• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
• /
• 2006.10a
• /
• pp.82-85
• /
• 2006

OLED TV의 실현뿐만 아니라 생산성 향상을 위한 OLED의 유리기판의 대면적화가 요구되고 있다. 그러나 대면적 유리 기판은 얇은 두께로 인해 조작이 매우 어렵다. 이 연구는 굽힘지지의 새로운 대면적 유리 기판의 조작방법으로 유리 기판의 처짐을 최소화 하려 한다. 또한 대면적 유리기판의 최소 처짐을 위해 다양한 실험이 수행되고 있다. 이 새로운 유리 기판의 조작방법은 OLED 디스플레이의 제조과정에 사용될 수도 있다.

• Information and Communications Magazine
• /
• v.32 no.3
• /
• pp.44-51
• /
• 2015

디지털 홀로그램 디스플레이는 SLM을 이용하여 홀로그램 영상을 구현하므로, 홀로그램 영상의 품질은 SLM에 의하여 제한되게 된다. 따라서, 대면적 광시야각의 홀로그램 단말을 개발하기 위해서는 대면적 초고해상도의 SLM이 필수적이다. 그런데, 지금까지의 홀로그램은 주로 상용 SLM인 LCoS나 DMD를 기반으로 구현되었다. 이러한 상용 SLM의 경우에는 패널의 크기가 작고 픽셀 피치가 커서, 대면적으로 홀로그램 영상을 구현하는 것과 광시야각을 구현하는 데 있어서는 아직까지 한계를 보이고 있으며, 이에 따라 대면적 초고해상도의 SLM 개발이 요구되고 있다. 본고에서는 지금까지 홀로그램 디스플레이를 구현하는데 이용되어온 주요한 SLM인 LCoS, DMD, LCD등에 대하여 살펴보고, 이러한 SLM이 가진 한계를 극복할수 있는 기술로 대면적 디스플레이 기술을 기반으로 LCoS 기술을 구현하고자하는 SLMoG 기술에 대하여 소개고자 한다.

• Electronics and Telecommunications Trends
• /
• v.31 no.6
• /
• pp.48-56
• /
• 2016

디지털 홀로그래피가 아날로그 홀로그래피와 비슷한 품질을 나타내기 위해서는 $1{\mu}m$의 픽셀피치를 가지고 있는 대면적 SLM 개발이 필수적이다. 이러한 대면적 초고해상도 SLM을 구현하기 위해서는 최근 미세 픽셀 기술이 급격히 발전하고 있는 대면적 지향의 평판디스플레이 기술을 기반으로 개발되어야 할 것으로 생각된다. 디스플레이 기술을 기반으로 스티칭 기술 등의 포토리소그래피 기술과 수직채널 TFT등의 구동 소자 기술, 고굴절율 이방성을 가지는 액정 소재 기술, 모듈 기반의 구동 기술 등을 집약하여 $1{\mu}m$급의 픽셀 피치를 가지는 대면적 초고해상도 SLM을 개발 중이다. 이렇게 개발된 초고해상도 대면적 SLM은 홀로그램 영상 재현 이외에도 다양한 광학 소자로 응용이 기대된다.

• Information Display
• /
• v.10 no.5
• /
• pp.27-32
• /
• 2009

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2014.02a
• /
• pp.256.1-256.1
• /
• 2014

21세기 정보화 시대의 도래와 함께 반도체 및 디스플레이 분야는 고부가가치산업으로 급격히 성장하였고, 현재까지도 미래의 지속적인 시장 창출을 위하여 기술개발과 투자로 초미세화, 고효율, 대면적화에 대한 원천기술 확보가 중요시되고 있다. 반도체 및 디스플레이의 대면적화가 진행됨에 따라 플라즈마 공정장비의 대면적화도 활발히 기술개발이 진행되고 있으며, 대면적화에 있어 플라즈마의 공간균일도는 생산수율 및 공정균일화를 위해 기본적으로 평가되어야 하는 중요한 지표가 되었다. 하지만 종래의 진단법들은 대면적 플라즈마 진단에 매우 제한적이기 때문에 본 연구에서는 대면적 플라즈마의 공간균일도 평가를 위해 플라즈마의 방출광 측정을 기초로 하는 진단계를 개발하였다. 플라즈마 방출광을 이용한 진단은 플라즈마에 섭동을 주지 않고 전자온도의 변화 및 공간균일도를 평가할 수 있다. 이 진단법은 두 마주보는 한쪽 면이 평평한 볼록렌즈(plano-convex lens)로 이루어진 수광시스템과 역변환 알고리즘을 통해 선 적분된 방출광으로부터 플라즈마 방출광의 국지적 정보를 측정하는 것이다. 플라즈마와 같이 크기가 큰 광원의 경우 렌즈 광학계에서 필연적으로 수반되는 선적분된(chord-integrated) 방출광을 제거하기 위해 구조에 따른 시스템 함수를 이용한 푸리에 변환 알고리즘을 개발하였고, 이를 통해 렌즈 초점거리의 정확한 방출광 세기만 재구성하였다. 이러한 재구성 방법을 이용하여 렌즈의 거리를 움직이며 대면적 플라즈마의 방출광 분포측정을 수행하였고, 이에 대한 결과를 발표하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.02a
• /
• pp.449-449
• /
• 2012

플라즈마 디스플레이 패널(PDP)은 가격 경쟁력이 뛰어나고 빠른 반응 속도를 기반으로 한 생생한 화질이 구현 가능한 장점에 힘입어 대형 평판 디스플레이 시장에서 주도적인 위치를 점하여 왔다. 이러한 특징을 갖고 있는 PDP는 최근 성장세를 보이고 있는 PID (Public Information Display) 시장에서도 그 효력을 발휘할 것으로 보인다. 따라서 기존의 HD급이나 Full HD급 미소 방전셀이 아닌 대면적 방전셀을 적용한 PDP 의 방전 특성에 대한 연구가 중요할 것으로 생각된다. 본 논문에서는 ITO 전극 간격 및 전극 폭, 격벽의 폭 및 높이 등 PDP 의 방전 특성에 영향을 미치는 요소들의 수치를 변화시켜 가며 대면적 방전셀을 적용한 PDP의 기본적인 방전 특성을 살펴보고자 하였다. 이를 바탕으로 대면적 방전셀 PDP에서 고효율을 달성하기 위해 필요한 인자의 설계 방향을 제시해보고자 하였다. 본 논문에서 연구된 PDP는 0.862.58 mm의 셀의 크기를 갖도록 설계하였다. 앞서 제시한 바와 같이 구조 변수의 최적화를 위하여 ITO 전극 간격은 80~1, 전극의 폭은 250~750로 다양하게 주어 상판을 제작하였고 격벽의 폭은 100~200, 높이는 150~300까지 다양한 크기를 가지는 하판을 제작하여 박막 증착, 합착, 가열 배기 등의 과정을 통하여 최종적으로 2인치 크기의 테스트 패널을 제작하여 각 패널별 전압 변화, 휘도, 효율 특성 등이 분석되었다. 실험 결과 격벽 폭 150, 높이는 300일 때 negative glow 방전이 안정적으로 형성될 수 있었음을 확인하였고 최적화된 격벽 수치를 기반으로 다양한 ITO 전극 간격 및 전극 폭을 적용한 패널의 방전 특성을 분석할 수 있었다. 이러한 일련의 실험 결과들을 기반으로 향후 대면적 방전셀의 방전 전압을 낮추고 발광 효율을 개선하는데에 있어서 3전극의 면방전 구조를 가지는 PDP 의 셀을 설계하는데에 있어서 올바른 방향을 마련할 수 있을 것이라 생각된다.

• Information Display
• /
• v.4 no.2
• /
• pp.7-10
• /
• 2003

현대는 디스플레이 산업과 같은 표시 소자 산업이 관심의 대상이 되고 있는 시대이다. 이러한 디스플레이 산업의 분야에는 CRT, LCD, PDP가 현재의 산업을 주도해왔고, OLED가 차세대 디스플레이로 주목을 받고 있다. 그래서 에이엔에스는 새로운 SMOLED(Small Molecule Organic Light Emitting Diode)를 제작할 수 있는 장비 및 공정기술을 개발하였다. 현재의 SMOLED 제작공정 및 장비와, 대면적 기판을 사용할 수 있고, 물질의 사용효율 및 공정시간을 단축시킬 수 있는 새로운 에이엔에스 증착장비의 장비 및 공정에서의 장단점을 비교하고 디바이스에서의 기본적인 특성을 비교하여 보겠다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2010.02a
• /
• pp.188-188
• /
• 2010

최근까지는 주로 비정질 실리콘이 디스플레이의 채널층으로 상용화 되어왔다. 비정질 실리콘 기반의 박막 트랜지스터는 제작의 경제성 및 균일성을 가지고 있어서 널리 상용화되고 있다. 하지만 비정질 실리콘의 구조적인 문제인 낮은 전자 이동도(< 1 cm2/Vs)로 인하여 디스플레이의 대면적화에 부적합하며, 광학적으로 불투명한 특성을 갖기 때문에 차세대 디스플레이의 응용에 불리한 점이 있다. 이런 문제점의 대안으로 현재 국내외 여러 연구 그룹에서 산화물 기반의 반도체를 박막 트랜지스터의 채널층으로 사용하려는 연구가 진행중이다. 산화물 기반의 반도체는 밴드갭이 넓어서 광학적으로 투명하고, 상온에서 증착이 가능하며, 비정질 실리콘에 비해 월등히 우수한 이동도를 가짐으로 디스플레이의 대면적화에 유리하다. 특히 Zinc Oxide, Tin Oxide등의 산화물이 연구되고 있으며, indium이나 aluminum등을 첨가하여 전기적인 특성을 향상시키려는 노력을 보이고 있다. 본 연구에서는 Zinc Oxide 기반의 박막 트랜지스터를 DC magnetron sputtering를 이용하여 상온에서 제작한 후 다양한 조건에서의 후열처리를 통하여 소자의 특성의 최적화를 이루는 것을 시도하였다. 그리고 ITO를 전극으로 사용하여 bottom gate 구조의 박막 트랜지스터를 만들고 air 분위기에서 온도별, 시간별 열처리를 진행하였다. 또한 gate insulator의 처리를 통하여 thin film의 interface 개선을 통하여 소자의 성능 향상을 시도 하였다. semiconductor analyzer로 소자의 출력 특성 및 전이 특성을 평가하였다. 그 결과 기존의 a-Si 기반의 박막 트랜지스터보다 우수한 이동도의 특성을 갖는 ZnO 박막 트랜지스터를 얻었다. 그리고 이를 바탕으로 ZnO를 이용하여 대면적 적합한 디스플레이를 제작할 수 있다는 가능성을 보인다. 그리고 Temperature, Bias Temperature stability, 경시변화 등의 다양한 조건에서의 안정성을 평가하여 안정성이 향상을 확보하여 비정질 실리콘을 대체할 유력한 후보중위 하나가 될 것이라고 생각된다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
• /
• 2005.05a
• /
• pp.201-207
• /
• 2005

디스플레이 장치를 제조함에 있어 Lithography 공정은 매우 중요한 공정으로 인식되고 있으나 아직까지 Lithography 장비의 국내 기술개발 수준은 선진사에 비해 많이 뒤져있다고 볼 수 있다. 최근 디스플레이 산업의 폭발적인 성장과 더불어 보다 확실하고 안정적인 생산을 위해서는 Lithography 장비의 국산화 기술개발이 시급한 상황이다. 본 연구는 Lithography 장비를 구성하는 핵심기술요소 중 Stage 최적화에 대하여 현재 국내외에서 개발된 또는 개발중인 제품들을 비교 분석하고, 최적화 설계를 위해 필요한 조건들에 대하여 고찰해보았다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
• /
• 2006.05a
• /
• pp.232-243
• /
• 2006

6자유도계를 실시간 해를 풀 수 있는 이론을 배경으로 실제 여러 형태로 제작이 시도 되고 있다. 기구적인 간단함은 있지만, 비선형적인 6개의 축을 실시간 수식적으로 풀어낸다는 것은 쉽지 않다. 실제현장에서 설계에 적용시키기 위해서는 시뮬레이터를 개발하여 대면적, 고 하중용 등 다양한 스테이지 계를 쉽게 적용할 수 있어야 한다. 본 논문은 대면적용 스테이지 계를 적용하면서 문제점들을 고찰해 보고자 한다.