Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2004.05a
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pp.72-72
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2004
대부분의 금속 재료는 제조 공정 중에 인장, 압축, 압연, 압출, 인발 등 소성 변형을 수반하는 가공의 단계를 거치게 된다. 가공 단계에서 가해준 변형률 및 이에 따라 형성된 전위구조 등은 생산재의 기계적 성질에 많은 영향을 미친다. 그리고 소성 변형이 수반되는 또 하나의 과정은 피로, 크리프 손상 등의 소성 변형을 수반하게 되는 기계적 손상이다 이러한 기계적 손상에 의해서도 전위가 도입되며, 전위의 집적부위에서 균열이 생성되기도 한다. 따라서 기계적 손상을 비파괴적으로 평가하는데 있어서도 소성 변형의 영향을 파악하는 것이 하나의 중요한 문제가 된다.(중략)
Proceedings of the Korean Society for Agricultural Machinery Conference
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1999.07a
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pp.240-250
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1999
청과물의 수확, 선별 및 포장작업과 운송과정에서 부적절한 처리는 청과물에 기계적 손상을 가하게 되어 청과물의 질적, 양적 손실을 초래하므로 청과물의 상품적 가치를 저하시킨다. 청과물의 기계화 작업 중 손상 및 손실은 주로 기계적 요인에 의하여 발생하며 이는 청과물의 기계적 특성과 밀접한 관계가 있다. 따라서 청과물의 기계적 특성이 구명되면 각종 청과물의 수확, 선별, 및 가공 기계류와 시설을 해당 청과물의 특성에 적합하게 설계 제작 또는 개선하므로써 기기 및 시설을 효율적이고 경제적으로 운용할 수 있으며, 청과물의 기계적 손상으로 인한 손실을 줄이고 그로인한 청과물의 질적 및 양적 보존을 극대화하여 농가소득을 증대시킬 수 있다. (중략)
Proceedings of the Korean Society for Agricultural Machinery Conference
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1999.07a
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pp.251-261
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1999
청과물의 수확, 선별 및 포장작업과 운송과정에서 부적절한 처리는 청과물에 기계적 손상을 가하게 되며 청과물의 질적, 양적 손실을 초래하여 청과물의 상품적 가치를 저하시킨다. 청과물의 기계화 작업 중 손상 및 손실은 주로 기계적 요인에 의하여 발생하며 이는 청과물의 기계적 특성과 밀접한 관계가 있다. 따라서 청과물의 기계적 특성이 구명되면 각종 청과물의 수확, 선별, 및 가공 기계류와 시설을 해당 청과물의 특성에 적합하게 설계 제작 또는 개선하므로써 기기 및 시설을 효율적이고 경제적으로 운용할 수 있으며, 청과물의 기계적 손상으로 인한 손실을 줄이고 그로인한 청과물의 질적 및 양적 보존을 극대화하여 농가소득을 증대시킬 수 있다. (중략)
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.8
no.1
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pp.117-123
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1998
We investigated the effect of mechanical backside damage in Czochralski grown silicon wafer. The intensity of mechanical damage was evaluated by minority carrier recombination lifetime by laser excitation/microwave reflection photoconductivity decay method, photo-acoustic displacement method, X-ray section topography, and wet oxidation/preferential etching methods. The data indicate that the higher the mechanical damage intensity, the lower the minority carrier lifetime, and the photo-acoustic displacement values increased proportionally, and it was at Grade 1: Grade 2:Grade 3 = 1:19.6:41 that the normalized relative quantization ratio of excess photo-acoustic displacement in damaged wafer was calculated, which are normalized to the excess PAD from sample Grade 1.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.8
no.4
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pp.581-586
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1998
We investigated the effect of mechanical back side damage in Czochralski grown silicon wafer. The intensity of mechanical damage was evaluated by minority carrier recombination lifetime by laser excitation/microwave reflection photoconductivity decay method, degree of X-ray diffuse scattering, X-ray section topography, and wet oxidation/preferential etching methods. The data indicate that the higher the mechanical damage intensity, the lower the minority carrier lifetime, and the magnitude of diffuse scattering and X-ray excess intensity increased proportionally, and it was at Grade 1:Grade 2:Grade 3=1:7:18.4 that the normalized relative quantization ratio of excess intensity in damaged wafer was calculated, which are normalized to the excess intensity from sample Grade 1.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.5
no.4
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pp.408-413
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1995
We investigated the effect of mechanical backside damage upon minority carrier recombination lifetime measurement in Czochralski silicon substrate by laser excitation/microwave reflection photoconductance decay method. The intensity of mechanical damage was evaluated by X-ray double crystal rocking curve, X-ray section topography and wet oxidation/preferential etch methods. The data indicate that the higher the mechanical damage intensity, the lower the minority carrier lifetime, and the threshold full width at half maximum value which affect minority carrier lifetime measurement is about 13 secs.
Proceedings of the Korean Institute of Navigation and Port Research Conference
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2004.04a
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pp.77-82
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2004
This study presents reliability assessment of merchant ships with focus on hull girder ultimate limit state, taking into account the time-dependent effects of corrosion, fatigue cracking and local denting. Some considerations for establishing a reliability-based repair and maintenance scheme are also made so as to keep a ship's hull girder strength reliability at an acceptable level even later in life.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.9
no.2
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pp.157-161
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1999
We investigated the effect of mechanical back side damage in Czochralski silicon wafer. The intensity of mechanical damage was evaluated by minority carrier recombination lifetime by laser excitation/microwave reflection photoconductance decay ($\mu$-PCD) technique, wet oxidation/preferential etching methods, near surface micro defect (NSMD) analysis, and X-ray section topography. The data indicate that the higher the mechanical damage intensity, the lower the minority carrier lifetime, and NSMD density increased proportionally, also correlated to the oxidation induced stacking fault (OISF) density. Thus, NSMD technique can be used separately from conventional etching method in OISF measurement.
원자력 발전소의 운전환경에 따른 노화손상은 발전소 운전 내력에 연류된다. 통상SCC는 40년 또는 40년 이하의 수명을 가정하여 이에 따른 설계 여유도나 안전 계수를 기초로 하여 설계된다. 그러나 설계여유도나 안전계수는 운전중 변경될 수도 있다. 원자력 발전소 기기의 변경될 수도 있다. 원자력 발전소 기기의 수명평가를 위해서는 초기설계치 및 잔여수명이나 실제 설계치의 변화 등을 평가하여야 한다. 주요 물성치 및 손상 매개변수의 실제 변경 상황은 수명기간 설정에 근간이 된다. SSC의 수명평가를 위해 재료의 노화손상은 철저히 파악되어야 한다. 또한 기계적 하중, 열적하중 등의 노화 촉진요인과 정상운전 및 시험도 노화손상에 영향을 미치므로 이들에 대해 상세 평가를 수행하여야 한다. 수명평가는 운전환경 및 노화촉진요인들과 밀접한 관련이 있으므로, SSC의 수명을 평가하기 위해서는 이러한 복잡한 변수들 사이의 연관관계를 구체적 으로 고려하여야 한다. 그러므로 SSC의 수명을 평가하기 위해서는 이러한 복잡한 변수들 사이의 연관관계를 구체적으로 고려하여야 한다. 그러므로 SSC의 설계, 제작, 설치, 시험, 운전상태 및 보수주기 등에 대한 정보파악이 선행되어야 한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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