• Title/Summary/Keyword: 다이오드 레이저

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Parametric Study of a Diode Side-Pumped Nd:YAG Laser Using a Diffusive Reflector (난반사체를 이용한 다이오드 횡여기 Nd:YAG 레이저의 매개변수 연구)

  • 이성만;김선국;윤미정;문희종;김현수;고도경;차병헌;이종민
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 2000.08a
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    • pp.222-223
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    • 2000
  • 지금까지 gold-coated 반사체, cusp-shaped 반사체, 복합 포물 반사체(CPC), 난반사 공동체 등 다양한 형태의 반사체가 횡펌핑을 이용한 Nd:YAG 레이저의 개발을 위하여 고안되어졌다. 횡여기되는 Nd:YAG 레이저의 광학적 효율은 반사체의 형태, 다이오드 레이저의 파장, Nd:YAG 결정의 지름, Nd$^3$의 도핑농도에 따라 영향을 받는다.$^{(1)}$ 본 연구에서는 고출력의 횡여기 Nd:YAG 레이저를 개발할 목적으로 광여기 공동으로 사용된 난반사 공동체의 내부지름과 레이저 매질인 Nd:YAG 결정의 흡수계수 등 매개변수를 변화시켜 흡수분포와 출력을 계산하였으며, 이러한 매개변수들이 기울기 효율에 미치는 영향을 수치 해석적으로 연구해 보았다. 광선추적법에서 사용한 매개변수 중에서 다이오드 레이저의 파장은 808 nm이고, 반사율은 90%이며, 여기 다이오드 출력은 1080 W이다. 난반사 공동체$^{(2)}$ 의 반사율은 95.7%이고, 결정의 투과율은 90%이며, 결정의 반지름은 2.5 mm이다. 사용된 여기 구조도는 그림 1과 같다. 여기헤드는 Nd:YAG 결정, 난반사 공동체, 그리고 3개의 360 W급 다이오드 어레이들로 구성되어 있다. (중략)

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Design of General Audio Optical Pick-up Using Hologram Laser Diode (홀로그램 레이저 다이오드를 이용한 일반 오디오용 광학픽업 설계)

  • 최영석
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics T
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    • v.35T no.3
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    • pp.1-8
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    • 1998
  • In this paper, the optical pick-up used for general audio/video players having more market share than the others is designed with 4-wire suspension type actuator and the hologram laser diode which laser diode, photo diode, beam splitter, and grating lens are integrated in. This optical pick-up is designed in very simple optical system with the characteristics of hologram laser diode. Thus, it has high productivity, the number of the parts is reduced, and also the shape of the assembling parts becomes simple.

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Fabrication of deflector integrated laser diodes and light deflection (광 편향기 집적 레이저 다이오드의 제작 및 광의 편향)

  • 김강호;권오기;김종회;김현수;심은덕;오광룡;김석원
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.15 no.2
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    • pp.171-176
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    • 2004
  • A light deflector integrated laser diode(LD) was fabricated and the characteristics of LD and ourput beam deflection as a function of deflector injection current were measured. To integrate the deflector with LD, a passive waveguide was integrated with the LD and a triangular-type light deflector was fabricated on the upper clad of the passive waveguide section. Light deflection from the fabricated light deflector is controlled by the effective refractive index variation induced by carrier injection. To characterize the effect of the deflector injection current, threshold current, slope efficiency, and output beam spectrum were measured as a function of deflector injection current. From these measured data, the increment in the threshold current and the decrement of the slope efficiency were observed. However, the output beam spectrum was not affected by the deflector. The Beam Propagation Method(BPM) was used to simulate the proposed device and the light deflection was measured by the far-field pattern of the output beam as a function of the deflector injection current. In the fabricated deflector integrated LD, the deflection angle of 1.9$^{\circ}$ at the injection current of 15 ㎃ was obtained.

Comparisons of lasing characteristics of InGaAs quantum-dot and quantum well laser diodes (InGaAs 양자점 레이저 다이오드와 양자우물 레이저 다이오드의 특성 비교)

  • Jung, Kyung-Wuk;Kim, Kwang-Woong;Ryu, Sung-Pil;Cho, Nam-Ki;Park, Sung-Jun;Song, Jin-Dong;Choi, Won-Jun;Lee, Jung-Il;Yang, Hae-Suk
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.16 no.5
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    • pp.371-376
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    • 2007
  • We have investigated the lasing characteristics of the InGaAs quantum dot laser diode (QD-LD) and InGaAs quantum well laser diode (QW-LD) operated at the 980 nm wavelength range. The 980-nm lasers are used as a pumping source for a erbium-doped fiber amplifier (EDFA) and it shows high efficiency in long-haul optical fiber network. We have compared the threshold current density, the characteristic temperature, the optical power and the internal efficiency of QD-LD and QW-LD under a pulsed current condition. The QD-LD shows superior performances to the QW-LD. Further optimization of a LD structure is expected to the superior performances of a QD-LD.

반절연 InP를 이용한 초고속 DFB 레이저 다이오드의 제작 및 특성 연구

  • 주홍로;김형문;김정수;오대곤;박종대;김홍만;편광의
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 1995.06a
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    • pp.11-17
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    • 1995
  • 반절연 InP를 전류 차단층으로 사용하는 초고속 변조 Distributed Feedback (DFB) 레이저의 다이오드를 제작 하였다. Grating이 형성된 InP 기판에 유기금속 증착법 (MOVPE)을 사용하여 다중 양자 우물 구조 성장 시켜 메사구조를 연성 한후, 전류 차단층으로 반절연 InP를 성장 하였다. 제작된 레이저 다이오드는 평균 문턱전류 10 mA, 기울기효율 14%이며, 30mA 구동 전류에서 10GHz 이상의 3dB 대역폭 특성을 보였다.

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Characteristics of Visible Laser Diode and Its Injection-Locking (가시광 다이오드 레이저의 스펙트럼 및 주입-잠금 특성분석)

  • 남병호;박기수;권진혁
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.5 no.2
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    • pp.278-285
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    • 1994
  • We investigated the spectral characteristics for temperature and driving current change in visible laser diode. As a result of spectrum analysis, the ratio of frequency change for temperature and driving current change were about $33 GHz/^{\circ}C$, 6.6 GHz/mA in the region which was not mode hopping range. Compared to the sharp mode hopping in the near IR single mode AlGaAs lasers, the visible laser diode showed relatively broad multimode operation in the mode hopping region. We performed the experiment of injection-locking characteristics analysis for visible laser diode. Locking half bandwidth(LHBW) was measured 0~5.0 GHz for $0~25\muW$ input power and it was dependent on the input power. Also, LHBW for polarization angle was dependent on the difference of polarization angle between master laser and slave laser. The phase change of injection-locked output beam of the slave laser diode as a function of the drive current was measured in the interferometer which was composed of master laser and slave laser. The ratio of phase change with the slope of 5.0~1.3 rad/mA was obtained within injection-locking range for the change of $2~25\muW$ input power. power.

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Design of High Power Laser Diode Driver (고출력 레이저 다이오드 드라이버 설계)

  • Kim, Young-Keun;Yeom, Jin-Su;Hwang, Dae-Seok;Ryu, Kwang-Ryol;Hur, Chang-Wu
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2008.10a
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    • pp.104-107
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    • 2008
  • 고출력 레이저 다이오드는 소형화되면서 생산 단가가 낮아지는 것에 비해 출력은 점점 더 커지고 있기 때문에 많은 산업 응용 분야에 확대되고 있다. 본 논문에서는 고출력 레이저 다이오드의 안정성과 고정된 출력 파워의 광원을 제공하기 위한 설계의 목적이 있다. 안정된 정전류를 위하여 온도와 전류의 안정성이 중요하다. 이를 위하여 본 연구에서는 레이저 다이오드 내부의 온도센서와 TEC(Thermo Electric Cooler)를 이용한 온도제어 회로를 구성하였다. 이들을 제어하기 위하여 A/D, D/A 컨버터와 마이크로프로세서를 사용하였으며, 정전류 50A일 때 35W 출력과 온도 범위는 ${\pm}0.5^{\circ}$로 설계를 하였다.

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Frequency Stabilization of Diode Laser with ULE Reference-cavity and AOM (ULE 기준공진기와 AOM을 이용한 다이오드 레이저의 주파수 안정화)

  • 박완일;최용석;안경원
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 2000.08a
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    • pp.202-203
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    • 2000
  • 단원자를 이용한 Cavity-QED실험을 위해서는 고분해능 분광학이 필수적 요소이며, 이에 따라, 좁은선폭의 레이저가 필요하게 된다. 본 실험에서는 기준공진기를 이용한 전류되먹임방법의 1단계와, AOM(Acousto Optic Modulator)을 이용한 주파수 보정의 2단계를 거쳐 다이오드 레이저의 주파수를 안정화하였다. (중략)

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Optogalvanic Spectroscopy of U, Th and Rb using Diode Lasers (반도체 다이오드 레이저를 사용한 U, Th 및 Rb 의 Optogalvanic Spectroscopy 에 관한 연구)

  • Lee, Sang Cheon
    • Journal of the Korean Chemical Society
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    • v.38 no.1
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    • pp.34-40
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    • 1994
  • First observation of uranium using a diode laser was published recently. The experiment was performed by the optogalvanic spectroscopy using diode lasers. A laser source causes the current change in a hollow cathode discharge lamp when metal atoms in plasma absorb the diode laser light. The optogalvanic signal is collected by detecting the current change. This work is the extended investigation of our previous research, the uranium detection using a diode laser. New electronic transitions of uranium and thorium in 775∼850 nm were investigated using diode lasers. In addition, the Rb(Ⅰ) optogalvanic spectra at 780.02 nm and 794.76 nm were studied. The Rb(Ⅰ) spectrum at 780.02 nm showed the isotopic features and hyperfine splittings. This work provides a key idea that the diode lasers are useful in the specrochemical analysis of the radioactive actinides that have a rich spectrum with transitions which can be easily reached with AlGaAs diode lasers. Also, this study shows that the diode lasers can be an important tool to find the spectroscopic parameters of actinides and rare earth elements which have not known.

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다이오드 레이저로 들띄운 Nd:YAG 레이저의 제2차 고조파 발진 문턱에서 on-off 간헐성 현상

  • 김동익;김규욱;고명석;김칠민
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 2000.02a
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    • pp.42-43
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    • 2000
  • 레이저 시스템에서의 혼돈에 관한 연구는 Q-스위칭 레이저$^{(1)}$ , 모드록킹 레이저$^{(2)}$ 그리고 Nd:YAG 레이저의 제2차 고조파에서$^{(3)}$ 실험적으로 수행되었다. 또한 이러한 실험적인 결과들을 레이저 비율 방정식을 사용하여 이론적으로 분석하고자 하는 방법들이 보고되었다.$^{(4-6)}$ 그러나 이러한 노력에도 불구하고 여전히 비율 방정식만으로는 만족스럽게 설명하지 못하는 레이저 혼돈 현상들이 많이 존재한다. 레이저시스템에서 알려지지 않은 현상들 중 하나가 발진 문턱 근처에서의 행동이다. 레이저 시스템은 양자 잡음, 펌핑 잡음 등에 의한 잡음 현상들을 나타내는데, 이것들은 때때로 특히 발진 문턱에서의 레이저 동작에 중요한 역할을 한다. 그러한 경우 잡음에 관한 정확한 정보를 가지고 있지 않는 한 비율 방정식만으로 혼돈 현상들을 설명하기란 매우 어려운 일이다. 발진 문턱 근처에서의 레이저 출력에 관한 혼돈 현상은 최근에 수행된 연속 발진 Nd:YAG 레이저와$^{(7)}$ Q-스위칭 Nd:YAG 레이저를$^{(8)}$ 제외하면 보고된 것이 거의 없다. 본 논문에서는 작은 주기적인 변조가 가해진 다이오드 레이저로 들띄운 Nd:YAG 레이저의 내부 발생형 제2차 고조파의 출력이 나타내는 혼돈 현상이 바로 on-off 간헐성임을 보여주는 실험결과를 보고하고자 한다. (중략)

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