• 제목/요약/키워드: 내방사선 센서회로

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내방사선 원전센서 공통 신호처리 모듈 설계 (A design of radiation hardened common signal processing module for sensors in NPP)

  • 이남호;황영관;김종열;이승민
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제19권6호
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    • pp.1405-1410
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    • 2015
  • 본 연구에서는 정상 운전이나 사고 시 발생되는 고방사선 환경에서 다양한 센서에 공통적으로 사용할 수 있는 내방사선 센서 신호처리 모듈을 설계하였다. 개발한 초기 모듈은 센서의 저항(R)과 정전용량(C) 값의 변화를 입력으로 받아 PWM 신호 변조방식으로 처리하도록 설계되었다. 이 모듈은 총 약 12 kGy 방사선 평가시험에서 Full-Scale 대비 ±10 % 오차범위를 가지고 있었다. 오차 발생의 주요 원인은 방사선 피폭량의 증가에 따른 공통회로 내 스위칭 소자의 열화와 이로 인한 펄스폭 변조회로의 듀티 비 증가로 분석되었다. 이 분석결과를 반영한 방사선 내성강화를 위해 방사선에 의한 특성변화를 상쇄하는 회로를 추가하여 재설계하였고, 20.7 kGy 범위의 TID 시험에서 Full-scale 대비 5% 이하 오차로 개선결과를 얻었다.

고에너지 전자빔을 이용하여 저궤도 인공위성의 실리콘 태양센서의 내방사선 특성 연구 (A study on the radiation effect of silicon solar cells in a low Earth orbit satellite by using high energy electron beams)

  • 정성인;이재진;이흥호
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제45권3호
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    • pp.1-5
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    • 2008
  • 본 논문은 고에너지 전자빔을 이용하여 저궤도 인공위성의 실리콘 태양센서의 내방사선 특성 변화를 분석하였다. 일반적으로 저궤도를 선회하는 위성은 반알렌대를 통과하며, 이 안에서 주기적인 운동으로 남극과 북극을 이동하는 하전입자에 의해 전자부품이 쉽게 손상되고 수명이 단축되는 등 악 영향을 받고 있다. 특히 방사선에 의한 SEU (Single Event Upset) 등은 인공위성에 탑재된 반도체 소자의 오동작 유발의 원인이 되고 있다. 본 논문은 한국원자력 연구원의 고에너지 ($300keV{\sim}1MeV$) 전자빔 조사장치를 이용하여 태양전지에 전자빔을 조사하고 이 때 변화되는 각각의 파라미터들에 대한 값을 측정하고자 한다. 이러한 연구는 저궤도 인공위성에서 전력을 생산하기 위해서 사용하는 전력용 태양 전지의 방사능 영향을 이해하는 데도 많은 영향을 줄 수 있을 것으로 기대된다.

상용 반도체 소자를 이용한 내방사선 원전 센서신호 공통회로 연구 (The Study of Radiation Hardened Common Sensor Circuits using COTS Semiconductor Devices for the Nuclear Power Plant)

  • 김종열;이남호;정현규;오승찬
    • 전기학회논문지
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    • 제63권9호
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    • pp.1248-1252
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    • 2014
  • In this study, we designed a signal processing module using a radiation hardened technology that can be applied to the all measurement sensors inside nuclear power plant containment. Also, for verification that it can be used for high-level radiation environment (Harsh environmental zone inside containment of NPP), we carried out evaluation tests for a designed module using a $Co^{60}$ gamma-ray source up to 12 kGy(Si). And, we had checked radiation hardening level that it has been satisfied up to 12 kGy(Si).