• 한국자기학회지
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• 제17권6호
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• pp.246-252
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• 2007

본 논문에서는 출발원료 배합비 및 육성 파라미터가 LPE(Liquid Phase Epitaxy)법으로 육성된 자성 가넷 막의 특성에 미치는 영향을 조사하며, 광 CT의 페러데이 회전자용으로서 적합한 막의 육성 조건을 제시한다. 막을 평가하기 위하여 조사한 특성은 막후, 표면 모폴로지, X선 회절, 격자상수, 막과 기판(단결정 비자성 가넷 웨이퍼)사이의 격자상수의 부정합, 페러데이 회전각 등이었다. 또한, 육성된 자성 가넷 막을 이용하여 광 CT를 제작하고, 성능을 평가했다.

• 한국자기학회지
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• 제8권2호
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• pp.74-78
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• 1998

LPE법으로 양질의 단결정 Bi, Gd:YIG 막을 GCMZGG 기판상에 성장시켜 자기, 광자기 및 센서특성을 조사했다. 제조한 막은 히스테리시스가 거의 없는 직선성이 양호한 연자성 특성을 나타냈고, 상온에서의 포화 Faraday 회전각은 45$^{\circ}$, 포화자장은 약 1.1kOe, 베르데 상수는 5.6$^{\circ}$/(cm,Oe0이었으며, 베르데상수의 온도의존성은 $0^{\circ}C$-10$0^{\circ}C$에서 약0.0056$^{\circ}$/(Oe, cm, $^{\circ}C$)로 우수한 특성을 나타냈다. 또한, 제조한 막을 사용하여 센서특성을 특정한 결과 전류의 세기가 3A-300A에서 양호한 적선성이 얻었졌다.