• 한국정밀공학회지
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• 제25권3호
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• pp.56-62
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• 2008

The biocompatibility and the fatigue strength of Co-Cr-Mo alloy are excellent, so it is used well for the material of artificial joints. The head of artificial joint needs mirror surface for reduction of abrasive resistance. Mirror finishing of Co-Cr-Mo alloy with geometrically defined single crystal diamond cutting tools is handicapped by micro chipping of tool edge. In general, it is said that the micro chipping of diamond tool is caused by work hardening of Co-Cr-Mo alloy for the cut. In the present research, mirror finishing of Co-Cr-Mo alloy by applying ultrasonic elliptical vibration cutting was carried out. The experimental results show that the micro chipping of diamond tool was suppressed and the tool wear was remarkably reduced as compared with the ordinary diamond cutting without elliptical vibration motion. It was confirmed that the good mirror surface of maximum surface roughness of 25 nmP-V was obtained for the cutting length of about 14 m. It is expected that mirror finishing of Co-Cr-Mo alloy can be achieved by applying ultrasonic elliptical vibration cutting practically.

• 한국결정학회지
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• 제1권1호
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• pp.49-56
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• 1990

Albite-anorthite 계의 조성을 갖는 유리를 결정화 시키면 사장석의 공융상 외에도 육방정과 사방정의 두불안정상이 정출되며 이들의 결정화도를 X-선 회절에 의하여 측정하였다. 사방정의 불안 정상은 albite 70∼80%를 갖는 조성에서 가장 많이 결정화가 일어나며 육방정은 anorthite가 주로된 조성영역에서 결정화가 많이 일어났다. 불안정상 중에서 사방정의 걱정구조를 정산하기 위하여 Nao7 Cao.3 Al13 Si27 O7의 조성을 갖는 단결정편을 분리하여 X-선 회절강도를 측정하였다. 이 결정의 격자상수는 a=8.237(1)A. b=8.644(1)A c=4.818(1)A이며 공간군은 P22,2,이다. 최종정산한 구조의 R값은 0.040이었고 Rw는 0.028이었다. 한위치를 7 3의 비율로 통계적으로 차지하고 있는 Na와 Ca의 위치는 충진율 0.5를 가지며 두 위치로 분열되어 있다. Si가 A1원자는 육환구조내에서는 통계적으로 분포되어 있고 육환층과 층사이에서는 규칙적인 배열을 보이고 있다.

• 한국자기학회지
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• 제13권1호
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• pp.36-40
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• 2003

D $y_{x}$B $i_{3-x}$F $e_{5}$ $O_{12}$(x=0.5,1.0,1.5,2.0) 가네트 박막을 sol-gel법의 일종인 Pechini법의 이용하여 $Al_2$ $O_3$, G $d_3$G $a_{5}$ $O_{12}$ (111) 평면에 성장시켰다. 단일 조성의 D $y_{x}$B $i_{3-x}$F $e_{5}$ $O_{12}$ 박막을 얻기 위한 열처리 온도는 기판의 종류에 의존하며, 박막과 같은 구조의 G $d_3$G $a_{5}$ $O_{12}$ (111) 기판의 경우 A1$_2$ $O_3$ 기판을 사용한 경우에 비해 단일 조성을 얻기 위한 열처리 온도가 약 5$0^{\circ}C$ 감소함을 알 수 있었다. G $d_3$G $a_{5}$ $O_{12}$ (111) 기판 위에 성장된 가네트 박막의 낟알들은 대부분 기판과 같은 [111] 방향으로 정렬하며, 이 경우 박막의 자기 이력 곡선은 5000 Oe 이상에서도 포화 자기화에 도달하지 못하는 것으로 확인되었다. 이러한 현상의 원인으로 회전 자기화 과정 (rotation magnetization process)에 의한 것으로 추정하였다. Pechini 법으로 성장시킨 D $y_{x}$B $i_{3-x}$F $e_{5}$ $O_{12}$ 박막에서 단위 세포 당 최대 Bi 이온의 양은 2.0 이하임을 처음으로 확인하였고, 이는 LPE법에 의해 성장된 단결정 가네트의 경우에 알려진 최대 Bi이온의 양 2.3보다 작은 값이다.에 알려진 최대 Bi이온의 양 2.3보다 작은 값이다.은 값이다.

• 한국재료학회지
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• 제4권8호
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• pp.870-876
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• 1994

$Y_{1}Ba_{2}Cu_{3}O_{7-\delta}$계에서 211상의 성장거동을 관찰하기 위하여 123시편을 $1100^{\circ}C$에서 유지시간을 변화시켜 MgO다결정 기판과 MgO 단결정 기판위에 놓고 소결시킨 후 공냉하였다. 211입자는 유지 시간이 증가함에 따라 성장하였으며MgO단결정 기판보다 MgO다결정 기판을 사용했을때 더 큰 성장을 보였다. CuO양을 변화시키면서 만든 $Y_{2}Ba_{1+X}Cu_{3}O_{5+\delta}$ 시편에서 211입자는 CuO양이 증가함에 따라 조대해졌으며 0.6mol CuO가 더 첨가된 시편에서 가장 큰 211입자가 관찰되었다. $Y_{2}Ba_{1+X}Cu_{3}O_{5+\delta}$시편에서 211입자는 아주 미세하고 균일하게 분포되었다. $SnO_{2}$첨가로 인한 211입자의 성장억제 효과는 ($BaCuO_{2}$+ CuO)액상에서보다 CuO액상에서 더 크게 나타났다.

• 한국재료학회지
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• 제3권1호
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• pp.12-18
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• 1993

단결정 실리콘위에 스퍼터법으로 증착된 티타니움막을 급속가열로에서 고상반응에 의해 형성시킨 면저항 1.2 ohm/sq. 내외의 TiS$i_2$ 박막에 있어서 열안정성을 상부절연막의 유무 및 종류에 따라 조사하였다. 상부절연막은 상압 CVD로 증착한 USG(Undoped Silicate Glass, Si$i_2$) 막과 플라즈마 CVD법으로 증착한 PE-SiN(S$i_3$$N_4$)막을 사용했다. 열안정성 평가는 90$0^{\circ}C$에서 시간을 달리하여 TiS$i_2$막, PE-SiN막, USG막의 스트레스는 각각 1.3${\times}{10^{9}}$, 1.25 ${\times}{10^{10}}$, 2.26 ${\times}{10^{10}}$ dyne/c$m^2$의 인장응력을 나타내었다. 응집현상은 TiS$i_2$의 응집현상은 Nabarro-Herring 마이크로 크리프에 의한 원자의 확산관점에서 검토되었다.

• 대한화학회지
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• 제29권2호
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• pp.73-79
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• 1985

Acetone 4-benzylthiosemicarbazone의 결정 구조를 단결정 X-선 회절법에 의하여 연구하였다. 결정은 단사축계에 속하며, 공간군은 $P2_1/c$, 단위세포내에는 4개의 분자가 들어있고 단위세포 상수는 a = 10.249(7), b = 11.403(9), c = 10.149(7)${\AA}$, ${\beta}$ = 90.9$(1)^0$이다. 회절농도는 4축자동회절장치에 의하여 얻었다. 분자구조는 직접법에 의하여 밝혔으며, 최소자승법으로 정밀화한 결과 1554반점에 대하여 최종 신뢰도 R값은 0.045이었다. 분자내에서 S-C(8)-N(2)-N(3)-C(9)-C(10) 원자들은 zigzag planar chain을 이루고 있다. 분자들은 2종류의 수소결합에 의하여 연결되어 있다. 하나는 N-H${\cdots}$S 분자간 수소결합으로 길이는 3.555${\AA}$이며 분자들을 이량체 처럼 붙들어 주고 있다. 다른 하나는 N-H${\cdots}$N 분자내수소결합으로 길이는 2.568${\AA}$이다. 이화합물의 분자구조를 구조가 이미 밝혀진 다른 thiosemicarbazone 유도체들과 비교 고찰하였다.

• 대한화학회지
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• 제39권7호
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• pp.552-558
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• 1995

배위자인 이소부틸, 노르말 부틸 및 메틸티오아세트아미드옥심과 출발 물질인 단핵 및 다핵 착물과의 반응에서 $X_2[M_{O4}O_12{R'C(NH_2)NO}_2](X=n-Bu_4N^+$, $R'=(CH_3)_2CH$, $CH_3CH_2CH_2$, $CH_3SCH_2$; $X=(CH_3)_2CHC(=NH_2)NH_2^+$, $R'=(CH_3)_2CH$; $X=CH_3CH_2CH_2C(=NH_2)NH_2^+$, $R'=CH_3_CH_2CH_2$; $X=CH_3SCH_2C(=NH_2)NH_2^+$, $R'=CH_3SCH_2)$을 합성하였다. 합성한 착물은 원소분석, 적외선 및 핵자기공명에 의해 구조를 규명하였다. 얻은 착물중 ${(CH_3)_2CHC(NH_2)_2}_2[M_{O4}O_{12}{(CH_3)_2CHC(NH_2)NO}_2]$은 X-선 단결정 회절에서 결정구조를 밝혔고, 얻은 데이타는 Monoclinic, $P2_{1/c}$, $a=10.168(3){\AA}$, $b=11.768(1){\AA}$, $c=13.557(1){\AA}$, ${\beta}=102.08(1)^{\circ}$, $V=1586.2(5){\AA}^3$, Z = 2이었고, 회절강도 2951개($F_0>3s(F_0)$)에 대한 최종 신뢰도 인자는 0.026이었다. 이 착물의 구조는 평면상의 환형$[Mo_4({\mu}-O)_4]$과 두 개의 ${\mu}_4$-아미드옥시메이트로 구성되어 있다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2010년도 춘계학술대회 초록집
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• pp.82.1-82.1
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• 2010

수소화된 비정질 실리콘 박막을 이용한 반도체는 현재 태양전지, 트랜지스터, 매트릭스 배열 및 이미지 센서 등의 분야에서 이용되고 있다. 자세히 이야기 하면, 여러 가지의 광전효과 물질에 대한 특성이 있으며, 가시광선영역에 대하여 > $10^5cm^{-1}$이상의 매우 높은 광흡수계수와 낮은 온도를 갖는 증착공정 등이 있다. 박막의 밴드갭은 약 1.6~1.8eV로서 태양전지의 흡수층과 passivation층으로 적절하다. 여러 가지 종류의 태양전지 중 비정질 실리콘 박막/결정질 실리콘 기판의 구조로 이루어진 이종접합 태양전지는 저온에서 공정이 가능한 대표적인 것으로서 HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin layer)구조로 산요사에 의해 제안된 것이다. 이것은 결정질 실리콘 기판과 도핑된 비정질 실리콘 박막사이에 얇은 진성층 비정질실리콘 박막을 삽입함으로서, 캐리어 전송을 좋게하여 실리콘 기판 표면의 passivation효과를 증대시키는 결과를 가지고 온다. 실험실 규모에서는 약 20%이상의 효율을 보이고 있으며, 모듈에서는 19.5%의 높은 효율을 보이고 있어 실리콘 기판을 이용한 고효율 태양전지로서 각광을 받고 있다. 이러한 이종접합 태양전지의 대부분은 단결정 실리콘을 사용하고 있는데, 점차적으로 다결정 실리콘 기판으로 추세가 바뀌고 있어, 여기에 맞는 표면 passivation 공정 및 분석이 필요하다. 본 발표에서는 다결정 실리콘 기판위에 진성층 비정질 실리콘 박막을 유도결합 플라즈마 화학기상 증착법(ICP-CVD)을 이용하여 제조하여 passivation 효과를 분석한다. 일반적으로 ICP는 CCP(coupled charged plasma)에 비해 약 100배 이상 높은 플라즈마 밀도를 가지고 있으며, 이온 충돌같은 표면으로 작용하는 것들이 기존 방식에 비해서 작다라는 장점이 있다. 먼저, 유리기판을 사용하여 ICP-CVD 챔버내에 이송 한 후 플라즈마 파워, 온도 및 가스비(SiH4/H2)에 따른 진성층 비정질 실리콘 박막을 증착 한 후, 밴드갭, 전도도 및 결합구조 등에 대한 결과를 분석한 후, 최적의 값을 가지고 250um의 두께를 갖는 다결정 실리콘을 기판위에 증착을 한다. 두께(1~20nm)에 따라 표면의 passivation이 되는 정도를 QSSPCD(Quasi steady state Photoconductive Decay)법에 의하여 소수캐리어의 이동거리, 재결합율 및 수명 등에 대한 측정 및 분석을 통하여 다결정 실리콘 기판의 passivation effect를 확인한다. 제시된 데이터를 바탕으로 향후 다결정 HIT셀 제조를 통해 태양전지 효율에 대한 특성을 비교하고자 한다.

• 대한치과교정학회지
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• 제32권6호
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• pp.443-453
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• 2002

본 연구의 목적은 다양한 교정용 브라켓의 표면에 형성되는 타액성 피막의 조성을 확인하고, 전타액, 악하선타액 및 이 하선타액에서 유래하는 타액성 피막의 성분을 비교하는 것이다. 네 가지 서로 다른 종류의 교정용 브라켓을 본 연구에 사용하였다. 이들은 $022{\times}028$ Roth Prescription의 상악 소구치 브라켓으로 조성은 다음과 같다: 스테인레스 스틸, 단결정 사파이어, 다결정 알루미나 및 플라스틱 브라켓. 교정용 브라켓을 각각 전타액, 이하선타액 및 악하선타액에 2시간 배양하여 타액성 피막을 형성시켰다 브라켓 피막의 타액성분은 sodium dodecyl sulfate-polyacrylamide gel electrophoresis, Western transfer method 및 면역검출법을 통해 확인하였다. 이 결과 low-molecular weight salivary mucin, ${\alpha}-amylase$, secretory IgA (sIgA), acidic proline-rich proteins, cystatins 등이 모든 브라켓의 타액성 피막에 존재하였으며, 치아우식증의 원인균인 Streptococcus mutans의 부착을 촉진시키는 타액단백질인 high-molecular weight mucin은 어떤 브라켓에도 부착하지 않았다. 그러나, 비록 동일한 타액단백질이 모든 브라켓에서 발견되었지만, 타액단백질 부착 양상은 타액의 종류 및 브라켓의 종류에 따라 양적 및 질적으로 다르게 나타났다. 특히 sIgA는 이하선타액에서 유래한 브라켓 피막에 더 많이 부착하였고, cystatins의 경우는 플라스틱 브라켓에서 유래한 브라켓 피막에 더 많이 존재하였다 본 연구는 다양한 타액단백질이 교정용 브라켓에 부착하며, 타액단백질이 타액의 출처 및 브라켓의 종류에 따라 교정용 브라켓의 표면에 선택적으로 부착함을 나타내었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권1호
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• pp.126-131
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• 1999

Hot-wall epitaxy법으로 $Cd_{1-x}Mn_xTe$박막을 GaAs (100) 기판위에 성장시켰다. XRD 측정으로부터 CdTe/GaAs(100) 박막은 기판과 같은 (100)면의 단결정 박막으로, $Cd_{1-x}Mn_xTe$박막은 Mn의 조성비 x가 증가함에따라 다결정 박막으로 성장되었으며, 박막의 격자상수는 x의 증가에 따라 덩어리 결정의 경우와 비슷한 기울기로 감소함을 확인하였다. x의 변화에 대한 $Cd_{1-x}Mn_xTe$ 박막의 PL 측정으로부터 받개와 퍼텐셜 요동에 의하여 포획된 엑시톤의 재결합 피크인 $L_1$과 $L_2$를 관측하였으며, $L_1$피크는 x=0.09 시료에서만 관측되었고 x값이 증가하면 사라졌다. x $\ge$0.2의 경우에는 $L_2$피크가 강하게 나타나고 x$\ge$ 0.4에서는 $Mn^{2+}$이온의 intra 천이에 의한 2.0eV 근처의 피크가 강하게 나타났다. x>0.4에서 $Mn^{2+}$이온에 의한 2.0eV 피크는 pinning이 일어나 변화가 거의 없이 일정하였다.