• Title/Summary/Keyword: 다결정 재료

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Ion doping effect on the $Nd:YVO_4$ CW laser crystallized poly-Si film ($Nd:YVO_4$ CW 레이저로 결정화한 다결정 실리콘 박막의 이온도핑 연구)

  • Kim, Eun-Hyun;Kim, Ki-Hyung;Park, Seong-Jin;Ku, Yu-Mi;Kim, Chae-Ok;Jang, Jin
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2005.05a
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    • pp.76-79
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    • 2005

  • $Nd:YVO_4$ 연속발진 레이저(CW laser:Continuous wave laser)로 제작한 다결정 실리콘 박막의 이온도핑 효과를 조사하였다. PECVD로 증착한 비정질 실리콘 박막을 CW 레이저를 조사하여 결정화한 후 $B_2H_6$ 플라즈마 이온 도즈량을 변화시켜 이온 도핑을 하고 급속열처리 방법과 퍼니스 어닐링 방법으로 도펀트 활성화를 하였다. 이온 도핑된 CW 다결정 실리콘 박막의 이온 도즈량에 따른 판저항 변화를 비교하고, 급속열처리(RTA: Rapid Thermal Annealing)와 퍼니스 어닐링(FA: Furnace Annealing) 전후의 결정성 변화를 라만 스펙트럼(Raman spectrum) 을 통하여 분석하였다. 이온 도즈량이 증가함에 따라 판저항은 감소하고, 어닐링 후 이온 도핑에 의해 손상된 박막이 복원됨을 확인 할 수 있다.

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Reduction of Oxygen Concentration in the LPCVD Polysilicon Films Deposited by $N_2$ Gas-Flow Method ($N_2$ 가스 Flow에 의한 LPCVD 방법으로 증착된 다결정 실리콘 박막의 산소농도 저하)

  • An, Seung-Jung;Jeong, Min-Ho
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.9 no.3
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    • pp.269-273
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    • 1999

  • Polycrystalline silicon films are generally deposited by LPCVD, utilizing the thermal decomposition of $SiH_4$ gas. When silicon wafers are loaded into the furnace in order to reduce oxygen concentration of the films, we flow 20slm N, gas from top to bottom of the furnace, and then deposit films of $1000\AA$ thickness to measure oxygen concen­tration by SIMS. As a consequence of SIMS, we obtain oxygen concentration in films lower about 30 times than that of films deposited with 20slm $N_2$ gas-flow through the short injector in the hatch of furnace. In our long injector system, we estimate a reproducibility by uniformity, particle, and Rs of the deposited films.

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Effect of powder phase during SiC single crystal growth (탄화규소 단결정 성장시 원료분말 상(Phase)의 영향)

  • Kim, Kwan-Mo;Seo, Soo-Hyung;Song, Joon-Suk;Oh, Myung-Hwan;Wang, Yen-Zen
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2004.11a
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    • pp.214-217
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    • 2004

  • 숭화법을 이용한 탄화규소(Silicon carbide) 단결정 성장시 사용되는 원료의 상(phase)이 단결정 성장에 미치는 영향을 알아보기 위해 알파형 탄화규소 분말(${\alpha}-SiC$ powder)과 베타형 탄화규소 분말(${\beta}-SiC$ powder)을 각각 사용하였다. 알파형 탄화규소 분말을 사용한 경우에 단결정(single-crystal)을 성장할 수 있었으나, 베타형 탄화규소 분말을 사용하였을 때에는 다결정(poly-crystal)이 성장되었다. 다결정 형성요인에 관한 EPMA 분석결과, 베타형 탄화규소 분말의 탄소에 대한 실리콘의 원소조성비$(N_{Si}/N_C\;=\;1.57)$가 알파형 탄화규소 분말의 경우보다$(N_{Si}/N_C\;=\;0.81)$ 높음을 확인하였다. 따라서 흑연도가니(crucible) 내부의 실리콘 원자가 알파형 탄화규소 분말을 사용하는 경우보다 높은 과포화상태가 되어 종자정 표면에 미세한 실리콘 액적(droplet)이 중착되고 이것으로부터 일정하지 않은 방향성(random orientation)을 갖는 탄화규소 다결정(다양한 방향성을 갖는 다형 포함)이 성장한 것으로 실리콘과 탄소 원소에 대한 EPMA 지도(map) 결과를 통해 확인할 수 있었다.

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Analysis of Mechanical Response of Two-phase Polycrystalline Microstructures with Distinctive Topology of Phase Clustering (2상 다결정 미세구조의 상 분포 위상에 따른 역학적 거동 분석)

  • Chung, Sang-Yeop;Han, Tong-Seok
    • Journal of the Computational Structural Engineering Institute of Korea
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    • v.24 no.1
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    • pp.9-16
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    • 2011

  • An approach to understand the phase distribution in a multi-phase polycrystalline material is important since it can affect material properties and mechanical behaviors. A proper method is needed to describe the phase distribution. For this purpose, contiguity and probability functions(two-point correlation and lineal-path functions) are investigated for representing the phase distributions of microstructures. The mechanical behaviors are evaluated using the finite element method. The characteristics of probability functions and mechanical reponses of virtual samples are represented. It is confirmed that the topology of phase clustering affects the mechanical behavior of materials and that the strength is reduced as the clustering size increases.

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