1차원 양자 구속 효과로 인해 우수한 전하 전송 특성을 갖는 나노선을 차세대 전자소자에 응용하기 위한 일환으로, 실리콘 기판 상에 동일한 실리콘 나노선을 성장하고 이의 미세구조 특징을 분석하였다. 실리콘 나노선은 Au 시드층을 형성한 후 화학기상증착법을 이용한 VLS (vapor-liquid-solid) 공법으로 성장시켰으며, 시드층의 크기에 따른 나노선의 구조 특성을 이미지 프로세싱을 통해 통계분석하였다. 성장된 실리콘 나노선의 결정구조와 성분을 고해상도 투과전자현미경과 EDAX를 이용하여 분석하였으며, 성장 온도 조건에 따른 나노선의 morphology 특성도 실시하였다. 그 결과 Au 시드층의 성분이 나노선과 기판의 계면에서 상당 부분 잔류함과, 성장된 나노선에는 쌍정 결함(twin defect) 등의 결정구조 변화가 수반됨을 알 수 있었다. 또한 금속 시드층의 평균 입도와 성장 온도 및 소스 가스 유량 조절함으로써 실리콘 나노선의 직경과 길이를 최적화 할 수 있었다. 이를 통해 향후 공정 스케일 다운의 한계 상황에 도달하고 있는 반도체 트랜지스터 소자를 대체할 수 있는 나노선 반도체 소자에 대한 공정기술 개발과 이를 이용한 다양한 응용 분야도 동시에 제시할 수 있게 되었다.
3차원 실장을 하기 위해서 딥핑 방법으로 전기적 신호를 전달할 수 있는 비아를 가진 실리콘 웨이퍼를 제작하였다. 레이저를 이용하여 실리콘 웨이퍼에 개구부가 원형에 가까운 관통 홀을 형성하였다. 관통 홀의 벽에 도금 방법으로 시드 층을 형성하였다. 관통 홀의 충전 금속은 Sn-3.5Ag-0.7Cu 솔더를 사용하였다. 딥핑 방법으로 시드 층과 솔더 사이의 확산 현상 이용하여 전기적 신호를 전달 할 수 있는 비아를 형성하였다. 비아 내부에 일부 기공과 크랙이 발견되기도 했으나 딥핑 방법을 통해서 빠른 시간 내에 비아를 가진 실리콘 웨이퍼를 제작 할 수 있었다.
Ru-Cr은 차세대 반도체 메모리(RAM, MRAM, FeRAM), 헤드(MR, TMR), 캐피시터의 웨이퍼 등에 전극층이나 시드층 형성을 위해 스퍼터링 타겟으로 제조되며, IT산업이 발달함에 따라 수요가 증가하고 있다. 기존의 스퍼터링 타겟은 산처리와 주조와 같은 습식법이 주를 이루었으나, 긴 제조시간과 강산사용의 위험성화 강산폐유의 처리가 문제되고 있다. 최근에는 습식공정을 보완하기 위한 건식법의 연구가 진행 중이며, 합금소재에 대한 건식법의 연구가 필요하다. 본 연구에서는 폐 Ru-Cr 금속합금 스퍼터링 타겟을 Hammer-mill, jet-mill 등 건식으로 분쇄하고 RF-Plasma를 이용하여 소결에 용이한 구형, 고순도 Ru-Cr금속합금분말을 제조하였다.
Basic research on the formation of monolithic glasses from metal alkoxide has been done concerning gelling of silicon alkoxides and dehydration of those gells. The felling time were increased with increasing of Carbon number of alkyl radical of alkoxide and am-ount of water and the lower pH value of water. Large portions of water and organic materials were rem-oved below 25$0^{\circ}C$ and shrinkage of glass took place above 80$0^{\circ}C$ Therefore heating up to 25$0^{\circ}C$ and above 75$0^{\circ}C$ must be done gradually with rate of 0.5$^{\circ}C$/min.
Dynamic characteristics of powder metal is very important to mechanical structures requiring high strength or endurance for impact loading. But owing to distinctive property of powder metal, that is relative, it has been investigated restrictively compared to static characteristics. The objectives of this study is to investigate dynamic characteristics of powder metal and compare it to a fully density material. To find the characteristics, an explicit finite element method is used for simulation of Split Hopkinson Pressure Bar experiment based on the stress wave propagation theory. We obtained a dynamic stress-strain relationship and dynamic behavior of powder metal, as well as the variation of material properties during dynamic deformation.
알칼리토금속이온과 dibenzo-18-crown-6이 디메틸술폭시드, 디메틸포름아미드, 아세토니트릴용매에서 이루는 착물의 안정도상수를 일정한 이온세기에서 $25{\circ}C$와 $35{\circ}C$에서 전기전도도법으로 각각 구하였다. 안정도상수의 순위는 모든 용매에서 $Ca^{2+}이었다. 그 크기는 용매의 염기도에 역으로 비례하였다. 이러한 결과를 이온-공동의 상대적 크기, 용매의 염기도 및 용매화 현상으로 설명하였다.
ZnO 나노로드는 큰 밴드갭 에너지(~3.37 eV)와 60 meV의 높은 엑시톤 결합 에너지(exciton binding energy)를 갖고 있으며, 우수한 전기적, 광학적 특성을 지닌 1차원 나노구조의 금속산화물로서 태양전지 및 광전소자 널리 응용되고 있다. 이러한 ZnO 나노로드를 성장하는 방법 중에 전기화학증착법(electrochemical deposition method)은 전도성 물질위에 증착된 시드층(seed layer)을 성장용액에 담그어 전압을 인가하여 만들기 때문에 기존의 수열합성법(hydrothermal method), 졸-겔 법(sol-gel method)보다 비교적 간단한 공정과정으로 저온에서 빠르게 물질을 성장시킬 수 있는 장점이 있다. 한편, 디스플레이 산업에서 ITO (indium tin oxide)는 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide)로써 가시광 파장영역에서 높은 투과율과 전도성을 가지며, 액정디스플레이, LED (Light emitting diode), 태양전지 등의 다양한 소자에 투명전극 재료로 쓰이고 있다. 또한 최근 ITO를 유연한 PET (polyethylene terephthalate) 기판 위에 증착은 얇고, 가볍고, 휘어지기 쉬워 휴대하기 편하기 때문에 차세대 광전자소자 응용에 가능성이 크다. 본 연구에서는 ZnO 나노로드를 ITO/PET 기판위에 전기화학증착법으로 성장하여, 구조적 및 광학적 특성을 분석하였다. 시드층을 형성하기 위해 RF 마그네트론 스퍼터를 이용하여 ~20 nm 두께의 ZnO 박막을 증착시킨 후, zinc nitrate와 hexamethylenetetramine이 포함된 수용액에 시료를 담그어 전압을 인가하였다. 용액의 농도와 인가전압을 조절하여 여러 가지 성장조건에 대한 ZnO 나노로드의 구조적, 광학적 특성을 비교하였다. 성장된 시료의 형태와 결정성을 조사하기 위해, field-emission scanning electron microscope (FE-SEM), X-ray diffraction (XRD)을 사용하였으며, UV-vis-NIS spectrophotometer, photoluminescence (PL) 측정장비를 사용하여 광학적 특성을 분석하였다.
피리디니움 옥소이소치오시안네이토 몰리브데이트(V)와 아민 카르복실기를 가진 이미노디아세틱액시드 유도체를 반응시켜 아민 카르복실기를 가진 디옥소-디-뉴우-옥소-디몰리브데이트(V) 착물을 합성하였다. 이들에 대한 원소분석, 스펙트라의 해석 그리고 전기전도도의 측정으로 부터 착물의 성질과 그 구조를 추정하였다. 적외선 스펙트라에서 $Mo=O_t$ 신축진동에 기인한 두 개의 흡수띠가 900~$980cm^{-1}$ 영역에서 관찰되었으며, $MoO_2Mo$의 비대칭신축진동 및 대칭신축진동은 720~$750cm^{-1}$, 440~$485cm^{-1}$ 에서 각각 나타났었고, 카르복실기와 금속결합간의 비대칭 신축진동이 1585~$1,640cm^{-1}$에서 흡수띠가 관찰되었다. 전자흡수스펙트럼 결과 $^2B_2{\to}^2B_1$의 결정장 전이는 24,800∼$28,000cm^{-1}$, 전하이동 전이는 32,500~$33,800cm^{-1}$, 42,000~$47,500cm^{-1}$에서 각각 나타났다. 이들 착물은 노란색 혹은 오렌지색이며 반자성체 물질이였다.
디메틸술폭시드 용매 중에서 아직 밝혀진 바 없는 불포화계 $N_2O_2$형 거대고리 리간드들을 포함한 우라늄(VI)과 네오디움(III)착물, 그리고 cryptand 222와 DBC 거대고리 리간드를 가지는 네오디움(III)과 우라늄(VI)착물에 대한 직류폴라로그래프적 거동을 조사하였다. 직류폴라로그래피에 의하여 리간드와 착물의 산화 환원성, 가역성, 환원과정에 관여하는 전자수 및 산첨가에 따른 영향 및 산화-환원전극반응의 메카니즘을 알아 보았다. 그리고 착물들의 안정도 상수와 조성비를 알아보았다. immine계 거대고리 리간드를 가지는 네오디움(III)착물의 환원파는 나타나지 않았으나, 우라늄(VI)착물은 6전자 3단계 환원파를 DBC를 가지는 우라늄(VI)착물은 2전자 2단계 환원파를, 그리고 cryptand 222와 DBC를 가지는 네오디움(III)착물은 1전자 1단계 환원파를 각각 나타내었으며 이들 착물들은 확산지배적이며 가역성은 비교적 좋았다. uranyl(II)금속 착이온의 제 1,2단계 환원파는 1전자 환원반응이며 제 3단계 환원파에서는 4전자 환원반응, 그리고 neodymium(III)착물은 1전자 1단계 환원과정을 가진다. DBC와 imine계 거대고리 리간드를 가지는 우라늄(VI)착물은 pH=7.0이상에서, cryptand 222와 DBC를 리간드로 하는 네오디움(III)착물은 pH=4.0 이상에서 안정한 착물을 형성한다. imine계 거대고리 리간드를 가지는 $UO_2\;^{2+}$착물의 안정도 상수값은 $7.008{\sim}7.273$이라는 새로운 안정도 상수값들을 얻었고 이 값들은 Odien-Ntn > Trans Otn-Ntn = Cis Otn-Ntn > Oen-Ntn 순이었다. 그리고 $UO_2(II)$-cryptand 222 및 Nd(III)-DBC 착물의 안정도 상수값은 7.614, 12.669, 4.223이었고 DBC리간드 착물에서는 $UO_2\;^{2+}$착물의 안정도 상수값이 $Nd^{3+}$의 그것보다 크며 $Nd^{3+}-cryptand\;222$ 착물의 안정도 상수가 가장 크다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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