%일 때 가장 크며 도핑량이 증가할수록 결정성의 크기가 감소하는 것으로 나타났다. 결정립의 크기변화는 TZO박막의 전기적 이동도에 영향을 주는 것으로 나타난다. 즉, 2wt.%일 때 이동도가 가장 크며 도핑량이 증가할수록, 이동도가 감소하였으며 이결과는 TZO박막의 Hall effect 측정으로부터 확인된다. 따라서, $TiO_2$도핑량에 따른 TZO 박막의 비저항을 도핑량이 2wt.%일 때 가장 낮으며 이는 TZO 박막의 결정성이 가장 우수하였으며 그결과 이동도가 증가했기 때문인 것으로 확인되었다.

• 한국구조물진단유지관리공학회 논문집
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• 제27권4호
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• pp.45-53
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• 2023

본 연구에서는 해양환경에 노출된 강부재의 표면염분과 부식량의 상관관계를 분석하기 위하여 해상강교량의 보강형 거더 부재와 강박스 실험체를 대상으로 표면염분량과 평균부식두께를 부재단위로 평가하였다. 표면염분은 월단위로 1년간 Bresle method를 활용하여 계측하였고, 부식량은 실험용 모니터링 강판에 발생한 부식생성물로 인한 중량감소량을 평균부식두께으로 환산하여 분석하였다. 표면염분과 부식량을 계측한 결과, 강부재의 형상이나 설치위치에 따라 상대적인 표면염분량과 평균부식두께의 차이가 나타났으며, 동일한 교량 내에 설치된 동일한 형상의 부재라도 부식량이 국부적으로 급격히 증가하는 것을 확인하였다. 표면염분과 부식량의 상관관계를 분석하기 위하여 표면염분에 따른 부식량 발생 경향을 평가하였으며, 부식량을 평가할 수 있는 평가식을 부재의 형상별로 분석하였다. 표면염분과 부식량의 상관관계 분석 결과, 표면염분의 영향으로 강부재에서 발생하는 부식량은 부재의 형상에 따라 약 1.15배까지 변화하는 것으로 나타났다.

• 한국식품영양과학회지
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• 제45권8호
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• pp.1147-1152
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• 2016

본 연구는 돈피 젤라틴 분말의 첨가 수준이 떡갈비의 품질특성에 미치는 영향을 규명하고자 실시하였다. 떡갈비의 단백질 함량은 대조구가 가장 낮은 수치를 나타내었으며 돈피젤라틴 분말 4% 처리구가 가장 높은 수치를 나타내었다(P<0.05). 수분 함량은 돈피 젤라틴 분말을 첨가할수록 점차 높아지는 경향을 보였으나, 지방 함량은 돈피 젤라틴 분말 첨가량이 증가함에 따라 점차 감소하는 경향을 나타내었다. 가열 전과 후 명도와 적색도는 돈피 젤라틴 분말 첨가량이 증가함에 따라 유의적으로 감소하였으며, 황색도는 증가하였다(P<0.05). 가열감량, 직경감소율과 두께감소율은 돈피 젤라틴 분말 첨가량이 증가할수록 감소하였으며, 경도는 돈피 젤라틴 분말을 첨가할수록 높은 수치를 나타내었고 3% 처리구와 4% 처리구가 가장 높은 수치를 나타내었다. 검성과 씹음성은 돈피 젤라틴 분말의 첨가량이 증가함에 따라 높은 수치를 나타내었다. 관능적 특성은 모든 돈피 젤라틴 분말을 첨가할수록 색도와 다즙성에서 대조구보다 우수한 평가를 받았으며, 이외 모든 관능평가 항목에서 3% 처리구가 유의적으로 가장 우수한 평가를 받는 것으로 나타났다(P<0.05). 이러한 연구 결과를 바탕으로 돈육 떡갈비에 돈피 젤라틴 분말을 첨가하여 품질 특성을 분석한 결과 2~3%의 돈피 젤라틴 분말을 첨가하여 우수한 떡갈비를 제조할 수 있을 것으로 판단된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.374-374
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• 2012

반도체 소자의 크기가 100 nm 이하로 감소되면 통상적인 이온 주입 조건인 이온 에너지, 조사량 및 이온 주입 각도뿐만 아니라 Dose Rate 및 모재 온도가 Dopant Profile을 조절하는 데에 있어서 매우 중요한 인자로 작용한다. 본 연구에서는 Ribbon-beam 및 Spot-beam을 사용하여 활성화 열처리 후 Dopant Profile을 분석하였다. 이온 주입은 모든 시편에서 $BF_2$를 가속 에너지 10 keV 및 조사량 $2{\times}10^{15}/cm^2$로 고정하였다. 이온 주입 후 도펀트 활성화는 100% 질소 분위기 하에서 $850^{\circ}C$-30s 조건으로 RTA 열처리를 수행하였다. Boron 및 Fluorine의 Profile은 SIMS 분석을 통하여 구하였다. Spot-beam은 Ribbon-Beam에 비하여 Dose Rate 및 Cooling Efficiency가 높기 때문에 이온 주입 후 더욱 많은 양의 Primary-defect를 발생시키고 이에 따라 두꺼운 비정질 충을 형성한다. $BF_2$ 이온 주입 된 시편에서 B 및 F의 농도 Peak-height는 a/c 계면에 위치하는 것을 관찰하였다. 또한 B 및 F의 농도 Peak-height는 Silicon 모재의 온도가 증가할수록 증가하는 것을 관찰하였다. Silicon 모재의 온도가 증가함에 따라 Active-area의 면저항이 변화하지 않는 상태에서 Vt (Threshold Voltage)가 급격히 감소함을 관찰 하였다. 비정칠 층의 두께가 증가할수록 a/c 계면 하단에 잔존하는 Residual-defect의 양이 감소하고 이는 측면확산을 감소시키는 역할을 한다는 것이 관찰되었다.