LED(light emitting diode)는 반도체의 P-N 접합 다이오드의 일종으로, 순방향으로 전압이 걸릴 때 단파장 광이 방출 되는 현상인 전기발광 효과를 이용한 화합물 반도체 소자의 일종으로 발광 다이오드라고도 한다. LED는 화합물 반도체의 화합물의 종류 및 조성비를 조절하여 적외선, 자외선과 빨강에서 보라에 이르는 모든 가시광선이 구현 가능하고, 소비전력이 기존의 광원에 비해 우수한 특성을 가지고 있어, 일반 조명, 산업용 조명, 전광판, TV의 BLU 등 여러 분야에 걸쳐 다양하게 이용되고 있다.
지난 십년동안 정보산업의 지속적인 고속성장과 맞물려 단파장 광소자와 고출력, 고주파 전자소자의 성능에 대한 사양이 날로 높아 감에 따라 그 어느 때보다 소자 제조 공정에서 고품위 박막 성장이 중요한 위치를 차지하게 되었다. 자연스럽게 연구자들은 이러한 소자에 대한 높은 요구를 충족시키기 위해 기존 발광소재(GaN, 6H-SiC)를 근간으로 소자의 성능을 개선하려는 노력 뿐 아니라 기존 물질의 한계를 극복할 수 있는 새로운 발광소재에 대해 관심을 갖게 되었다.(중략)
청색 발광다이오드(LED) InGaN/GaN의 방사 피크 파장에 따른 LED 소자의 성능 저하를 광학적 및 전기적 특성을 고려하여 조사하였다. 방사 피크 파장이 437~452 nm인 LED 소자에 전류를 각각 60 mA, 75 mA, 그리고 90 mA로 구동하여 장시간 동안 스트레스를 주었다. 형광체의 유무에 따라서 LED 소자의 광 감쇠 특성을 관측하였다. 형광체가 없는 소자의 광 감쇠 특성은 피크 파장이 단파장일수록 급속하게 떨어진다. 형광체가 있는 소자는 형광체가 없는 것보다 감쇠 특성이 둔감해진다. 전기적 특성은 방사 피크 파장에 의존하지 않고, 스트레스 시간에 따른 LED의 내부 저항이 서서히 증가하는 현상으로 나타난다. 피크 파장에 따른 외형변화는 동일 전류 조건에서 단파장일 때 열화현상이 심하게 발생한다. 이는 청색 발광다이오드에서 발생한 빛의 파장이 단파장영역으로 갈수록 칩 외의 재료에서 단파장 광 흡수가 증가하여 열화현상이 가속화되는 것으로 분석된다. 따라서 LED 소자의 장수명을 얻기 위해서는 청색 칩의 방사 피크 파장과 소자재료의 광 열화해석이 중요하다.
전자파가 인체에 미치는 영향에 대한 연구중 SAR(Specific Absorption Ratio)에 관한연구는 매우 활발하게 이루어지고 있으나 단파(High Frequency)대역에 의한 인체유도전류에 대한 연구는 미흡한 편이다. 본 연구에서는 근거리장에서 단파대역 RFID 리더 안테나에 의한 인체에 유도되는 전류를 측정하고 이를 등가화 할 수 있는 수직교차루프 형태의 인체등가 모형을 제시하여 인체의 유도전류량과 비교하였다.
최근에 있어서 광자기기록 재료의 연구개발은 실용화 단계에 이른 비정질 RE-TM막을 중심으로 하여 내식성, 보호막, 기판재료, 양산기술 향상 등에 촛점이 맞추어져 있다. 한편 장래의 문제로서 일층 고성능화와 보다 생산성이 놓은 재료의 개발이 기대되고 있다. 고성능화를 위해서는 반도체 레이저의 고출력, 단파장화가 가장 효과적이라고 생각되나 이에 맞는 기록재료의 개발연구도 병행되어 져야한다. 기존의 반도체 레이저 범위안에서는 RE-rich의 막을 기록층으로 하고 적당한 재생층을 갖는 2층 막으로 부터 밀도 및 속도의 양면에서 최고의 성능이 얻어지고 있다. 장래 단파장 반도체 레이저가 개발된다면 경희토류를 이용한 막에서 고성능화가 아루어질 것으로 보이며 또한 Pb/Co, Pt/Co등 자성다층막이 RE-TM 재료의 단점을 보완하고 한층 더 고밀도화를 이룩할 수 있는 차세대 광자기기록 재료로 기대를 모으고 있다.
초미세 레이저 가공기술은 미세화, 대면적화, 고속화의 방향으로 발전되고 있다. 이에 따라 이를 대응한 레이저의 사양도 파장의 단파장화 또는 펄스폭의 극초단화, 펄스 반복률의 고반복률화, 출력의 고출력화가 요구되고 있다. 극초단 펄스레이저는 사용자 편의성, 안정성 측면에서 산업체의 요구에 미흡하다. 이에 따라 산업용 초미세 레이저 가공을 위한 광원으로 고품질, 고출력의 단파장 자외선 레이저 활용에 집중하고 있다. 현재 고품질 자외선 레이지는 DPSSL 형태로 구성되어 출시되고 있고, 거의 대부분 수입에 의존하고 있다. 국내외 자외선 UV 현황을 간단히 기술하고, 광주과기원 고등광기술연구소에서 산업원천기술개발사업의 일환으로 개발중인 복합형 자외선 DPSSL에 대한 개발 계획 레이저 특성과 현재의 개발 진행 상황을 소개한다.
본 논문에서는 최근 주목받고 있는 장파장 EDFA(Erbium-Doped Fiber Amplifer)에서의 성능 분석, 특히 전력변환률(Power Conversion Efficiency)의 예측을 위한 밀도반전이 고정된 상태에서의 black box 모델을 유도하고 이득이 평탄화된 장파장 EDFA의 요구되는 펌프파워측면에서 수치해석과 실험을 통하여 유도된 모델의 유용성을 증명하였다. 모델을 통한 펌프파워의 예측치는 실험오차 범위내에서 1.9%이내의 정확성을 보였다. 밀도반전이 고정된 상태에서의 black box 모델은 일반적으로 980nm, 1480m, 펌핑의 경우 모두 적용이 가능하며 EDF의 3가지 이상의 길이에 대하여 입력 펌프파워와 입력/출력 신호파워의 관계를 측정하여 밀도반전이 일정한 상태에서 다른 동작점의 성능을 예측할 수 있었다. 또한 단파장 EDFA에서는 손실의 효과가 크게 나타나지 않아 해석적인 해와 일치하는 결과가 알려져 있었으나 이에 비해 장파장 EDFA에서는 여러 가지 손실의 효과가 더욱 크게 작용하게 되며 특히 paired ion의 효과로 인한 손실로써 비선형적인 관계식이 유도됨을 보였다.
화학적 열화를 빠르게 유도할 수 있는 단파장의 자외선(254 nm)을 고밀도 폴리에틸렌의 표면에 조사하여, 생성된 carbonyl band의 변화로부터 기계적 물성 변화를 예측할 수 있는 지에 대한 가능성을 연구하였다. 오랜 시간이 요구되는 자연 태양광에 의한 옥외폭로시험이나, 제논-아크 광원에 의한 광 열화 대신에 광양자 에너지가 높은 UVC 램프를 사용함으로써, 유도되는 광열화의 화학적 특성이 동일한 기계적 물성 변화를 유발하는지를 확인하는 것에 본 연구의 의미가 있다. 인장시험과 크리프-파괴시험으로 진행된 고밀도 폴리에틸렌의 기계적 강도는 CI 변화에 유사한 양상을 보였으며, 특히 항복강도와 신장률은 자외선 노출시간과 밀접한 관계가 있음을 보여주었다. 따라서 빠른 표면 열화를 유발하는 UVC 램프를 활용한 카르보닐 지수와 기계적 물성 변화의 관계를 통하여 장시간이 요구되는 옥외에서의 기계적 물성변화를 보다 빠르게 파악할 수 있는 방법을 제시하였다.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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제34권2호
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pp.325-331
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2010
본 논문에서는 주기적 접지구조(PPGS)를 가지는 소형 단파장의 미앤더 선로를 GaAs MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) 상에 구현하였다. PPGS구조를 이용한 미앤더 선로는 기존의 미앤더 선로에 존재하던 용량 $C_a$와 함께 추가적인 용량 $C_b$를 가짐으로써 전체적인 용량이 커지게 되어, 단파장 특성을 보여주었다. 기존의 미앤더 선로는 주기적 구조가 아닌데 반해 PPGS 구조의 미앤더 선로는 주기적 구조이므로 $\beta$값이 큰 slow-wave가 존재하며, 이로 인해 종래의 미앤더 선로에 비해 선로 상에서 훨씬 더 큰 위상변화량을 보여준다. 본 논문에서는 상기 미앤더 선로의 특성을 실험적으로 고찰하여 PPGS 구조의 미앤더 선로를 병렬 인덕터로 사용할 경우, 기존 미앤더 선로를 사용할 때 보다 높은 인덕턴스 값을 가지므로 동일한 길이의 기존 선로보다 큰 인덕턴스 값을 가지는 정합 소자로써 사용할 수 있음을 확인하였다.
표면 조직화의 목적은 태양전지 표면에서의 입사되는 빛의 반사율을 감소 시키고, 웨이퍼 내에서 빛의 통과 길이를 길게 하며, 흡수되는 빛의 양을 증가시키는 것이다. 본 연구에서는 여러 가지 표면 조직화 공정 기술을 이용하여 표면 형상에 따른 광 변환 효율에 대해 연구하였으며, 셀을 제작하여 전기적 특성과 광학적 특성의 상관관계를 분석하였다. KOH를 이용한 표면 조직화, 산 증기를 이용한 표면 조직화, 반응성 이온 식각을 이용한 표면 조직화, 금속 촉매 반응을 이용한 표면 조직화 공정 기술을 이용하여 표면 조직화 공정을 진행하였다. 셀 제작 결과, 반사도 결과와는 상반되는 결과를 얻을 수 있었다. 표면 조직화 형상에 따른 셀 효율의 변화는 도핑 프로파일과 표면 재결합 속도의 변화 때문이라 생각되며 더 명확한 분석을 위해 양자 효율을 측정하여 분석을 시도하였다. 표면 조직화 공정 기술별 도핑 프로파일을 보면 KOH를 이용한 표면 조직화 공정을 제외한 나머지 표면 조직화 공정들의 도핑 프로파일은 불균일하게 형성되어 있는 것을 확인 할 수 있다. 양자 효율 측정 결과 단파장 대역에서 낮은 응답특성을 가지는 것을 확인 할 수 있었다. 그 이유는 낮은 반사도를 가지는 표면 조직화 공정의 경우 나노사이즈의 구조를 갖기 때문에 균일한 도핑 프로파일을 얻지 못해 전자, 정공의 분리가 제대로 이루어지지 못하였고 표면 재결합 속도증가의 원인으로 단락전류와 개방전압이 낮아져 효율이 떨어진 것으로 판단된다. 결과적으로 낮은 반사율을 갖는 표면 조직화 공정도 중요하지만 표면 조직화 공정 기술에 따른 균일한 도핑 프로파일을 갖는 공정을 개발한다면 단파장 응답도가 향상되어 단락전류밀도와 개방전압 상승효과를 얻을 수 있을 것이라 판단된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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