• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.418-418
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• 2010

최근 친환경 저전력 차세대 조명소자로 발광다이오드가 각광을 받고 있다. 하지만 종래의 수평형 발광다이오드는 사파이어 기판의 열악한 열전도도 및 전기전도도 특성으로 인하여 효율적인 열방출의 저하가 생기게 되고, 양전극과 음전극의 수평배치에 기인한 심각한 전류쏠림현상 등이 수평형 발광다이오드의 고전력 소자로서의 응용에 걸림돌로 작용하고 있다. 근래에 수평형 발광다이오드의 대안 중 하나로 수직형 발광다이오드에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 수직형 발광다이오드에서는, 수평형 발광다이오드에서의 전류쏠림현상을 향상시키기 위해 얀전극과 음전극을 수직으로 배치시킨다. 그리고 열전도도 및 전기전도도 특성이 떨어지는 사파이어를 제거하기 위해 LLO(Laser Lift Off)공정이 사용된다. LLO공정으로 인해 수직형 발광다이오드의 구조는 수평형 발광다이오드와 달리 n-GaN이 위로 배치되는 특성을 가진다. 본 연구에서는, 수직형 발광다이오드의 광추출 효율을 증가시키기 위해 SiO2 나노입자를 이용한 GaN 표면요철 형성기술을 개발, 적용 하였다. SiO2 나노입자를 n-GaN상에 단일층으로 분산시키기 위해 PR(PhotoResist), 나노입자, IPA(Isopropyl Alcohol)이 혼합된 용액을 스핀코팅시켰고 그 결과를 SEM으로 확인할 수 있었다. GaN 식각을 위해 SiO2 나노입자를 마스크로 사용하였고, BCl3가스를 사용한 건식식각을 진행하였다. 그 결과 조밀하고 균일한 크기의 Cylinderical Trapezoid 식각 형상이 n-GaN표면에 형성되었음을 SEM으로 확인할 수 있었다. 우리는 표면요철이 없는 발광다이오드와 SiO2 나노입자를 이용한 표면요철이 형성된 발광다이오드의 특성을 비교하였다. 그 결과 표면요철이 있을 때 광출력이 증가함을 확인할 수 있었다. 거기에 더하여 표면요철의 높이가 300nm~1000nm로 변화함에 따른 소자의 특성변화 또한 관찰할 수 있었다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.14 no.2
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• pp.127-132
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• 2003

This paper presents a new model that can precisely simulate the attenuation characteristics of the voltage-controlled PIN diode attenuators. After carefully investigating the problems in the conventional PIN diode models, a new PIN diode model was proposed and verified with experimental data. The proposed model is well operated when it is used in the voltage-controlled mode as well as current-controlled mode, and is simple and straightforward model, since the PN junction diode of this model has the same curve as that of the PIN diode. This model is very effective to design voltage-controlled attenuator and its implementation in commercial simulators is simple and accurate. This model will allow RF and Microwave designers to better use the PIN diodes in various circuits.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.130-130
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• 2010

고출력 레이저 다이오드는 광 디스크, 고체 레이저 여기, 광섬유 증폭기, 레이저 프린터, 위성 간 통신 등의 여러분야에 응용되고 있고. 고효율, 저가격, 초소형등과 같은 장점으로 수요가 점점 증가하고 있다. 최근 레이저 다이오드의 광출력 향상 및 열적 안성성를 위해 양자점(Quantum Dot) 응용에 대해 많은 연구가 진행되고 있다. 양자점 기반 레이저 다이오드는 전자가 3차원으로 구속되어 있어 열적 안정성이 우수할 뿐만 아니라 낮은 문턱전류밀도로 인해 열 발생이 적어 광출력 감소 현상을 지연시킬 수 있다. 또한 발광면에서의 재결합 확률이 낮아 표면재결합에 의한 신뢰성 열화 문제를 해결할 수 있어 고신뢰성의 레이저 다이오드를 개발할 수 있다. 고출럭 808 nm 양자점 레이저 다이오드 개발을 위해서는 레이저 다이오드의 활성 영역인 양자점 구조에 대한 연구가 필수적이다. 본 연구에서는 최적화된 고출력 808 nm 양자점 레이저 다이오드 에피 성장을 위해 에피 구조에 대한 2D 시뮬레이션을 수행하였고, 양자점 밀도 및 에피층 변화에 따른 최적 양자점 구조에 대한 연구를 수행하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2015.07a
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• pp.970-971
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• 2015

본 논문에서는 도서지역 디젤발전기 브러시레스 여자기 회전형 다이오드 전류실패에 대한 모니터링 및 감시방법에 대하여 기술하였다. 회전형 다이오드의 전류실패는 다이오드가 개방되거나, 단락되었을 때 발생하게 된다. 브러시레스 여자기 회전형 시스템은 다이오드가 발전기 회전축에 부착되어 운전되므로 외부에서 직접 고장에 대하여 모니터링 할 수 없고 간접적인 방법을 사용하여야 한다. 본 논문에서는 간접 감시방법들 중에 여자기 계자전류의 고조파 성분을 분석하여 다이오드의 상태를 알 수 있는 방법을 사용하였으며, 실제 여자시스템의 회전 다이오드 모니터링 설비를 제작하여 시험을 실시하고, 모니터링 상태를 확인하였다. 향후 브러시레스 여자시스템을 사용하는 발전소에 확대 적용하여 시스템의 신뢰성 있는 운전에 기여할 것으로 기대하고 있다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2009.05a
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• pp.27.2-27.2
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• 2009

현재 질화물 계 발광다이오드는 액정소자의 백라이트유닛, 모바일폰, 차량용램프, 교통신호등 등 다양한 장치의 광원으로 사용되고 있으며, 그 응용분야는 앞으로도 크게 확대되는 추세에 있다. 이는 발광다이오드의 저전력, 장수명, 친환경적인 장점에 의한 것으로, 일반 조명용 광원으로 사용하기 위한 기술개발이 활발히 진행 중이다. 하지만 질화물 계 발광다이오드를 미래의 조명용 광원으로 사용하기 위해서는 광출력이 보다 향상되어야 한다. 발광다이오드의 광출력을 저하시키는 요인으로는 다양한 문제점이 있지만 특히 낮은 광추출특성으로인한 광출력저하 문제를 해결해야 한다. 본 연구에서는 질화물 계 발광다이오드의 광추출특성을 향상시키기 위해서 나노임프린트 리소그래피 공정을 도입하였다. UV 나노임프린트 리소그래피 공정을 통해서 p형 질화갈륨 및 인듐주석산화물 투명전극 층에 sub-micron 급 광결정패턴을 형성하였으며, 광루미네선스와 전기루미네선스 측정을 통하여 광결정패턴으로 인한 광출력 특성을 분석하였다.

• KIPE Magazine
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• v.14 no.1
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• pp.34-39
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• 2009

2001년 1세대 SiC 쇼트키 다이오드의 상용화는 고압 다이오드의 Zero 스위칭손실를 가능하게 하여 기존의 CCM(continuous-current mode) PFC의 효율한계를 극복 시킬수 있었다. 2005년 서지전류와 애벌런치 내량을 향상시킨 2세대 SiC 쇼트키 다이오드는 적용의 범용성을 확대 시켰다. 2009년 전력내량이 증대된 3세대 다이오드는 이상적인 다이오드의 현실화를 위해 한발 더 나아가게 하고 있다. 본고에서는 이러한 노력을 경주해온 인피니언의 SiC 전력반도체 소자의 기술 및 개발 현황을 소개한다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 1990.07a
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• pp.133-138
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• 1990

점접촉 MIM (Metal-Insulator-Metal) 다이오드는 레이저 광속의 검출기, 고조파 발생기 및 믹서로 사용되며, 그 검출범위가 수십 THz의 주파수 영역까지 가능하다. 이러한 MIM 다이오드의 여러사기 변수들에 대한 감응도를 측정하였으며, 이들의 특성을 조사하기 위한 관원으로는 10P(36) line의 CO2 레이저 광속을 이용했다. 또한 제작된 점접촉 MIM 다이오드를 이용하여 두 CO2레이저 사이의 주파수 차이에 의한 맥놀이 주파수를 측정하였다. 그리고 MIM 다이오드에서 발견된 초퍼의 초핑 주파수에 의한 비선형 현상을 논하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 1999.11a
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• pp.543-551
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• 1999

본 연구는 광 전송 시스템에 레이저 다이오드의 안정되고 고정된 출력 파장의 광원을 제공하기 위한 것이다. 레이저 다이오드를 구동하기 위하여 안정된 정전류 회로를 설계하려 했으며, 레이저 다이오드 자체의 온도센서와 TEC(Thermo Electric Cooler)를 이용하여 레이저 다이오드 내부의 온도를 제어하는 온도 제어 회로를 구성하였다. 또한 광 출력에 Wavelength Locker를 이용하였다. 최종적으로 이들을 제어하기 위하여 A/D, D/A 컨버터와 마이크로 프로세서를 사용하였다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2003.07a
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• pp.86-87
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• 2003

단일 소자로 외부의 제어회로를 통해 여러 파장으로 발진파장을 제어할 수 있는 파장가변 레이저 다이오드는 고정된 파장으로 발진하는 레이저 다이오드에 비해 여러 경제적 이점을 가지며 보다 유연한 광 네트워크의 구성이 가능하게 한다. 이러한 이유로 현재까지 다양한 구조의 파장가변 레이저 다이오드가 제안되고 개발되어 왔다. 본 논문에서는 새로운 구조의 광대역 파장가변 레이저 다이오드를 제안하였다. (중략)

• Optical Science and Technology
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• v.14 no.3
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• pp.3-7
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• 2010

발광 다이오드가 처음 만들어진 것은 100년 전으로 거슬러 올라간다. 이 글은 100년 전 발광 다이오드가 우연히 발견된 이후부터 현재 없어서는 안될 귀중한 고출력/고효율 대체 조명용 광원으로 인식되기까지의 역사를 돌아보고자 한다. 또한 앞으로 기대되는 발광 다이오드의 발전가능성과 응용성에 대해서도 다루고자 한다.