탄화규소 반도체에 대한 오옴성 금속 접촉 성질을 조사하기 위해 3종류의 금속 (Ni, Co, Cu)을 세척한 탄화규소 반도체 위에 직접 증착하여 전기적 성질을 조사 비교하였다. 이들 금속에 대한 오옴성 성질은 금속종류 뿐만 아니라 열처리조건에 대해서도 크게 좌우됨을 알 수 있었다. 열처리는 급속열처리 장치를 이용한 진공상태 및 환원 분위기에서 2-step 방법으로 시행하였다. 접합비 저항은 TLM 구조를 만들었으며 면저항$(R_s)$, 접촉저항$(R_c)$, 이동거리$(L_T)$, 패드간거리(d), 저항$(R_T)$ 값을 구하면 접합비저항$(\rho_c)$ 값을 구하여 알려진 계산식에 의해 추정하였다. 가장 양호한 결과는 Cu 금속에 의한 접촉 결과이었으며 접합비저항$(\rho_c)$은 $1.2\times10^{-6}{\Omega}cm^2$의 낮은 값을 얻을 수 있었다. 열처리는 진공보다 환원분위기에서 수행한 시편이 양호한 전기적 성질을 가짐을 알 수 있었다.
유기전계발광소자(OELD)의 성능 향상을 위한 많은 연구가 진행되고 있지만 아직까지 금속전극과 유기발 광층 사이의 접촉저항(Contact Resistance)에 관한 연구는 거의 보고되지 않고 있다. Ohmic 접합에서 접촉 저항은 효율적이고 신뢰성 있는 소자제작에 있어서 간과되어서는 안될 매우 중요한 부분이다. 본 연구에서는 금속전극과 유기발광충 사이의 접촉저항에 관해서 논의하고자 한다. 본 연구에서 제작된 샘플은 금속전극으로 Ag, 유기발광재료로서 Alq$_3$를 사용하였으며, Alq3의 두께를 100 $\AA$에서 500 $\AA$까지 각각 다르게 하여 서로 다른 두께의 유기발광층을 가지는 샘플을 제작하였다. 금속전극의 매트릭스 구조에 의해 형성된 적선의 크기는 3 mm x 2 mm이며, 제작된 샘플의 접촉비저항은 TLM(Transmission Line Measurement) 방법을 이용하여 구하였다. Planar한 TLM model로부터 새로운 vertical model을 유추하였으며, 이를 근거로 접촉저항 및 transfer length 등을 계산하였다. 상온에서 측정된 전체 저항값은 유기발광층의 두께가 증가함 에 따라 증가하는 경향을 나타냈으며, 이 때 계산된 접촉비저항은 1.49$\times$$10^1$$\Omega$-$\textrm{cm}^2$ 이다. 접촉저항은 전극 사이의 거리의 증가에 따라 증가하지만, 측정시간의 thermal budget의 영향으로 상대적으로 전체저항이 감 소하였으나, 저항감소분의 포화에 따라서, 거리에 비례하여 다시 저항이 증가하였다.
본 논문은 정형외과영역인 대퇴부에 고정하여 사용하는 금속판으로 골 고정 골절치료의 유합술 골절치료를 할 수 있도록 구성하였는데, 사용되는 치료방법은 견고하고, 안정적이며, 역동적인 생물학적 금속판으로 고정 골수강 내 고정술을 적용되도록 견고한 골접촉 곡선형 시스템을 분석하였다. 금속판은 두 가지 유형으로 장형과 단형으로 구성되고, 금속판의 굴곡이 구조적이고 기하학적으로 경성 및 강도가 고루 분포하도록 최적화 하였다. 장 플레이트의 골접촉에 따른 곡선형으로 굽힙강도는 11,000N 이고, 단 플레이트의 골접촉에 따른 곡선형으로 굽힙강도는 6,525N 이며, 금속판에 골편간 압박을 주는 인장강도는 $1573N/m^2,\;1539N/m^2$정도이다. 금속판은 곡선부와 금속판부의 두 가지 부분으로 나뉘어져 있는데, 곡선부만 있는 단형과 밑 부분의 금속판이 달려있는 장형으로 진행되며, 곡선부의 단형은 전체적인 Profile이 낮고, 금속판이 달려있는 장형은 슬리브의 일체형으로 Profile보다 약간 높아져서 있다. 본 논문의 결과로 제공되는 것은 Hip Implant의 Revision case에 있어 보완뿐만 아니라 Hip Neck Fracture 경우에 사용되었던 Compression Hip Screw의 사용이 가능할 것으로 예상된다.
온도가 조절되는 회분식 반응기에서 온도와 접촉금속이 Exo-tricyclo[$5.2.1.0^{2,6}$]decane (tricyclodecane, 이하 exo-THDCP로 표기함)의 열안정도에 미치는 영향을 GC/MS로 조사하였다. 그리고 Exo-THDCP와 접촉하는 금속의 특성은 SEM-EDX로 분석하였다. 보관 연료온도 증가 실험에서 exo-THDCP의 분해는 $350^{\circ}C$에서 시작되는 것으로 밝혀졌다. 연료접촉 금속의 경우, 스테인리스 스틸보다 티타늄이 exo-THDCP의 분해에 미치는 영향이 작은 것으로 나타났다.
나노와이어는 센서, 메모리소자, 태양전지등과 같은 다양한 소자로 응용이 되고 있다. Bottom-up 방법으로 길러진 나노와이어들을 금속전극 위에 정렬 및 접합시킬 때, 나노와이어와 금속전극간의 기계적 접합강도와 안정적인 전기적 특성이 매우 중요하다. 본 연구에서는 열압착 공정과 솔더전극(Cr/Au/In/Au, Cr/Cu/In/Au)을 사용함으로써, 나노와이어를 금속전극에 압입시켜 강한 기계적 접합강도와 안정적인 전기적 특성을 얻을 수 있는 공정을 제안하였다. 나노와이어와 금속 전극간의 접합부 분석을 위해 scanning electron microscopy (SEM)와 transmission electron microscopy (TEM)을 이용하였으며, 기계적 특성은 lateral force microscopy (LFM), 전기적 특성은 semiconductor analyzer (Keithley 4200-SCS)를 사용하여 측정하였다. 접합강도 측정결과 lateral force가 나노와이어에 가해질 때 나노와이어가 파괴되는 힘에서도 나노와이어와 금속전극간의 접합부파괴가 일어나지 않았다. 또한 나노와이어와 금속전극간의 전기적 접촉특성은 안정적인 ohmic contact을 이루었다.
n-형 탄화규소 반도체에 대한 구리금속을 이용하여 오옴성 접촉 구조를 제작하였다. 제작된 구리접촉에 대해 후속열처리 조건과 금속접촉 구조에 따른 재료적, 전기적 성질의 변화를 조사하였다. 금속접촉의 오옴성 성질은 금속박막의 구조 뿐 아니라 열처리조건에 대해서도 크게 좌우됨을 알 수 있었다. 열처리는 급속열처리 장치를 이용한 진공상태 및 환원 분위기에서 2단계 열처리방식을 통하여 시행하였다. 접촉비저항의 측정을 위해 TLM 구조를 만들었으며 면저항 ($R_{s}$), 접합저항 ($R_{c}$), 이동거리 ($L_{T}$), 패드간거리 (d), 전체저항 ($R_{T}$) 값을 구하여 알려진 계산식에 의해 접촉비저항 ($p_{c}$) 값을 추정하였다. 진공보다 환원분위기에서 후속 열처리를 수행한 시편이 양호한 전기적 성질을 가짐을 알 수 있었다. 가장 양호한 결과는 Cu/Si/Cu 구조를 가진 금속접촉 결과이었으며 접촉비저항 ($p_{c}$)은 $1.2\times 10^{-6} \Omega \textrm{cm}^2$의 낮은 값을 얻을 수 있었다. 재료적 성질은 XRD를 이용하여 분석하였고 SiC 계면 상에 구리와 실리콘이 결합한 구리 실리사이드가 형성됨을 알 수 있었다.
금속 박막과 PI film 과의 접촉력을 증가시키기 위하여 remote - type modified dielectric barrier discharge (DBD) module을 이용하여 대기압 플라즈마 표면 처리를 실시한 결과, 접촉각이 매우 낮게 형성됨을 관찰 할 수 있었다.
분리판(Bipolar plate)은 MEA 및 GDL의 구조적지지, 연료와 산화제를 공급해 주는 통로역할, 발생한 전류의 수집 및 전달, 그리고 반응 생성물의 수송 및 제거 등의 다양한 역할을 한다. PEMFC 및 DMFC의 분리판에 주로 사용되고 있는 재질은 Graphite 및 금속 물질이다. Graphite는 내부식성이 좋고 가벼워 현재 가장 많이 사용되고 있지만, 가공이 어렵고 깨질 위험이 있으며 두껍고 비교적 값이 비싸다. 금속은 가공성이 좋고 높은 전기 전도도를 가지며 가격이 저렴한 반면, 내부식성이 좋지 않은 단점이 있다. 연료전지를 실용화하는데 있어 중요한 문제 중 하나는 전지 성능의 수명과 경제성이며, 위와 같은 Graphite와 금속의 특성으로 인하여, Graphite 분리판을 금속 분리판으로 대체하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 원가절감을 위한 대량생산공정 중 하나인 염욕질화공정의 도입 및 적용을 위한 목적으로, 다양한 처리조건에 의해서 금속 표면을 처리하였으며, 표면처리된 금속은 부식특성, 접촉저항, 및 내구성 등을 평가하고 이를 통하여 금속계 분리판 적용성에 대해 알아보고자 한다.
금속간 접촉에서의 Passive IMD는 Contact의 비선형 요인에 의해 발생된다고 알려져 있다. 금속접촉을 이루는 RF Conntctor의 PIMD 측정은 측정환경의 변화로 인해 재현성 있는 측정이 어렵다. 본 논문에서는 접촉력, 온도 및 습도로 인한 접촉조건의 변화에 의해 발생하는 PIMD 특성을 연구하고자 4 종류의 도금 재질을 갖는 어댑터를 설계 및 제작하였다. 제작된 어댑터의 PIMD 측정결과. PIMD 수준이 주로 접촉력 및 온도에 영향을 받으며, 측정환경의 명확한 규정이 PIMD의 측정 및 제어에 필수적임을 확인하였다.
목적. 이 연구의 목적은 건강한 치열에서 치실 방법을 사용하여 인접면 접촉을 비교하고, 이를 셀룰로이드 스트립 방법, 금속 스트립 방법과 비교하여, 공간측정에 가장 효과적인 방법을 알아보는 것이다. 재료 및 방법. 건강한 자연치열을 가진 성인 20명(남자 10명, 여자 10명)을 피실험자로 선정하였다. 임상경험 5년 이상의 치과의사 1인이 치실 방법, 셀룰로이드 스트립 방법, 금속 스트립 방법을 이용하여 인접면 접촉을 평가하였다. 치실 방법으로 수집된 자료는 Mann-Whitney U test를 사용하여 95% 신뢰수준 하에서 R 프로그램을 이용하여 분석하였다. 그리고 치실을 이용한 인접면 접촉 평가에 셀룰로이드 스트립과 금속 스트립을 사용한 인접면 접촉의 평가를 비교하였다. 결과. 건강한 치열에서 약 80%에서만 적절한 접촉강도를 유지하고 있었으며, 전치부보다 구치부가 더 적절하게 유지하고 있었다(P < .05). 성별에 따른 접촉강도는 전치부에서는 남성이, 구치부에서는 여성이 적절한 접촉을 하는 것으로 나타났다(P < .05). 일치성 척도인 카파 지수(Kappa index)를 이용하여 치실에서 얻은 결과에 대한 셀룰로이드 스트립과 금속 스트립 실험 결과 간의 일치성을 분석한 결과, 셀룰로이드 스트립을 사용하는 것이 금속 스트립을 사용하는 것보다 더 유리한 것으로 나타났다. 결론. 건강한 치열에서 약 80%에서만 적절한 접촉강도를 유지하고 있었으며, 인접면 접촉의 평가에서 다양한 두께의 셀룰로이드 스트립을 사용한다면 보다 정확한 공간 측정의 가능성이 있을 것으로 생각된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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