• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 추계학술발표대회
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• pp.35.2-35.2
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• 2009

최근 전세계적으로 저탄소, 녹색성장으로 인하여 원자력발전이 주목받고 있다. 또한 에너지의 고효율로 인한 발전소의 설비가 대형화가 됨에 따라 발전소의 수명평가와 건전성평가가 중요해지고 있다. 일반적으로 구조물 내에 존재하는 균열의 크기와 형상을 파악하여 피로균열전파속도를 평가함으로써 건전성평가를 확인하고 있다. 그리고 고온, 고압에서의 피로균열전파속도는직류전위차 (Direct Current Potential Drop : DCPD)법을 사용하고 있다. DCPD법은 균열의 정밀한 측정방법으로써 측정시 오차가 발생하기 때문에 ASTM에서 제시된 incremental polynomial 법을 권고하고 있다. 따라서 본 연구에서는 피로균열전파전파속도의통계적처리를 통해서 합리적인 곡선을 구하여 건전성평가에 활용하고자 한다. 실험에 사용된 시편은 두께 5mm, 폭 25.4mm CT시편을 사용하였으며, 1mm의 예비균열을 주었다. 그리고 실험온도는 상온에서 실시 하였으며, 주파수는 10Hz를 주었다. 그리고 DCPD 측정을 위해 5A의 전류를 주었으며, 이때 측정된 전압값을 ASTM에 제시된 관계식에넣어 균열길이로 환산하였으며, 데이터처리는 ASTM에 제시된 incremental polynomial법을 기본적으로 사용하였다. 또한 ASTM에 제시된 2n+1을 이용하여 데이터의 수 n을 1~7 까지 변화를 주어 3~15 point 까지 데이터를 처리하여곡선을 제시하였다. 분석결과 $R^2$값이 1을 기준으로 했을 때 3~7 point 까지는큰 차이를 보이지 않았지만 9-point 이후부터는 $R^2$ 감소함을 알 수 있었다. 또한 적용된 데이터의수에 따라 피로군열전파속도 곡선에서 측정된 Paris law의 n값과 C 값은 큰차이를 보이지 않았다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 추계학술발표대회
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• pp.40.1-40.1
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• 2009

생체용 금속 임플란트의 표면개질은 생체활성화를위하여 오래 전 부터 관심을 가지고 연구해오고 있다. 최근에 표면개질을위하여 화학적 에칭, 샌드 블래스팅, 또는 나노튜브형성등 표면에 임의의 요철을 만들어서 사용하는방법이 가장 일반적으로 적용되어 상용화되고있다. 그러나 샌드블래스팅이나 화학적 에칭은 가공은 쉽지만 가공표면에 인체에 해로운 잔류물의존재로 생체적합성에 해로운 영향을 미칠 수 있다. 이러한 문제점들을 해결하기위하여 레이저를 사용하여 임플란트 표면을 개질한 예가 보고 되었다. 레이저를 사용한 표면처리 방법의큰 장점은 잔류물이 남지 않고 비교적 표면 거칠기의 제어가 용이하다. 금속합금의 표면개질에사용되는 레이저는 주로 Nd:YAG 레이저의 파장을 반으로 줄인 녹색레이저 ($\lambda$=532nm)를 사용하거나, 자외선파장영역의레이저를 사용하는 경우가 일반적으로 가장 보 편화된 가공방법으로 연구되었다. 표면의 거칠기는 수마이크로의크기와 수십나노의 크기를 갖는 표면을 생체적합적인 측면에서 요구하고 있다. 따라서 이러한 표면의 거칠기를조절할 수 있는 펨토레이저를 사용하여 표면에 균질한 표면의 텍스춰링을 통하여 그 특성을 개선할 수 있는지를 확인하는 것이 본 과제이다. 본 실험에서는 Ti합금을 진공 아크로를 이용하여 3원계합금을 제조하고 $1000^{\circ}C$에서 24시간 열처리 후 급냉(water quenching)하였다. 열처리 후 시편은 두께 2mm로 절단 하여 #2000까지 연마 후 하여 펨토 초(10-15 second) 펄스폭 대역을 갖는 레이저를 이용하여 수마이크로 크기의 미세 요철을 표면에 형성한 후, 표면의 특성을 조사해 보았다.(NRF-2009-0074672)

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 춘계학술대회 논문집 전자세라믹스 센서 및 박막재료 반도체재료 일렉트렛트 및 응용기술
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• pp.22-25
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• 2000

ZnS:Cu,Cl 형광체의 여기 및 발광 스펙트럼 측정 결과 주게인 $Cl^-$ 이온과 받게인 $Cu^+$ 이온 사이의 흡수와 발광에 기인하는 peak과 국소화된 발광 중심인 $(CU_2)^{2+}$ 이온의 흡수와 발광에 기인하는 peak이 관측되었다. CuCl의 첨가량이 증가함에 따라 $Cu^+$ 이온의 농도가 증가하게 되어 $(Cu_2)^{2+}$ 이온에 기안하는 발광으로부터 공명 에너지 전달 (Resonant Energy Transfer)의 확률이 높아지기 때문에 513 nm를 중심으로 하는 발광의 세기가 증가하게 된다. 자체 제작한 ZnS:Cu,Cl 형광체를 이용하여 제작한 소자의 휘도 측정결과 400 Hz, 100 V 에서 CuCl 의 첨가량이 0.2 mole% 일 때 휘도가 최대였고, 진동수가 증가함에 따라 휘도가 포화되는 현상이 나타났다. CuCl의 첨가량이 증가함에 따라 513 nm를 중심으로 하는 발광이 강해지고 CIE 좌표값이 녹색영역으로 이동하게 된다. 진동수가 증가하면 인가된 전압의 유지 시간이 짧아지게 되어 발광의 감쇄시간이 긴 513 nm를 중심으로 하는 발광보다 감쇄시간이 짧은 458 nm를 중심으로 하는 발광이 강해지게 되고, CIE 좌표값이 청색영역으로 이동하게 된다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.19-19
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• 2003

에디슨 전구가 발명된 지 1 세기가 지난 지금, 반도체 기술에 의해 또 다른 빛의 혁명이 시작되고있다. 고출력 백색 LED를 이용한 반도체 조명이 그 주역이다. 종래의 단순 표시기에서 사용되었던 저휘도 LED가 이제는 빛의 3원색인 적색, 녹색 및 청색뿐만 아니라, 모든 가시광선의 영역과 나아가서는 자외선 영 역까지 고출력 LED 구현이 가능하게 되었고, 또한 빛의 3원색을 결합시킨 백색 LED의 광효율이 획기적으로 증가함에 따라 차세대 조명기기에의 응용이 눈앞에 다가오고 있는 실정이다. 이와 같은 기술의 변화의 파라다임은 과거 진공관 시대가 트랜지스터 시대로 변모되었고, 현재 CRT 모니터 시대에서 LCD 모니터 시대로 급변하는 것과 같이, 미래에는 백열전구 시대에서 LED 반도체 조명 시대로 바뀌게 될 것을 기대 할 수가 있을 것이다. LED 반도체 조명은 무엇보다도 기존의 조명기기보다 전력 소모가 매우 적고 10년 이상의 수명을 갖고 있어서 유지보수 측면에서의 효용성, 내구성과 견고성과 더불어 다양한 직접화 및 디자인 등의 많은 장점을 갖고 있어서 빛이 필요한 모든 다양한 분야에서 사용이 가능하기 때문에 그 중요성이 새삼 강조되고 있다. 따라서 현 정부에서는 차세대 성장 동력 산업 38개 사업 중 LED 사업을 그 중 하나의 산업으로 지정만 바가 있다. 본 논문에서는 LED의 개발 역사와 선진국들의 고휘도 및 고출력 LED 신기술 동향을 고찰하며, 시장의 다양한 응용의 예와 LED 반도체 조명을 구현하기 위해 극복해야 할 기술들을 전체적으로 분석하여 제시하고자 한다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제26권4호
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• pp.264-270
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• 2013

$CaMoO_4:Tb^{3+}$ green phosphor powders and thin films were successfully prepared by using the solid-state reaction method and the radio-frequency magnetron sputtering technique, respectively. The crystalline structure of all phosphor powders with different $Tb^{3+}$ ion concentrations was found to be a tetragonal system with the maximum diffraction intensity at $28.58^{\circ}$, while that of the phosphor thin films, irrespective of the type of substrate, was amorphous. As for the phosphor powders, the grain particles showed the chain-like patterns with inhomogeneous size distribution, the excitation spectra were composed of a broad band peaked at 307 nm and two small narrow bands centered at 381 and 492 nm, and the highest green emission spectrum was observed at 0.01 mol of $Tb^{3+}$ ions. As for the phosphor thin films, the average transmittance exceeding 85% was measured in the 400~1,100 nm range and the optical band gap showed a significant dependence on the type of substrate.

• 한국재료학회지
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• 제15권8호
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• pp.496-502
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• 2005

Green-light emitting $BaMgAl_{10}O_{19}:Mn^{2+}$ (BAM:Mn) phosphor particles were prepared by spray Pyrolysis. The effect of reactor temperature and flow rate of carrier gas in the spray Pyrolysis on the morphology, crystallinity and photoluminescence characteristics under vacuum ultraviolet were investigated. The morphology of the as-Prepared Particles obtained by spray Pyrolysis had spherical shape and non-aggregation characteristics regardless of the reactor temperature. The spherical shape of the as-prepared Particles obtained by spray pyrolysis at low temperature disappeared after Post-treatment. On the other hand the as-Prepared Particles obtained by spray Pyrolysis at $1600^{\circ}C$ maintained spherical shape and non-aggregation characteristics after post-treatment at $1400^{\circ}C$ for 3 h under reducing atmosphere. The BAM:Mn Phosphor Particles Prepared by spray Pyrolysis at different reactor temperatures had pure crystal structure and high photoluminescence intensities under vacuum ultraviolet after post-treatment. BAM:Mn phosphor particles prepared by spray Pyrolysis at low How rate of carrier gas had complete spherical shape and filed morphology and high photoluminescence intensity after post-treatment under reducing atmosphere.

• 한국재료학회지
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• 제11권9호
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• pp.759-762
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• 2001

Mg$_2$SnO$_4$having an inverse spinel structure was selected as a new host material of $Mn^{2+}$ activator. The luminescence of the $Mg_2$SnO$_4$:Mn phosphor prepared by the solid-state reaction were investigated under ultraviolet and low-voltage electron excitation. The Mn-doped magnesium tin oxide exhibited strong green emission with the spectrum centered at 500nm wavelength. It was explained that the green emission in $Mg_2$SnO$_4$:Mn phosphor is due to energy transfer from $^4T_1to ^6A_1\;of\; Mn^{2+}$ ion at tetrahedral site in the spinel structure. The optimum concentration of $Mn^{2+}$/ion exhibiting maximum emission intensity by the low-voltage electron excitation was 0.6mol%. ？

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.427-428
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• 2008

New high efficiency green light emitting phosphorescent devices with emission layers of [TCTA/TCTA:TAZ/TAZ]:Ir$(ppy)_3$ have been fabricated and evaluated in this paper. Among the devices having different thicknesses of TCTA:TAZ mixed layer in the total 300$\AA$-thick host of TCTA(80$\AA$)/TCTA:TAZ (50~100$\AA$)/TAZ, the device with host of TCTA(80$\AA$)/TCTA:TAZ(90$\AA$)/TAZ(130$\AA$) showed the best electroluminescent characteristics with the current density of 95 mA/$cm^2$ and luminance of 25,000 cd/$m^2$ at an applied voltage of 10V. The maximum current efficiency was 52 cd/A under the luminance of 400 cd/$m^2$.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권8호
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• pp.659-663
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• 2011

[ $Y_{1-x}BO_3:Tb_x^{3+}$ ]ceramic phosphors were synthesized with changing the concentration of $Tb^{3+}$ at a sintering temperature of $1,100^{\circ}C$ and a reduction temperature of $950^{\circ}C$ by using a solid-state reaction method. The crystal structure, surface morphology, and photoluminescence properties of the phosphors were investigated as a function of $Tb^{3+}$ ion concentration by using XRD (x-ray diffractometer), scanning electron microscopy, and photoluminescence spectrophotometry, respectively. The XRD results showed that the main peak of the phosphor powders occurs at (101) plane. As for the photoluminescence properties, the excitation spectra showed the broad band centered at 306 nm and the emission intensity of the spectra peaked at 543 nm indicated a significant decrease as the concentration of $Tb^{3+}$ ion is increased.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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• pp.378-382
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• 1999

저 전압용 형광체는 최근에 활발히 연구가 진행되고 있으며 가장 대표적인 형광체가 ZnO Zn 녹색 형광체이다. ZnO : Zn 형광체는 자체발광형 형광체로써 ZnO을 환원분위기 하에서 열처리를 함으로써 얻을 수 있다. 본 연구에서는 자발착화 연소반응법(Glycine Nitrate Process)을 이용하여 ZnO : Zn 분말을 합성하고 형광특성 및 분말특성을 알아보았다. 출발물질로는 Zn Nitrate와 Glycine을 이용하였고 자발연소 반웅이 발생하는데 적절한 글리신의 양을 확인하기 위해서 글리신과 양이온의 비를 변화시키며 ZnO를 합성하였다. 그리고 Zn Excess가 생겨난 앙과 그에 따른 형광특성을 관찰하기 위해 $N_2$ 분위기 에서 각기 50$0^{\circ}C$, 75$0^{\circ}C$, 95$0^{\circ}C$의 온도에서 열처리를 행하였다. 제조된 ZnO 분말의 입자형태와 결정상 태는 SEM과 XRD를 이용하여 분석하였고 TG-DTA를 측정하여 열처리온도에 따른 질량감소(Zn excess)를 관찰하였다. 또 Particle size analyzer로 분말의 크기를 알아보았고 형광체로써의 발광특성을 살펴보기 위해 PL을 이용하여 발광피크를 관찰하였다.